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三项技术均适用于数据中心以及高性能计算等领域。 当前DRAM先进制程工艺正不断朝10nm级别靠近，美光最新工艺为1γ DRAM，该公司已在位于日本广岛的Fab15工厂利用EUV试产1γ DRAM，并计划于2025年大规模量产。三星最新工艺......
技术路线图。 根据最新技术路线图，美光在DRAM领域将持续发力1β、1γ与1δ工艺，其中美光计划2022年底前推出1β DRAM产品，将可为图形、HBM3和汽车等领域提供良好的性能，美光希望通过1β DRAM......
智能服务器以及人工智能应用的爆炸式增长，HBM得到迅速采用，推动了内存领域前所未有的产能增长。作为回应，领先的 DRAM 制造商正在增加对 HBM/DRAM 的投资。SEMI 最新《世界晶圆厂预测》季度报告中，预计 2024......
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革;由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成......
在附近的泰勒市建设一家工厂。新工厂将于2024年开始运营，可能会使用最新的生产方法，如3nm技术工艺。三星还有四个晶圆代工据点，分别位于美国奥斯汀以及韩国器兴、华城与平泽。 2 未来NAND......
北京君正：21nm DRAM新工艺预计年底推出; 近日，北京君正在接受机构调研时就DRAM的新工艺情况表示，21nm和20nm都有在研，预计21nm的今年年底会推出，20nm预计......
爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。 美光科技称，爱达荷州博伊西的投资是美光科技未来十年将美国DRAM产量提高到该公司全球产量的40%战略的一部分。 美光科技博伊西新工......
这三家内存芯片厂商来说，面临市场需求疲软、产能缩减的背景，宣布新工艺的大规模量产是没有意义的，因此目前的1b节点DRAM很可能只是一种过渡性产品，制造商不会对此投入过多精力，而下一代1c DRAM将是......
产品不仅可以使产品拥有价格优势，而且最新工艺比起第 6 代晶圆投入减少约 30%，更能平衡市场供应和需求。 ......
TSS2023圆满收官；美光加码西安封测厂；TI拟建2座新厂;“芯”闻摘要 TSS2023圆满收官 晶圆代工厂商最新营收排名 TI拟建2座新工厂 华虹两大动态 美光拟逾43亿加......
利基型DRAM。目前公司月产能为24,000片，其中约12,000片采用25nm制程。公司表示，已将更先进的25S工艺转移到位于台中的生产基地进行风险生产，良率达80-90%。 据《电子时报》报道......
三星拟新设至少10台EUV光刻机：展露要当世界第一的野心;最新消息显示，尽管全球经济将放缓，但仍计划扩大DRAM与晶圆代工的晶圆产能，明年在其P3晶圆厂新设至少10台极紫外光刻设备（），用于生产最新......
起点即为DDR4的速度峰值、最高可达8.4Gbps，同时采用最新工艺DDR5性能提升了85%。 作为关键的新一代存储技术，西安紫光国芯已试产的DDR5服务器模组产品主要应用于云和大数据等行业，积极......
上半年都已宣布其2024年、2025年的HBM产能全部售罄，计划重金投建新工厂用于生产更多HBM。三星此前也表示，计划将HBM的产能比去年扩增近三倍。 存储芯片市场主要由DRAM内存和NAND Flash闪存......
目前有两个方向，分别是高可靠性和更新工艺。 在高可靠性方面，由于公司本身就具备开发更高容量NAND的基础，因此在SLC NAND上可以做一些高可靠性的产品，如车规级的SLC NAND。目前......
美光此前披露的技术路线图，其计划在2022年底前推出的1β DRAM产品，将可为图形、HBM3和汽车等领域提供良好的性能，美光还将在1γ DRAM工艺中引入EUV技术。 此外，美光计划，在今后十年间在全球投资1500亿美......
定2023年考核指标为：上述三大新产品完成量产版本研发并实现出货。 东芯股份：在NOR和DRAM上持续发力 东芯股份在接受机构调研时表示，目前公司在38nm工艺上，今年......
内存储存事业处 DRAMeXchange 最新报告显示，由于市况供过于求，第二季 DRAM 的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过 5%。然而，受惠于美光 20 纳米及 SK 海力士 21 纳米......
战日益激烈，原厂不得不拉大议价空间，吸引客户提高订单数量。 2022年10月，美国商务部工业和安全局发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺......
工厂，分别是M10 和 M14，M16。M16 生产线于 2021 年 2 月投入运营，采用最新工艺生产DRAM。M14从2015年开始投入运营，主要生产DRAM和NAND Flash......
韩元。SK海力士分析称，由于全球宏观经济环境下行，DRAM和NAND产品需求低迷，销量和价格都下滑，第三季度的销售额也同比减少。此外，该公司还表示，虽然提高了最新工艺10nm级第四代（1a）DRAM和176层......
从工业级标准向车规级标准迈进。 2）更新工艺：在原有的从38nm、2xnm制程上持续开发新产品的同时，公司将通过更新工艺制程来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。 车规类产品的进展，东芯股份在NAND和NOR领域......
三星采用新工艺研发HBM4; 【导读】三星电子正在推行一项计划，将HBM4逻辑芯片的设计从原来的8nm工艺转向4nm。目前各大存储公司已成功将HBM商业化至第四代（HBM3）。第五......
定制的热压键合机，并于2023年8月推出第二代型号，该机型在垂直方向施加热量和压力来垂直键合DRAM。 为了提高生产能力，韩美半导体还开设了一座新工......
在2021年便推出了其1anm内存节点DRAM，推出该工艺时，美光依旧未使用EUV光刻技术，美光称其存储密度比之前的1z nm节点DRAM提高40%。 据悉，美光1bnm将在......
润为2.877万亿韩元 SK海力士分析称，由于全球宏观经济环境下行，DRAM和NAND产品需求低迷，销量和价格都下滑，第三季度的销售额也同比减少。此外，该公司还表示，虽然提高了最新工艺10nm级第......
可扩展到8.4Gbps，预取数据能力从DDR4的8n上升为 16n。 低能耗： 采用最新工艺DDR5的VPP降低到 1.8V，VDDQ和VDD降低到1.1V，功耗整体下降，性能提升了85%。这是......
三星电子最新财报出炉，存储器、晶圆代工业务表现如何？;1月27日，三星电子公布2021年第四季度财报。去年第四季度，三星合并营收76.57万亿韩元（约4042.9亿元人民币），同比增长24.39......
制程的先进DRAM芯片厂，预计2026年初动工、最快2027年底完工。根据报道，美光在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，专注于DRAM生产，不包括后端封装和测试，并将重点放在HBM产品上。据悉......
万平方英尺，规模接近40个橄榄球场的大小，创美国半导体行业历史之最。 美光透露，纽约工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外线（EUV） 光刻技术，以巩固公司在DRAM行业......
芯片的材料六氯乙硅烷（HCDS）的产能扩大多达50%。 据了解，HCDS用于在硅芯片上形成氧化硅（SiO2）和氮化硅（SiN）层。该材料被认为比其他材料更稳定、更纯净，广泛用于生产DRAM和NAND闪存芯片的低温沉积工艺......
东京举办了该论坛活动，韩国首尔是今年三星晶圆代工论坛的收官站点。 在上述晶圆代工系列活动上，三星对外介绍了最新技术成果，以及未来五年晶圆代工事业发展规划。按照规划，三星将于2025年量产2nm先进制程工艺......
三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产;三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率，优化人工智能应用在内的下一代计算今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5......
将内存容量提高了50万倍。最新开发的32Gb DDR5内存颗粒，采用前沿的工艺技术，提高了集成密度并优化了封装设计，与DDR5 16Gb颗粒相比，在相同封装尺寸情况下，三星单片DRAM内存......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品; 【导读】三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代......
了集成密度并优化了封装设计，与DDR5 16Gb颗粒相比，在相同封装尺寸情况下，三星单片DRAM内存颗粒容量翻倍。尤其是，过去使用16Gb内存颗粒制造的DDR5 128GB内存模组需要采用硅通孔(TSV)工艺。而现在，通过使用最新......
了集成密度并优化了封装设计，与DDR5 16Gb颗粒相比，在相同封装尺寸情况下，三星单片DRAM内存颗粒容量翻倍。尤其是，过去使用16Gb内存颗粒制造的DDR5 128GB内存模组需要采用硅通孔(TSV)工艺。而现在，通过使用最新......
以及美国得州工厂建设试产线。 据韩媒《The Elec》报道，三星计划年底前在韩国平泽的P4工厂以及美国得州工厂建设试产线。 据悉，位于美国得州的新工......
同时，现货价格可能会对美光的动作做出更快的反应。 美光在今年夏天开始生产232层的3D TLC NAND闪存，并在早些时候开始以1β(1-beta)工艺节点生产DRAM芯片，这些......
设计部门，而IC设计部门为芯片业务最大客户，故也拖累芯片部门。 最新的高通骁龙8 Gen 2采用了台积电4nm工艺，虽然此前将上一代骁龙8 Gen 1的订单全部委托给三星电子，但从......
SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM 与高通完成性能验证;完成与高通最新移动处理器的兼容性验证，正式开始向客户提供产品 “将通过加强与高通的合作，实现智能手机发展为AI时代......
年的P3晶圆厂将新增至少10台EUV，主要用于量产此前发布的12nm级DRAM内存芯片。 12月21日消息，三星宣布全球首发12nm工艺的DDR5内存，核心容量16Gb，并率先完成AMD......
又可以获得更高可靠性，P/E擦写次数更高，这正是此前采用2D NAND为了增加容量而只好不断的采用更新工艺带来的问题，这也正是企业级而采用3D NAND技术可以在一定程度上解决了这个问题。 3D......
西安美光芯片封测项目最新进展披露！; 近日，西安美光芯片封测项目迎来最新进展——主体结构成功封顶。据美光科技中国区总经理吴明霞近日透露，西安美光新工厂已于11月2日成功封顶。 2023年......
存储大厂下调业界前景，最新技术进展曝光;6月30日，存储大厂美光科技公布2022财年第三财季财报。 DRAM与NAND同步成长 该季度美光实现营收约86.4亿美元，同比增长16.4......
SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM; 目前唯一量产24GB封装产品，并供应给全球智能手机制造商 采用HKMG工艺，同时实现超低功耗、高性能 “率先......
前中可实现9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。表示，最近获得了将 DRAM适用于美国高通技术公司（Qualcomm Technologies，以下简称高通）最新第三代骁龙8移动......
率及低功耗三大突出特性的服务器内存模组、工作站及个人电脑内存模组产品将特别展出。相比较DDR4，DDR5内存颗粒容量最大可达64Gb，速率起点即为DDR4的速度峰值、最高可达8.4Gbps，同时采用最新工艺......
利完成收购程序，华亚科从台股下市，成为台湾美光桃园厂区，宣告台厂正式退出标准型DRAM 制造，专注利基型记忆体相关发展。 工艺没突破，DRAM还是吃紧 虽然美光的影响不大，但在DRAM紧缺的2017，新工艺......
大微电子官微介绍，北京大学集成电路学院的成立，是北京大学响应国家号召、服务国家战略，推动我国集成电路学科发展，深化多学科交叉融合，更好地支撑北京大学“新工科“建设，助力......

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