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中国科学家在锗锡材料分子束外延方面取得重要进展(2022-07-06)
中国科学家在锗锡材料分子束外延方面取得重要进展;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是该团队在锗锡材料外延生长取得进展后,在锗锡......
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全新ZVS 升降压稳压器的工作温度可低至-55℃,适用于恶劣环境的应用(2020-03-09)
+115℃ 的更大工作温度范围并可选锡铅 BGA 封装。PI3740 是一款高密度、高效率的升降压稳压器,支持 8 至 60V 的输入电压范围以及 10 至 50V 的输出电压。该器......
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长庚金晶半导体级高纯硅材料项目开工(2024-04-15)
长庚金晶半导体级高纯硅材料项目开工;据朔州日报消息,4月11日,长庚金晶半导体级高纯硅材料项目在朔州低碳硅芯产业园区举行开工仪式。
根据报道,长庚......
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传日本更可能实施对光刻/薄膜沉积设备的出口管制(2023-08-28)
涂层和开发相关的设备,以及用于EUV设备的空白或预曝光掩膜的检查设备。
值得注意的是,在刻蚀设备方面,Eric Chen指出,日本对硅锗(SiGe)的湿法刻蚀和干法刻蚀设备都有限制。相比之下,对于......
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Teledyne e2v发布针对航空航天领域的新型多核处理器(2021-04-16)
Teledyne e2v发布针对航空航天领域的新型多核处理器;为满足航空电子和航天领域客户的需求,Teledyne e2v独家提供经过锡铅处理并完全通过认证的QorIQ 。
多核T4240单元......
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全新ZVS升降压稳压器工作温度可低至-55°C,适用于计算、通信、工业、汽车等领域(2020-03-16)
+115°C 的更大工作温度范围并可选锡铅 BGA 封装。PI3740 是一款高密度、高效率的升降压稳压器,支持 8 至 60V 的输入电压范围以及 10 至 50V 的输出电压。该器......
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英特尔、三星和台积电演示3D堆叠晶体管,三大巨头现已能够制造互补场效应晶体管(C(2023-12-18)
电也设法达到工业相关的48纳米。该设备的特点包括一种在顶部和底部设备之间形成介电层的新方法,以保持它们的隔离。纳米片通常由硅和硅锗的交替层形成。在制程的适当步骤中,硅锗专用刻蚀方法去除该材料,释放硅纳米线。为了......
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英特尔、三星、台积电展示下代CFET架构(2023-12-22)
是成对晶体管使用单nm片。
台积电与三星一样,设法将栅极间距控制在48纳米,CFET解决方案特点包括一种顶部和底部晶体管间形成介电层的新方法,以保持间距。 纳米片通常由硅和硅锗的交替层形成,台积电尝试硅锗......
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SMT用于制作BGA的PCB板有哪些要求?(2024-11-08 07:07:34)
热风将多余的焊料吹离或整平,该工艺由此得名。HASL是印制板经历的第一次热应力冲击。当印制板结束此工艺之后,
任何湿润或不湿润的迹象都会立即显现出来。
1)锡铅热风整平
锡铅......
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PCB线路板流程术语中英文对照(2024-12-10 19:05:32)
水平电镀(Horizontal Electro-Plating) (Panel Plating)f-2 锡铅电镀( Tin-Lead Plating ) (Pattern Plating)f-3 低于1......
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陕西延安:2023年新能源装机达3.73GW(2024-03-04 10:28)
能源资源就地转化,依托延长石油、陕煤等链主企业,推进千万吨炼化一体化、黄陵碳硅新材料、子长100万吨洗中煤、安塞70万千瓦压缩空气储能电站等项目前期,加快大唐延安富县电厂等4个火电项目二期、陕皖......
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Vicor推出两个新的ZVS降压稳压器PI3323和PI3325(2020-07-10)
Vicor推出两个新的ZVS降压稳压器PI3323和PI3325;Vicor发布了两个新的ZVS降压稳压器PI3323和PI3325,其扩展的工作温度范围为–55至+ 120°C,并可选配锡铅10......
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ADL5371数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:47)
两个差分基带输入和一个单端本振,并生成单端输出。
ADL5371采用ADI公司高级硅锗双极工艺制造。它采用24引脚裸露焊盘LFCSP无铅封装,工作温度范围为-40°C~+85°C。可提供无铅评估板。
应用......
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IPC标准解读:IPC-4554印刷电路板浸镀锡规范(2024-11-26 07:25:32)
处理的替代方案,以替代传统的非共面光洁度,如锡铅HASL光洁度。IPC-4554规范特别关注浸没镀锡(ISn)这种表面处理工艺,旨在确保其焊接性能的可靠性和可重复性,并解......
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ADL5724数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:14)
ADL5724数据手册和产品信息;ADL5724是一款针对微波无线链路接收器设计的窄带、高性能、低噪声放大器。单芯片硅锗(SiGe)设计在12.7 GHz至15.4 GHz频率......
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ADCLK914数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:04)
ADCLK914数据手册和产品信息;ADCLK914是一款采用ADI公司专利的互补双极性(XFCB-3)硅锗(SiGe)工艺技术制造的超快型时钟/数据缓冲器。ADCLK914具备......
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MAX3841数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:48)
与输出具有隔离的VCC连接,允许与1.8V、2.5V或3.3V CML IC直接耦合。全差分信号通道与Maxim第二代硅锗技术提供了最佳的信号完整性、最低的抖动、串扰与信号偏差。MAX3841是串行OC......
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ADL5721数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:51)
ADL5721数据手册和产品信息;ADL5721是一款针对微波无线链路接收器设计的窄带、高性能、低噪声放大器。单芯片硅锗(SiGe)设计在5.9 GHz至8.5 GHz频率......
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“双碳”AI赋能 能源“鑫”科技 晶泰科技与协鑫集团签署战略合作协议(2024-08-29 12:48)
器人自动化领域领先的创新优势,为协鑫提供钙钛矿、超分子、锂离子电池、正极材料、碳硅材料等领域高科技新能源材料研发的订单化服务,携手开发一系列具有行业竞争力和工业应用潜力的差异化新材料。同时,晶泰......
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“双碳”AI赋能 能源“鑫”科技 晶泰科技与协鑫集团签署战略合作协议(2024-08-30 08:45)
器人自动化领域领先的创新优势,为协鑫提供钙钛矿、超分子、锂离子电池、正极材料、碳硅材料等领域高科技新能源材料研发的订单化服务,携手开发一系列具有行业竞争力和工业应用潜力的差异化新材料。同时,晶泰......
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"双碳"AI赋能 能源"鑫"科技 晶泰科技与协鑫集团签署战略合作协议(2024-08-29)
科技将凭借其在人工智能(AI)与机器人自动化领域领先的创新优势,为协鑫提供钙钛矿、超分子、锂离子电池、正极材料、碳硅材料等领域高科技新能源材料研发的订单化服务,携手开发一系列具有行业竞争力和工业应用潜力的差异化新材料。同时......
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ASML确认!荷兰管制新规将影响这几种型号光刻机出口(2023-07-02)
);
• 可以使晶体管势垒高于4.0ev的金属材料。
3B001.a.4:用于硅(Si)、碳掺杂硅、硅锗(SiGe)或碳掺杂硅锗(SiGe)这几种材料外延生长的设备,具有......
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ADCLK954数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:48)
ADCLK954数据手册和产品信息;ADCLK954是一款采用ADI公司专有的XFCB3硅锗(SiGe)双极性工艺制造的超快型时钟扇出缓冲器。这款器件设计用于要求低抖动性能的高速应用。
该器......
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ADRF6720-27数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:15)
等功能。
ADRF6720-27采用先进的硅锗BiCMOS工艺制造, 提供40引脚、裸露焊盘、符合RoHS标准的6 mm x 6 mm LFCSP封装。 额定温度范围为−40°C至+85°C。
应用......
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ADF41513数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:56)
)。
ADF41513 的设计基于高性能硅锗 (SiGe) 双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺,可实现 −234 dBc/Hz 的归一化相位本底噪声。相位频率检波器 (PFD) 的工作频率高达 250......
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5nm的晶体管会是什么样子?(2016-11-11)
五族材料的迁移特性比硅高,但这些特殊材料面临缺陷和可靠性的问题。因此一个简单的做法是使用Si或者SiGe。硅锗对比于锗和三五族半导体,其优势是很明显的。IMEC的逻辑设备和集成主管Dan Mocuta表示......
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一批产业前沿技术或颠覆性技术,抢占战略新兴产业发展制高点。
绿色综合利用。重点支持硅锗等半导体材料、稀贵及有色金属二次资源高效回收利用,强化资源利用效率并降低原材料成本,推动全省新材料产业绿色低碳的可持续发展。
封面......
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ADA4927-1数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:41)
器件还具有更低的功耗。
ADA4927-1/ADA4927-2采用ADI公司专有的硅锗(SiGe)互补双极工艺制造,具有极低的失真度,输入电压噪声仅为1.3 nV/√Hz。ADA4927-1......
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ADMV1014数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:36)
ADMV1014数据手册和产品信息;ADMV1014是一款采用硅锗(SiGe)设计的宽带、微波下变频器,针对点到点微波无线电设计进行优化,工作频率范围为24 GHz至44 GHz。
该下......
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1纳米以下制程重大突破!台积电等研发出“铋”密武器(2021-05-18)
及存储器的发展。未来,在关键工艺上实现碳硅融合也将是我国取得竞争优势的重要砝码。
封面图片来源:拍信网......
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TÜV南德授予协鑫科技组织碳核查声明(2024-06-07)
完善环境管理体系与目标,加强环境风险防控。以颗粒硅低碳硅基材料为基础,推进全球清洁能源产业创新升级和技术革命,全面探索低碳能源与清洁能源解决方案。此次TÜV南德......
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下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
)
据IEEE报道,来自IMEC的Hans Mertens研究小组,使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管,未来经过技术改进有可能投入量产。该团队使用硅锗......
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下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
)
据IEEE报道,来自IMEC的Hans Mertens研究小组,使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管,未来经过技术改进有可能投入量产。该团队使用硅锗......
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天线内置毫米波雷达极具成本、尺寸与性能优势,或降维打击超声波和红外方案(2023-01-08)
天线内置毫米波雷达极具成本、尺寸与性能优势,或降维打击超声波和红外方案;
随着集成度的提高,雷达模块成本不断下降,相比砷化镓工艺雷达,硅锗工艺雷达成本能下降一半,而加......
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功率半导体:锗和 SiGe 可能获得另一次机会(2023-01-12)
大多数固态设备都是硅基的。锗的电子应用仅限于少数专用硅锗 (SiGe)
器件,但它肯定不是主流工艺,尽管这种化合物的载流子迁移率可能是标准硅的两到三倍。
您仍然可以从 NTE Electronics 等供......
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尚未获得监管部门批准,英特尔收购Tower半导体交易推迟(2023-03-24)
图像传感器、硅锗和工业传感器等专业技术方面拥有深厚的专业知识。近年来,因传统垂直IDM商业模式不断遭到侵蚀和挑战,英特尔一直在寻求芯片代工服务,收购Tower Semiconductor正符......
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毫米波雷达代表企业,获国家级产业基金投资!(2024-07-03)
兰成功量产全球首个汽车级CMOS工艺77/79GHz毫米波雷达射频前端芯片,相比传统硅锗工艺成本降低50%以上,率先实现在汽车前装市场的突破。2019年,加特兰又率先推出集成雷达信号处理基带加速器的SoC芯片......
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ITRI Pub#580:SMT所使用的锡与锡合金的金相学解读(2024-11-13 06:39:18)
添加元素的不同,锡合金可以分为多种类型,如锡铅合金、锡铜合金、锡镍合金等。这些合金在成分、结构和性能上各具特点,因此具有广泛的应用领域。
锡铅合金:是最......
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TUV南德授予协鑫科技组织碳核查声明(2024-06-07 08:51)
科技宋贇波表示:“协鑫科技始终秉承绿色可持续发展理念,持续完善环境管理体系与目标,加强环境风险防控。以颗粒硅低碳硅基材料为基础,推进全球清洁能源产业创新升级和技术革命,全面探索低碳能源与清洁能源解决方案。此次......
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TÜV南德授予协鑫科技组织碳核查声明(2024-06-06)
全价值链减碳的战略雄心和使命担当。
颁证仪式中,协鑫科技宋贇波表示:“协鑫科技始终秉承绿色可持续发展理念,持续完善环境管理体系与目标,加强环境风险防控。以颗粒硅低碳硅基材料为基础,推进全球清洁能源产业创新升级和技术革命,全面......
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恩智浦推出4通道双极化模拟波束赋形器,有效提高5G毫米波可靠性(2022-06-17)
双极化模拟波束赋形器MMW9012K和MMW9014K,以及一个天线系统开发套件。这两款模拟波束赋形器都采用恩智浦的硅锗(SiGe)技术,支持双极化,能够提升5G毫米波解决方案的可靠性,提高集成度,缩小5G基站......
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BGA在SMT生产组装⼯艺中有哪些工艺控制重点?(2024-11-14 06:36:27)
量的重要性
对于塑封BGA,其大部分焊膏是由元件本身的焊球提供的,此时焊膏量并不是那么关键。对于节距超过0.80mm的
塑封BGA(锡铅或无铅配方),模板......
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一文读懂自动驾驶雷达传感器应用设计方案(2023-04-13)
波频率随着时间的推移而变化,接收器不断地打开。为了防止发射信号泄漏到接收器中,必须使用单独的发射和接收天线。
BGT24MTR12 是一款用于信号生成和接收的硅锗 (SiGe) 传感器,工作频率为 24.0 至 24.25......
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预防波峰焊接对正⾯BGA的影响, BGA印制电路板组装设计需考量哪些?(2024-11-10 21:37:38)
电路板的正⾯再流
大部分可供使
用的无铅焊料(包括常见的锡银铜焊料)的熔
点比共晶锡铅焊料高。因此,当对已经再流、
正面贴有无铅元器件的组件进行波峰焊接时,
正面发生再流的风险大大降低。对于......
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MIT黑科技:让芯片自己组装自己 轻松实现7纳米(2017-03-29)
晶体管科技发展蓝图与挑战图片来源:Applied Materials(2013)
III-V族、硅锗材料呼声高然物理挑战艰钜
改变信道材料亦是增加IC运算性能与降低功耗的选项之一,晶体......
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影响SMT BGA可靠性的关键因素有哪些?(2024-11-25 08:10:43)
组装厂仍旧会使用共晶锡/铅焊膏
按照锡/铅再流焊曲线焊接无铅元器件。锡/铅
元器件明显更适合此类情况,但是元器件供应
商可能出于经济原因,不会为同一器件运行两
条元器件线,一条为锡/铅另一条无铅。由锡铅......
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imec展示单片式CFET功能组件 成功垂直堆栈金属接点(2024-06-22)
/硅锗(SiGe)多层堆栈进行调整;这套模块可以实现内衬层的共整合—内衬层是奈米片结构的特有特色,用来隔绝闸极与源极/汲极。
比利时微电子研究中心(imec)CMOS组件技术计划主持人Naoto......
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“碳”寻阿特斯高效组件的低碳之路(2024-09-03 14:11)
电量约80万kwh/月。
案例二:阿特斯在行业内首家实现接线盒激光焊接工艺的批量应用。通过优化接线盒的焊接工艺,可有效减少锡铅用量约2.2吨/线/年,同时可减少焊接废气约50%以上......
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英飞凌推出新一代车用雷达CMOS收发器MMIC CTRX8181(2022-11-10 10:20)
凌科技股份公司在雷达模块市场上的领先地位已超过15年,并且是雷达单片微波集成电路(MMIC)TOP 1制造商。英飞凌开创了收发器集成(将发射器与接收器集成至同一芯片中)的先河,并在2009年推出了全球首款基于硅锗(SiGe)技术......
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SMT BGA维修步骤与工艺管控要点(2024-11-22 07:13:07)
以保持板子翘曲最小
化。这些要求总结在表1(针对锡铅)和表2
(针对无铅)。注意不要使预热温度接近120°C,
因为这通常是某些助焊剂典型的活化温度。如
果发生这种情况,助焊剂则会在需要前就发生活化,造成......
相关企业
制造、电讯等行业。 公司目前主要有四大系列产品,一、焊锡膏系列:有铅焊锡膏(锡铅焊膏、锡铅银焊膏);无铅焊锡膏(锡银铜焊锡膏、锡铋及锡铋银低温焊料等);二、助焊剂系列:免清洗助焊剂、无铅环保型助焊剂、无卤
;连灿展;;本公司是生产各种无铅锡条,无铅锡线及有铅焊锡线、焊锡条、电镀专用阳极棒、锡粒、锡铅合金等产品的专业厂家,在广东地区具备一条龙生产,公司拥有自己的钎焊.工程师,技师,
;东莞市联辉锡业责任有限公司;;联辉锡业有限公司成立於1990年,是生产各种无铅,有铅焊锡线、焊锡条、锡铅合金、电镀专用各种阳极板、纯锡板、锡球以及各种电子化工等产品的专业厂家,本
;秦皇岛华宇冶金新材料有限责任公司;;脱氧剂系列(转炉+电炉): 铝钙碳、铝硅锰、硅钙碳、铝钙、铝铁、铝锰钛镁(合金)。 合金添加剂系列(转炉+电炉): 碳硅锰合金、锰铁合金。 增碳剂系列(转炉
;富川焊锡;;富川公司建于2003年,发展至今已成为集研发,生产,销售及服务于一体之合金焊料专业企业.为众多电了产品制造提供:锡铅焊料,环保无铅合金焊料,助焊剂以及与其相配套的电子焊接工艺,应用方案等一条龙服务。
;深圳市嘉义诚实业有限公司;;我公司创建于1990年,从事五金电子配件配套,1995年先后在苏州及深圳开办电镀厂,专业加工镀金、镀银、白钢、镀镍、无电沉镍、镀不锈钢、镀纯锡、锡铅合金等。品质高、交货
;北京有痕硅锗半导体材料有限公司;;我公司生产销售6N太阳能多晶硅(1800元/kg),5N二氧化锗(6800元/kg),50欧姆.CM的区熔锗锭(9200元/kg),单晶锗(15400元/kg
;东莞市粤成锡业;;粤成锡业有限公司成立于2005年,是生产焊锡线、焊锡条、锡铅合金、电镀专用各种阳极板、纯锡板、锡球以及各种电子化工等产品的专业厂家,在广东地区是唯一一家具备一条龙生产,也是
面积6000平方米,建筑面积5000平方米,包括各自独立的锡铅焊料熔铸车间,无铅焊料熔铸车间,锡铅焊料制丝车间。 本公司焊锡产品包括:系列无铅焊料,系列锡铅焊料。 本公
;南京奥康分析仪器有限公司;;南京奥康分析仪器有限公司是分析仪器、化验仪器、碳硅仪、热分析仪、元素仪、碳硫分析仪、炉前铁水化验仪器等产品专业生产加工的有限责任公司,公司总部设在南京高淳镇兴路126号