业内消息，根据上周美国加利福尼亚北区法院公布的信息，已于11月9日起诉科技有限公司及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

长江存储是国内最大的3D NAND Flash（闪存芯片制造）厂商。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新。
长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。
长江存储在以上起诉书中称，长江存储不再是新秀（upstart），而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。
NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质，NAND Flash可制造SSD（固态硬盘）等存储器，用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌厂商中，三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商占比仅3.8%。

2018年，长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片，2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存，2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。长江存储此前还推动扩产。集邦咨询分析称，2022年第三季度，受长江存储扩大笔电Client SSD出货等影响，价格战日益激烈，原厂不得不拉大议价空间，吸引客户提高订单数量。
2022年10月，美国商务部工业和安全局发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将纳入出口管制“实体清单”。
除NAND Flash外，美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年，生产DRAM的另一大厂商福建晋华与联电签署技术合作协议，开发DRAM相关制程技术，在福建晋江投资56.5亿美元建设一条12英寸晶圆厂生产线。2017年，在美国起诉晋华与联电，称晋华员工窃取其知识产权交给晋华。2018年，美国商务部又将晋华列入出口管制“实体清单”。

来源：第一财经