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半导体行业观察TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 最新报告显示，由于市况供过于求，第二季 DRAM 的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过 5%。然而，受惠于美光 20 纳米及 SK 海力士 21 纳米产出顺利，带动位供给成长，使得第二季全球 DRAM 总营收约 91 亿美元，季成长 6.3%。
DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示，第二季笔记本电脑及服务器相关产品出货动能表现一般，但中国地区的智能手机出货依然强劲，因此 DRAM 三大厂也同步调整产品类别，持续向移动式内存转进。伴随第三季强劲的旺季备货需求到来，DRAMeXchange 预估第三季全球 DRAM 总营收将出现较显著的成长。
三大厂营收皆成长，美光集团营业获利率逆势止跌
三星依然是 DRAM 产业营收排行第一，营收季成长约 8.7%，市占达 47.4%，SK 海力士 DRAM 营收季成长 4%，市占达 26.5%，排名第二。美光集团仍位居第三，营收季成长 8.8%，市占 19%。
然而，受到销售单价下跌的压力影响，与上季相较，三星营业获利率由 40% 降至 36%，SK 海力士由 24% 下降至 18%，美光集团则因制程转进逐渐稳定，营业获利率由 –1.2% 略升为 -0.6%。
SK 海力士、美光集团制程转进始见成效
三星 20 纳米已稳定的成为各产品线主流制程，为三大厂商当中成本最低，而原订 2016 年中要导入的 18 纳米制程则在三星控制产出的考量下，小幅减少投片量。三星后续的获利策略将以提升销售单价为优先，不一味寻求降低成本。
SK 海力士的 21 纳米制程已导入约两季，目前主要的量仍集中在标准型内存。今年下半年可更加着力在降低成本，以提高获利表现。
第二季美光集团 20 纳米产出比重稳定提升，有助于提高营业获利，待未来持续降低成本。吴雅婷指出，下半年因 DRAM 价格上涨，有望继续提升美光集团获利表现。
由于第二季标准型、利基型内存价格跌落谷底，加上主力客户放慢拿货力道，导致南亚科营收季衰退 12.3%，但随着新工厂 Fab 3A North 完工，明年上半将导入 20 纳米制程，届时南亚科成本有望进一步降低。
第二季力晶科技 DRAM 营收小幅下滑 6.3%，主要由于液晶驱动器（LCD Driver）需求强劲，转而减少 DRAM 产品比重所致。
华邦电子第二季营收小幅成长 3.3%，除 46 纳米比重持续提升外，利基型、移动式内存皆有贡献，华邦新工厂 Fab C 预定最大产能预定约 1.6 万，将进行最新的 38 纳米制程，最快于明年上半进入试产。
（首图来源：Pixabay）
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