6月6日，澜起科技、东芯股份相继透露其自身产品及工作重点新消息。

澜起科技：预计DDR5后续可能还会有1~2个子代

澜起科技在接受机构调研时表示，从JEDEC已公布的相关信息来看，DDR5内存接口芯片已规划三个子代，支持速率分别是4800MT/s、5600MT/s、6400MT/s，预计后续可能还会有1-2个子代。预计今年除了DDR5第一子代产品逐渐上量以外，DDR5第二子代内存接口芯片还会有一定量的样品需求。

澜起科技称，2021年第四季度，DDR5内存接口芯片及内存模组配套芯片已正式量产出货，并在2022年第一季度持续出货。

关于2021年主要产品的进展及研发成果，澜起科技表示，在互连类芯片产品线上，DDR5第一子代内存接口芯片及内存模组配套芯片实现量产，完成DDR5第二子代内存接口芯片和PCIe5.0Retimer工程样片的流片。

2022年澜起科技将持续投入研发创新，研发工作重点主要有如下两方面：

1、稳步推进现有产品的迭代升级及研发：（1）互连类芯片产品线：完成DDR5第二子代内存接口芯片、PCIe5.0Retimer量产版本研发，做好量产前的质量认证等准备工作。（2）津逮®服务器平台产品线：完成第四代津逮®CPU研发，并实现量产；（3）AI芯片：完成第一代AI芯片工程样片流片。

2、启动多项新产品的研发设计工作：包括CKD芯片、MCRRCD/DB芯片、MXC芯片，目标是在2022年底之前完成上述三大新产品第一代产品工程样片流片。同时，公司新推出的《2022年限制性股票激励计划（草案）》中设定2023年考核指标为：上述三大新产品完成量产版本研发并实现出货。

东芯股份：在NOR和DRAM上持续发力

东芯股份在接受机构调研时表示，目前公司在38nm工艺上，今年已经可以为客户提供车规级的PPI NAND以及SPI NAND的样品，包括1G、2G到最大的8G车规的NAND Flash。NOR Flash公司目前正在研发的是48nm中高容量的NOR Flash车规级产品。

东芯股份认为，SLC NAND是进入NAND Flash的必经之路，在SLC NAND的布局上，公司目前有两个方向，分别是高可靠性和更新工艺。

在高可靠性方面，由于公司本身就具备开发更高容量NAND的基础，因此在SLC NAND上可以做一些高可靠性的产品，如车规级的SLC NAND。目前公司也是国内少数几家有做车规级的SLC NAND能力的企业。

在更新工艺方面，公司不断更新制程，从38nm、24nm，再到现在正在开发的19nm的工艺。通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。

东芯股份称，2021年至2022年，SLC NAND在营收占比大约在50%至60%左右，保持相对稳定的状态。从长期来看，虽然SLC NAND是公司的优势产品，但公司也会在NOR和DRAM上持续发力。

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