当地时间9月12日，美光科技宣布，公司位于爱达荷州博伊西的存储器制造工厂破土动工。这将是20年来在美国本土新建的第一家存储器芯片制造工厂，也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。

美光科技称，爱达荷州博伊西的投资是美光科技未来十年将美国DRAM产量提高到该公司全球产量的40%战略的一部分。

美光科技博伊西新工厂的建设预计将于2023年初开始，洁净室空间将于2025年开始分阶段投产。新的DRAM生产计划于2025年开始，随着行业需求的增长，将在本世纪的后半段加速生产。最终，洁净室空间将达到600,000平方英尺——大约相当于10个美国足球场的大小。

美光科技的博伊西工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外光刻(EUV)，以推动下一代DRAM的行业领先地位。

此前9月1日，美光科技宣布，计划于2030年之前投资150亿美元，在爱达荷州博伊西（Boise）建造一座新的尖端存储器制造厂。

该投资是美光科技去年10月宣布的1500亿投资计划的一部分。美光科技当时表示，未来十年，将投入1500亿美元用于生产和研发支出，并评估在各地的设厂规划。

另据外媒《路透社》报道，美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示，短期内将公布在美国兴建另一间半导体工厂。

Sanjay Mehrotra披露，另一间新工厂的选址工作已进入最后阶段，短期内将会作出公布。

Sanjay Mehrotra表示，两间新工厂均从事DRAM半导体生产，即将公布投资计划的新工厂，产品生产范围涉及个人电脑、数据中心及其他设备。两间工厂全面投入运作后，美国工厂生产的DRAM将占全球产量四成，远高于目前的一成。

针对市场前景，美光科技表示，尽管存储器的近期需求环境面临挑战，但预计到2030年存储市场收入将翻一番。因此，新的晶圆产能将在采用人工智能和5G的推动下，需要满足数据中心、工业、汽车和移动等细分市场的长期需求。

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