美光:150亿元新厂动工,短期将公布另一座新厂投资计划
当地时间9月12日,美光科技宣布,公司位于爱达荷州博伊西的存储器制造工厂破土动工。这将是20年来在美国本土新建的第一家存储器芯片制造工厂,也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。
美光科技称,爱达荷州博伊西的投资是美光科技未来十年将美国DRAM产量提高到该公司全球产量的40%战略的一部分。
美光科技博伊西新工厂的建设预计将于2023年初开始,洁净室空间将于2025年开始分阶段投产。新的DRAM生产计划于2025年开始,随着行业需求的增长,将在本世纪的后半段加速生产。最终,洁净室空间将达到600,000平方英尺——大约相当于10个美国足球场的大小。
美光科技的博伊西工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具,包括极紫外光刻(EUV),以推动下一代DRAM的行业领先地位。
此前9月1日,美光科技宣布,计划于2030年之前投资150亿美元,在爱达荷州博伊西(Boise)建造一座新的尖端存储器制造厂。
该投资是美光科技去年10月宣布的1500亿投资计划的一部分。美光科技当时表示,未来十年,将投入1500亿美元用于生产和研发支出,并评估在各地的设厂规划。
另据外媒《路透社》报道,美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示,短期内将公布在美国兴建另一间半导体工厂。
Sanjay Mehrotra披露,另一间新工厂的选址工作已进入最后阶段,短期内将会作出公布。
Sanjay Mehrotra表示,两间新工厂均从事DRAM半导体生产,即将公布投资计划的新工厂,产品生产范围涉及个人电脑、数据中心及其他设备。两间工厂全面投入运作后,美国工厂生产的DRAM将占全球产量四成,远高于目前的一成。
针对市场前景,美光科技表示,尽管存储器的近期需求环境面临挑战,但预计到2030年存储市场收入将翻一番。因此,新的晶圆产能将在采用人工智能和5G的推动下,需要满足数据中心、工业、汽车和移动等细分市场的长期需求。
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