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目前最前沿的EUV光刻胶（<13.5nm波长）。通常来讲，波长越短加工分辨率越佳，能制造的芯片工艺越先进，技术难度也越高。 其中， g线、 i线光刻胶分别适用于436nm、365nm的波长光......
线宽，双线间距低至约50纳米的超分辨光刻。未来将这一技术工程化应用到光刻机上，能够突破光学衍射极限对投射电路尺寸的限制从而实现超分辨光刻，有望使国产集成电路光刻机摆脱一味采用更短波长光......
中国顶尖辩手，正反观点都有颠覆你原本价值观的冲击力。笔者一直在想，如果奇葩说来一次“国产超分辨力光刻机到底牛不牛”的辩题，那到底会是怎样的场景和结局. 辩题背景：中科院光电所超分辨光刻......
回顾步进式光刻机概念的诞生：一个关于直觉的传奇故事;......
成电路芯片制造中最复杂和关键的工艺步骤。光刻机的曝光分辨率与波长直接相关，半个多世纪以来，光刻机光源的波长不断缩小，芯片工业界公认的新一代主流光刻技术是采用波长为13.5纳米光源的EUV（极紫外光源）光刻......
南大光电光刻胶项目延期;南大光电近日发表公告称，公司募投项目“光刻胶项目”受到多重因素影响，计划将建设完成期限由原计划2021年12月31日延长至2022年12月31日。公司......
；氟化氩光刻机光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。 目前来说，光刻机共经历了六代的发展，从最早的436nm波长，再到第二代光刻机开始使用波长365nm i-line，第三......
众多研究者在157nm浸入式光刻面前踌躇不前时，时任TSMC资深处长的林本坚提出了193nm浸入式光刻的概念。在157nm波长下水是不透明的液体，但是对于193nm的波长则是几乎完全透明的。并且水在193nm的折......
集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。 光模块作为新一代移动通信技术（F5G/6G）的硬件底座，是实现光信号传输过程中光电转换和电光转换功能的光电......
ASML摊牌了：可远程瘫痪台积电光刻机;“阿斯麦和台积电有能力瘫痪制造芯片的机器。”昨日，外媒一篇报道中，阿斯麦（ASML）向荷兰官员保证，可以远程瘫痪（remotely disable）相应......
高额的价格并不是它最大的问题。 EUV最大的问题是电能消耗。其电能消耗是传统193nm光刻机的10倍，因为极紫外光的波长仅有13.5nm，投射到晶圆表面曝光的强度只有光进入EUV设备光路系统前的2......
中科院中紫外光刻设备研制成功，国产光刻机有望突破; 来源：内容来自 中科院网站 ，谢谢。 近日，一种新型的中紫外直接光刻机由中国科学院光电......
存储市场吹响EUV光刻机集结号;AI浪潮下，存储市场DRAM芯片正朝着更小、更快、更好的方向发展，EUV光刻机担当重任。三大DRAM原厂中有两家已经引进EUV光刻机生产DRAM芯片，美光......
挑战 EUV！佳能发布新型 2nm 光刻机; 最新消息，近日(Canon)发布了一个名为 FPA-1200NZ2C 的纳米压印半导体制造设备，号称通过纳米压印光刻(NIL)技术......
大幅增加。 所谓i线也就是光源来自波长365nm的水银灯，和EUV光刻机使用的13.5nm波长激光等离子体光源区别明显。 按照的说法，除芯片精细化以外，封装......
胶。其中，半导体光刻胶约占27%，LCD光刻胶和PCB光刻胶分别各占24%，其他光刻胶产品占据25%。本文重点讨论半导体光刻胶。 半导体光刻胶主要通过不断缩短曝光波长，从最......
量测速度和准确度，可以满足3纳米制程的要求。与以前的系统相比，主要的增强功能包括更快的工作台和更快的波长切换，这可以实现高精度的套准测量和使用多个波长的设备匹配。 ASML预计，下一代EUV光刻机......
所说的X射线光刻机利用的是硬X射线，这也是无掩模光刻中的一种。 科普一下：X射线又称伦琴射线，是一种波长介于紫外线与γ射线之间的电磁波，波长约为0.01~10nm，其能量范围为100eV-100......
，13.5nm）光刻，电子束光刻等六个阶段，随着光刻技术发展，各曝光波长的光刻胶组分（成膜树脂、感光剂和添加剂等）也随之变化。 光刻技术及光刻材料的发展 根据反应机理和显影原理，可以将光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻......
长光华芯氮化镓子公司再获融资;10月24日，镓锐芯光宣布完成数千万元天使轮融资，本轮融资由产业资本领投，华泰紫金旗下苏州华泰华芯太湖光子产业投资基金合伙企业（有限合伙）（以下简称“光子基金”）跟投......
长光华芯拟投资10亿元新建先进化合物半导体光电子平台项目，计划2023年开工;12月27日，长光华芯发布公告称，公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司（以下简称“研究院”）与苏......
-NA光刻机？ 从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上舞台，为制造更小、更精......
ASML首席技术官：明年交付首台High-NA EUV光刻机;据外媒Bits & Chips报道，ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示，目前......
迫于美国限制禁令的压力限制了与半导体有关的先进技术，荷兰政府的该项法令导致 ASML 不得不申请出口许可才能被允许出口自己的先进光刻机系统。 DUV 和 EUV 都被用于半导体芯片制造中的光刻技术，分别代表“深紫外光”(Deep......
装置基础上进行了优化，进而达到匀光的目的。 EUV光刻机的中文名字就叫极紫外光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术，可使曝光波长一下子降到14纳米以下的特征尺寸。 但问题是EUV光刻机......
发和量产上都需要企业的长期技术积累。此外在产品送样前，光刻胶生产商还需要购置光刻机用于内部配方测试，根据验证结果调整配方。 根据曝光波长的不同，光刻胶可以分为g线、i线、KrF、ArF以及EUV光刻胶5大类别，其中g线、i线一......
满足集成电路发展的需求，光刻胶通过缩短曝光波长、提高极限分辨率，来满足不断精进的光刻技术需求。 不同的光刻胶产品适用于不同的光刻机，从光刻机的发展历程来看，以光源的来区别大致有g线-i线-KrF-ArF......
主要被用于45nm以下成熟制程的生产。 依据ASML在声明中所言，主要关注成熟制程的客户，使用不太先进的浸没式光刻工具也能够得到很好的服务。 TWINSCAN NXT: 2000i 是ASML生产的一款用于半导体制造的光刻机......
证监会同意激光芯片企业长光华芯科创板IPO注册;3月1日，中国证监会网站显示，中国证监会同意苏州长光华芯光电技术股份有限公司（以下简称“长光华芯”）首次公开发行股票注册。 长光......
Electronics 2021, 4, 645–652]。图1为器件的工作原理示意图。在固定偏压下，该器件在两种不同波长光的照射下展现出独特的光电流极性反转现象：在254nm光照下光电流为负电流，而在......
全球唯一量产EUV光刻机的厂商，包括台积电、三星、英特尔的先进制程都要依赖EUV光刻机来生产。现阶段，每台光刻机的单价将近1.5亿美元。不过，ASML的EUV光刻机目前出货的是使用光源波长在13.5nm......
目前看来硅光芯片也许在未来一段时间内不会全面代替传统的芯片，但是在领域，很可能是未来的主流产品类型。特别是对于我国来说，在先进制程的芯片制造领域频频被西方世界“卡脖子”的情况下，芯片很有可能是绕过光刻机，实现换道超车的“出路”之一。本文......
、外延生长、沉积等环节发挥着重要作用。 在光刻过程中，则有特定需要的光刻气，该类气体可使光刻机产生深紫外激光。据悉，光刻气在腔体内受高压激发后，由于电子跃迁，产生了一定波长的光，不同的光刻气和电压可产生不同波长......
将于明年年底推出初始版本，量产型号将于2024年底或2025年初推出。 相比DUV浸没式光刻机采用193nm波长的深紫外光，EUV光刻系统中使用的极紫外光波长仅为13.5nm。EUV单次曝光就可以替代DUV的多......
同时实现大视场与高解像力曝光 佳能发布半导体光刻机新品;同时实现大视场与高解像力曝光 佳能发布半导体光刻机新品 不仅能够应用于全画幅CMOS传感器等各种器件的制造 还可应用于逐渐兴盛的XR器件......
南大光电：已建成2条ArF光刻胶生产线，ASML光刻机已投入使用;近日，南大光电在业绩说明会上表示，公司已建成2条ArF光刻胶生产线。ArF光刻胶产品开发和产业化项目，目前已完成25吨光刻......
融化的锡液，一对激光束照射每一滴液体产生等离子体，释放出更短的波长，超高精度的反射镜引导光线......7纳米极紫外线光刻机，分为13个系统，3万个分件，作动......
购了这家名为Berliner Glas的工厂。 晶圆代工厂疯抢光刻机设备 光刻机是一种制造芯片的关键设备，利用特定波长的光进行辐射，将掩膜版上特定的图像精准的印刻在硅片上。目前，光刻机......
ASML确认！荷兰管制新规将影响这几种型号光刻机出口; 当地时间6月30日，荷兰政府正式颁布了有关先进半导体设备的额外出口管制的新条例。正如其在今年3月发布的消息中所述，这些......
ASML首台High-NA EUV光刻机或将于年底前交付;据路透社报导，全球光刻机大厂ASML CEO Peter Wennink表示，尽管有些供应商遇到了一些阻碍，但今......
来源：国家信息光电子创新中心（NOEIC） Part.2 破局第二篇：半导体光刻胶/器件 新型半导体性光刻胶 复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队设计了一种新型半导体性光刻......
华为旗下哈勃投资公司入股光刻机制造商科益虹源;据企查查工商信息，近日，华为旗下的哈勃投资公司开始投资光刻机领域，入股了由中科院微电子所控股的科益虹源公司。 6月2日，北京科益虹源光电......
能芯片产线。 项目总投资5亿元，由苏州高新区与苏州长光华芯光电技术股份有限公司（以下简称“长光华芯“）合作共建，于2020年3月开建，占地面积近2.3万平方米，建筑面积5万平方米。项目投用后，将使长光......
先进芯片的生产良率。 蔡司还计划到2026年投资480亿韩元在韩国建设研发中心，加强同三星等韩企的战略合作。 资料显示，蔡司是光学与光电解决方案开发商，也是光刻机大厂ASML EUV光刻机......
也是唯一的EUV光刻机的供应商。 由于EUV光刻系统中使用的极紫外光波长(13.5nm)相比DUV 浸入式光刻系统(193 nm)有着显着降低，多图案 DUV 步骤可以用单次曝光 EUV 步骤......
此基础上开发了ArF版本，以支持波长更短的新型光刻机。 封面图片来源：拍信网......
纳米压印光刻，能让国产绕过 ASML 吗;自从国产替代概念兴起，很少关注半导体行业的人都对有所耳闻。目前，全世界最先进的芯片，几乎都绕不开 ASML（阿斯麦）的 DUV（深紫外）和 EUV（极紫......
同时实现大视场与高解像力曝光 佳能发布半导体光刻机新品;不仅能够应用于全画幅CMOS传感器等各种器件的制造还可应用于逐渐兴盛的XR器件制造领域佳能将于2023年3月13日发售面向前道工序的半导体光刻机......
和挑战并存。当前，国家的产业政策支持为长光华芯光电技术股份有限公司(以下简称“长光华芯”)的发展提供了良好的政策环境;下游产业的发展需求为长光华芯的发展提供了直接支撑。 但是......
高性能模拟芯片生产线...详情请点击 光刻机巨头ASML扩产 面对全球芯片短缺，英特尔、台积电、三星等全球主要的半导体制造商纷纷扩大产能。 3月29日，据路透社消息，全球光刻机......

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