近日，东芯股份在投资者互动平台表示，公司19nm先进制程的NANDFlash产品已完成了首轮流片，目前正在产品调试的过程中。

针对3D NAND闪存研发问题，东芯股份表示，公司目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，暂不涉及3DNAND业务。

车规级芯片方面，东芯股份称，车规级存储器产品对产品各项指标都有更高的要求，因此产品认证及导入时间较长，目前相关产品正在积极研发和导入过程中。

此前6月，东芯股份曾强调，SLC NAND是进入NAND Flash的必经之路，在SLC NAND的布局上，公司目前有两个方向，分别是高可靠性和更新工艺。

在高可靠性方面，由于公司本身就具备开发更高容量NAND的基础，因此在SLC NAND上可以做一些高可靠性的产品，如车规级的SLC NAND。目前公司也是国内少数几家有做车规级的SLC NAND能力的企业。

在更新工艺方面，公司不断更新制程，从38nm、24nm，再到现在正在开发的19nm的工艺。通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。

作为Fabless芯片企业，东芯股份拥有独立自主的知识产权，聚焦中小容量存储芯片的研发、设计和销售，是国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等主要存储芯片完整解决方案的公司。

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