资讯
存储大厂加速下一代技术研发！(2024-11-07)
三项技术均适用于数据中心以及高性能计算等领域。
当前DRAM先进制程工艺正不断朝10nm级别靠近，美光最新工艺为1γ DRAM，该公司已在位于日本广岛的Fab15工厂利用EUV试产1γ DRAM，并计划于2025年大规模量产。三星最新工艺......
这家存储器大厂下半年于日本生产1β DRAM产品(2022-06-06)
技术路线图。
根据最新技术路线图，美光在DRAM领域将持续发力1β、1γ与1δ工艺，其中美光计划2022年底前推出1β DRAM产品，将可为图形、HBM3和汽车等领域提供良好的性能，美光希望通过1β DRAM......
北京君正：DRAM新工艺21nm和20nm预计今年推出(2025-01-14)
北京君正：DRAM新工艺21nm和20nm预计今年推出;近日，北京君正在接受机构调研时，透露了关于DRAM的新工艺情况。
北京君正表示，工艺上，21nm和20nm都有在研，预计21nm......
消息称美光在全球范围内加大HBM产能(2024-06-20)
智能服务器以及人工智能应用的爆炸式增长，HBM得到迅速采用，推动了内存领域前所未有的产能增长。作为回应，领先的 DRAM 制造商正在增加对 HBM/DRAM 的投资。SEMI 最新《世界晶圆厂预测》季度报告中，预计 2024......
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革(2022-11-08)
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革;由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成......
1.4纳米芯片、1000层NAND闪存...半导体巨头公布最新技术路线图(2022-10-09)
在附近的泰勒市建设一家工厂。新工厂将于2024年开始运营，可能会使用最新的生产方法，如3nm技术工艺。三星还有四个晶圆代工据点，分别位于美国奥斯汀以及韩国器兴、华城与平泽。
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未来NAND......
北京君正：21nm DRAM新工艺预计年底推出(2024-11-14)
北京君正：21nm DRAM新工艺预计年底推出;
近日，北京君正在接受机构调研时就DRAM的新工艺情况表示，21nm和20nm都有在研，预计21nm的今年年底会推出，20nm预计......
美光：150亿元新厂动工，短期将公布另一座新厂投资计划(2022-09-13)
爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。
美光科技称，爱达荷州博伊西的投资是美光科技未来十年将美国DRAM产量提高到该公司全球产量的40%战略的一部分。
美光科技博伊西新工......
消息称第六代1c DRAM芯片将成为主流，2024年大规模量产(2023-06-01)
这三家内存芯片厂商来说，面临市场需求疲软、产能缩减的背景，宣布新工艺的大规模量产是没有意义的，因此目前的1b节点DRAM很可能只是一种过渡性产品，制造商不会对此投入过多精力，而下一代1c DRAM将是......
TSS2023圆满收官；美光加码西安封测厂；TI拟建2座新厂(2023-06-19)
TSS2023圆满收官；美光加码西安封测厂；TI拟建2座新厂;“芯”闻摘要
TSS2023圆满收官
晶圆代工厂商最新营收排名
TI拟建2座新工厂
华虹两大动态
美光拟逾43亿加......
美国豁免后三星升级西安半导体工厂设备工艺(2023-10-19)
产品不仅可以使产品拥有价格优势，而且最新工艺比起第 6 代晶圆投入减少约 30%，更能平衡市场供应和需求。
......
华邦电新12英寸厂设备迁入，生产25nm利基型DRAM(2022-01-20)
利基型DRAM。目前公司月产能为24,000片，其中约12,000片采用25nm制程。公司表示，已将更先进的25S工艺转移到位于台中的生产基地进行风险生产，良率达80-90%。
据《电子时报》报道......
三星拟新设至少10台EUV光刻机：展露要当世界第一的野心(2022-12-27)
三星拟新设至少10台EUV光刻机：展露要当世界第一的野心;最新消息显示，尽管全球经济将放缓，但仍计划扩大DRAM与晶圆代工的晶圆产能，明年在其P3晶圆厂新设至少10台极紫外光刻设备（），用于生产最新......
西安紫光国芯展出全系列全种类DRAM存储产品，DDR5模组产品首次亮相MTS 2022(2021-12-10)
起点即为DDR4的速度峰值、最高可达8.4Gbps，同时采用最新工艺DDR5性能提升了85%。
作为关键的新一代存储技术，西安紫光国芯已试产的DDR5服务器模组产品主要应用于云和大数据等行业，积极......
2024年全球半导体晶圆厂产能预计增长6%(2024-06-20)
上半年都已宣布其2024年、2025年的HBM产能全部售罄，计划重金投建新工厂用于生产更多HBM。三星此前也表示，计划将HBM的产能比去年扩增近三倍。
存储芯片市场主要由DRAM内存和NAND Flash闪存......
东芯股份回应19nm闪存进度及3D NAND研发问题(2022-08-24)
目前有两个方向，分别是高可靠性和更新工艺。
在高可靠性方面，由于公司本身就具备开发更高容量NAND的基础，因此在SLC NAND上可以做一些高可靠性的产品，如车规级的SLC NAND。目前......
存储大厂获得61亿美元补贴(2024-12-12)
-alpha节点是一种先进的DRAM工艺技术，在位密度、功率效率和性能方面都有明显改进。
美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra表示，作为唯一一家总部位于美国的存储制造商，美光......
DRAM价格持续下跌，厂商扩产热情不减(2022-06-24)
美光此前披露的技术路线图，其计划在2022年底前推出的1β DRAM产品，将可为图形、HBM3和汽车等领域提供良好的性能，美光还将在1γ DRAM工艺中引入EUV技术。
此外，美光计划，在今后十年间在全球投资1500亿美......
澜起科技、东芯股份再透露新消息？(2022-06-09)
定2023年考核指标为：上述三大新产品完成量产版本研发并实现出货。
东芯股份：在NOR和DRAM上持续发力
东芯股份在接受机构调研时表示，目前公司在38nm工艺上，今年......
第二季 DRAM 总营收小幅成长 6.3%，位供给增加奏功(2016-10-18)
内存储存事业处 DRAMeXchange 最新报告显示，由于市况供过于求，第二季 DRAM 的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过 5%。然而，受惠于美光 20 纳米及 SK 海力士 21 纳米......
涉专利侵权！中国芯片大厂起诉美国芯片巨头！(2023-11-13)
战日益激烈，原厂不得不拉大议价空间，吸引客户提高订单数量。
2022年10月，美国商务部工业和安全局发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺......
减产/扩产？存储市场释放新信号(2024-11-25)
之后。
美光将根据未来DRAM内存的需求情况，合理安排这些工厂的设备投资和生产计划。据悉，这些新工厂的建设是为了满足近10年内的供应增长需求。并且，据行业最新消息显示，美光......
Meta携手SK海力士、LGD合作开发Micro OLED(2023-02-17)
工厂，分别是M10 和 M14，M16。M16 生产线于 2021 年 2 月投入运营，采用最新工艺生产DRAM。M14从2015年开始投入运营，主要生产DRAM和NAND Flash......
SK海力士发布2022财年第三季度财务报告(2022-10-26 11:09)
韩元。SK海力士分析称，由于全球宏观经济环境下行，DRAM和NAND产品需求低迷，销量和价格都下滑，第三季度的销售额也同比减少。此外，该公司还表示，虽然提高了最新工艺10nm级第四代（1a）DRAM和176层......
国内一存储企业回应：库存水位+产品进度...(2023-07-08)
从工业级标准向车规级标准迈进。
2）更新工艺：在原有的从38nm、2xnm制程上持续开发新产品的同时，公司将通过更新工艺制程来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。
车规类产品的进展，东芯股份在NAND和NOR领域......
三星采用新工艺研发HBM4(2023-12-29)
三星采用新工艺研发HBM4;
【导读】三星电子正在推行一项计划，将HBM4逻辑芯片的设计从原来的8nm工艺转向4nm。目前各大存储公司已成功将HBM商业化至第四代（HBM3）。第五......
韩半导体设备厂商积极开发新一代HBM加工工具(2023-09-03)
定制的热压键合机，并于2023年8月推出第二代型号，该机型在垂直方向施加热量和压力来垂直键合DRAM。
为了提高生产能力，韩美半导体还开设了一座新工......
DRAM需求向弱？美光、三星蛰伏扩产蓄能(2022-09-02)
在2021年便推出了其1anm内存节点DRAM，推出该工艺时，美光依旧未使用EUV光刻技术，美光称其存储密度比之前的1z nm节点DRAM提高40%。
据悉，美光1bnm将在......
SK海力士发布2022财年第三季度财务报告(2022-10-26)
润为2.877万亿韩元
SK海力士分析称，由于全球宏观经济环境下行，DRAM和NAND产品需求低迷，销量和价格都下滑，第三季度的销售额也同比减少。此外，该公司还表示，虽然提高了最新工艺10nm级第......
导入行业领先技术，金泰克DDR5内存蓄势待发(2021-10-12)
可扩展到8.4Gbps，预取数据能力从DDR4的8n上升为 16n。
低能耗：
采用最新工艺DDR5的VPP降低到 1.8V，VDDQ和VDD降低到1.1V，功耗整体下降，性能提升了85%。这是......
三星电子最新财报出炉，存储器、晶圆代工业务表现如何？(2022-01-27)
三星电子最新财报出炉，存储器、晶圆代工业务表现如何？;1月27日，三星电子公布2021年第四季度财报。去年第四季度，三星合并营收76.57万亿韩元（约4042.9亿元人民币），同比增长24.39......
存储大厂获数百亿补贴扩产尖端DRAM，最新市况如何？(2024-12-12)
存储大厂获数百亿补贴扩产尖端DRAM，最新市况如何？;近日美光表示获得美国61.65亿美元（约为人民币450亿元）的直接资金资助，计划用于加强尖端DRAM供应能力。两个月时间里，美国......
全球三大存储厂“你追我赶”(2024-07-01)
制程的先进DRAM芯片厂，预计2026年初动工、最快2027年底完工。根据报道，美光在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，专注于DRAM生产，不包括后端封装和测试，并将重点放在HBM产品上。据悉......
1000亿美元！存储大厂官宣晶圆厂新建计划(2022-10-08)
万平方英尺，规模接近40个橄榄球场的大小，创美国半导体行业历史之最。
美光透露，纽约工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外线（EUV） 光刻技术，以巩固公司在DRAM行业......
DS Techopia计划将NAND闪存芯片所需材料扩产50%(2022-04-08)
芯片的材料六氯乙硅烷（HCDS）的产能扩大多达50%。
据了解，HCDS用于在硅芯片上形成氧化硅（SiO2）和氮化硅（SiN）层。该材料被认为比其他材料更稳定、更纯净，广泛用于生产DRAM和NAND闪存芯片的低温沉积工艺......
三星公布发展规划；ASML继续向中国出货非EUV光刻机(2022-10-24)
东京举办了该论坛活动，韩国首尔是今年三星晶圆代工论坛的收官站点。
在上述晶圆代工系列活动上，三星对外介绍了最新技术成果，以及未来五年晶圆代工事业发展规划。按照规划，三星将于2025年量产2nm先进制程工艺......
三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产(2023-05-18 14:45)
三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产;三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率，优化人工智能应用在内的下一代计算今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-03)
将内存容量提高了50万倍。最新开发的32Gb
DDR5内存颗粒，采用前沿的工艺技术，提高了集成密度并优化了封装设计，与DDR5
16Gb颗粒相比，在相同封装尺寸情况下，三星单片DRAM内存......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-02)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;
【导读】三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代......
三星将于今年内在P4工厂及美国得州工厂建设试产线(2023-01-04)
以及美国得州工厂建设试产线。
据韩媒《The Elec》报道，三星计划年底前在韩国平泽的P4工厂以及美国得州工厂建设试产线。
据悉，位于美国得州的新工......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-01 15:01)
了集成密度并优化了封装设计，与DDR5 16Gb颗粒相比，在相同封装尺寸情况下，三星单片DRAM内存颗粒容量翻倍。尤其是，过去使用16Gb内存颗粒制造的DDR5 128GB内存模组需要采用硅通孔(TSV)工艺。而现在，通过使用最新......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-01 15:01)
了集成密度并优化了封装设计，与DDR5 16Gb颗粒相比，在相同封装尺寸情况下，三星单片DRAM内存颗粒容量翻倍。尤其是，过去使用16Gb内存颗粒制造的DDR5 128GB内存模组需要采用硅通孔(TSV)工艺。而现在，通过使用最新......
芯片制造商面临下游需求疲软的，今年费城SE半导体指数已下跌超过31%(2022-11-29)
同时，现货价格可能会对美光的动作做出更快的反应。
美光在今年夏天开始生产232层的3D TLC
NAND闪存，并在早些时候开始以1β(1-beta)工艺节点生产DRAM芯片，这些......
三星押注半导体代工业务 今年投资近220亿美元(2022-11-17)
设计部门，而IC设计部门为芯片业务最大客户，故也拖累芯片部门。
最新的高通骁龙8 Gen 2采用了台积电4nm工艺，虽然此前将上一代骁龙8 Gen 1的订单全部委托给三星电子，但从......
SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM 与高通完成性能验证(2023-10-25)
SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM 与高通完成性能验证;完成与高通最新移动处理器的兼容性验证，正式开始向客户提供产品
“将通过加强与高通的合作，实现智能手机发展为AI时代......
生产最新12nm芯片，三星逆势计划新增10台EUV光刻机(2022-12-27)
年的P3晶圆厂将新增至少10台EUV，主要用于量产此前发布的12nm级DRAM内存芯片。
12月21日消息，三星宣布全球首发12nm工艺的DDR5内存，核心容量16Gb，并率先完成AMD......
三星2017年投资近百亿扩充存储产能，涨价潮将缓解？(2017-03-09)
又可以获得更高可靠性，P/E擦写次数更高，这正是此前采用2D NAND为了增加容量而只好不断的采用更新工艺带来的问题，这也正是企业级而采用3D NAND技术可以在一定程度上解决了这个问题。
3D......
西安美光芯片封测项目最新进展披露！(2024-11-12)
西安美光芯片封测项目最新进展披露！;
近日，西安美光芯片封测项目迎来最新进展——主体结构成功封顶。据美光科技中国区总经理吴明霞近日透露，西安美光新工厂已于11月2日成功封顶。
2023年......
存储大厂下调业界前景，最新技术进展曝光(2022-07-01)
存储大厂下调业界前景，最新技术进展曝光;6月30日，存储大厂美光科技公布2022财年第三财季财报。
DRAM与NAND同步成长
该季度美光实现营收约86.4亿美元，同比增长16.4......
SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM(2023-08-11)
SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM;
目前唯一量产24GB封装产品，并供应给全球智能手机制造商
采用HKMG工艺，同时实现超低功耗、高性能
“率先......
相关企业
;北京迪昂数码科技有限责任公司;;网络 最新工厂化循环水养殖技术
;巩义市顺达机械设备制造厂;;巩义市顺达机械设备制造厂,石棉瓦生产设备. 我司是一家私营企业,主要是面对国内外市场,公司有我厂借鉴国内外植物、石棉纤维水泥波瓦生产的最新工艺，根据
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;巩义市顺达石棉瓦 设备制造厂;;我公司借鉴国内外纤维水泥波瓦生产的最新工艺，根据国家有关部门的要求，设计生产的纤维水泥波瓦生产线（石棉瓦机生产线）按生产能力、自动化程度分为XSW-Z20-80型中
;巩义市 顺达机械制造有限公司;;我公司借鉴国内外纤维水泥波瓦生产的最新工艺，根据国家有关部门的要求，设计生产的纤维水泥波瓦生产线（石棉瓦机生产线）按生产能力、自动化程度分为XSW-Z20-80型中
;巩 义市顺达机械制造有限公司;;我公司借鉴国内外纤维水泥波瓦生产的最新工艺，根据国家有关部门的要求，设计生产的纤维水泥波瓦生产线（石棉瓦机生产线）按生产能力、自动化程度分为XSW-Z20-80型中
;成都华亿科技有限责任公司;;我公司运用最新工艺设备，采用优质化工原料，专业生产“华亿”牌系列保护膜、铝箔胶带、高温胶带、电子胶带、纤维胶带、美纹纸胶带、缠绕膜等。是各类不锈钢板、铝塑板、镜面
;北京工艺兴机电设备有限公司;;装甲兵工程学院新工艺办公室成立于1981年，隶属于装甲兵工程学院，由梁志杰高工担任办公室主任。 装甲兵工程学院新工艺办公室是表面工程、电刷镀技术,工模具修补,再造