中国台湾硅晶圆大厂环球晶17日发布公告称，基于芯片与科学法案，旗下子公司GlobalWafers America(GWA)及MEMC LLC与美国商务部已签署一份不具约束力的初步备忘录(preliminary memorandum of terms, PMT)，将获得最高4亿美元的直接补助，用于德克萨斯州谢尔曼(Sherman, Taxes)及密苏里州圣彼得斯(St. Peters, Missouri)先进硅晶圆厂的兴建。

根据协议，环球晶将在得克萨斯州和密苏里州建设新的晶圆制造工厂，生产300毫米硅晶圆。这些工厂的建设将耗资约40亿美元，其中4亿美元由美国政府提供资助。具体包括：

德克萨斯州谢尔曼(Sherman, Taxes)：建立美国首个300毫米先进芯片硅晶圆制造工厂。这种晶圆是制造尖端、成熟节点和内存芯片的关键材料。

密苏里州圣彼得斯(St. Peters, Missouri)：建立新工厂生产300毫米绝缘硅片（SOI）晶圆，这些晶圆在恶劣环境下的性能显著提高，常用于国防和航空航天终端用途。

此外，环球晶还计划将其位于德克萨斯州谢尔曼的现有硅外延晶片制造工厂的一部分改造为碳化硅（SiC）外延晶片制造工厂，生产150毫米和200毫米SiC外延晶片。SiC外延晶片是高压应用的关键组件，尤其是在电动汽车和清洁能源基础设施领域。

美国商务部长Gina Raimondo表示，“环球晶圆公司将在加强美国半导体供应链方面发挥关键作用，提供国内硅晶圆来源，而硅晶圆是先进芯片的支柱。”

环球晶董事长兼首席执行官徐秀兰对美国政府的支持表示感谢。 她在一份声明中表示，环球晶很高兴能在美国半导体供应链中扮演关键角色。

环球晶子公司Global Wafers America（GWA）总经理Mark England说，在拜登政府的支持下，环球晶将把先进的12英寸硅晶圆技术带到美国，弥补美国半导体供应链中的关键缺口。未来将全力投入美国市场，并在美国半导体产业复苏中扮演决定性角色。

环球晶指出，在德州谢尔曼市投资兴建12英寸硅晶圆厂及研究与开发中心，将创造1200个建筑相关工作机会，与750个包括生产作业人员、技术人员和工程师等领域高薪制造工作，预计2026年前实现。

此外，环球晶将在密苏里州圣彼得斯市投资扩增12英寸绝缘层上覆硅（SOI）晶圆生产基地，预计创造500个建筑相关工作机会及130个高薪制造工作。

环球晶表示，除最高4亿美元的补助，该公司还计划向美国财政部就GWA与MEMC LLC符合支出条件部分，申请最高可达25%的先进制造业投资税收抵免（AMIC）。

徐秀兰说，在完成美国扩产计划后，环球晶未来在美国将有4个厂区；德州有2座厂，密苏里州也将有2座厂。