据TrendForce集邦咨询数据显示,2022年第2季DRAM产业营收255.9亿美元,季增6.5%。营收的成长动力来自于部分DRAM供应商出货位元的增长,虽然PC、mobile DRAM的需求因受通货膨胀冲击而开始减少,但上半年server DRAM 动能维持强劲,带动三星、美光、SK海力士三大原厂出货季增均达到 5-10%。
虽然产业营收成长,但受到消费市场疲软影响,DRAM市场需求持续减弱。展望第3季,TrendForce集邦咨询认为,由于原厂库存压力进一步攀升,价格跌幅明显扩大,而出货端受到客户库存调整的影响将难以成长,三家厂商营收恐将下跌。
从中长期看,全球DRAM市场仍将保持增长。在当下周期下行压力下,美光、三星纷纷蛰伏扩产蓄能,发力制程突破,等待新一轮周期上行。
美光拟投资150亿美元建厂
制程上,美光在2021年便推出了其1anm内存节点DRAM,推出该工艺时,美光依旧未使用EUV光刻技术,美光称其存储密度比之前的1z nm节点DRAM提高40%。
据悉,美光1bnm将在今年年底于日本厂优先投产,待良率提升至一定水准后,预计明年在中国台湾厂继续导入量产。此外,今年6月,美光台湾区董事长卢东晖表示,其A3厂将会在今年下半年导入EUV设备,为美光1γ DRAM早日量产预做准备。
美光产能扩建也在近日正式提上日程。9月1日,美光科技宣布,计划于2030年之前投资150亿美元,在爱达荷州博伊西(Boise)建造一座新的尖端存储器制造厂。据悉,这是美光未来十年在全球投资超1500亿美元用于制造和研发计划的一部分,其中包括在2030年前投资400亿美元,在美国分多个阶段建立存储器制造厂。
公开资料显示,这将是20年来在美国本土新建的第一家存储器芯片制造工厂,也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。美光表示,公司将重点为美国本土市场的汽车和数据中心等行提供存储器芯片。目前,美光还未公开新工厂产能将生产何种芯片的详细信息。
三星计划再建3条产线?
制程上,今年2月,三星官方表示其基于极紫外(EUV)光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已完成了量产。业界消息显示,三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤,其三星的P3工厂也将采用EUV工艺生产10nm DRAM。
产能扩建方面,据外媒近日消息,三星计划在韩国京畿道平泽市再建3条产线,考虑到每个半导体工厂约需30万亿韩元以上投资,三星电子将为该计划共投入100万亿韩元(约740亿美元)资金。
据悉,三星最近开始平泽工厂第4条生产线的初步建设,其第3条生产线的建设预计将于今年下半年完成,并在明年初开始贡献投片,三星计划优先投产制程为1alpha纳米的DRAM产品,其将显著带动1alpha纳米投产比重的提升。消息显示,三星3条新增产线的落地后,其平泽芯片工厂的生产线将增至6条。
封面图片来源:拍信网
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