特性
- 宽带RF输入频率范围:24 GHz至44 GHz
-
2种下变频模式
- 从RF至基带I/Q直接变频
- 镜像抑制下变频为复中频
- LO输入频率范围:5.4 GHz至10.25 GHz
- LO四倍频器较高可达41 GHz
- 匹配50 Ω、单端RF输入和复中频输出
- 匹配100 Ω平衡或50 Ω单端LO输入之间的选项
- 具有可调输出共模电压电平的100 Ω平衡基带I/Q输出阻抗
- 镜像抑制优化
- 用于设置混频器输入功率的平方律功率检波器
- 用于接收器功率控制的可变衰减器
- 可通过四线式SPI接口编程
- 32引脚、5 mm × 5 mm LGA封装
ADMV1014是一款采用硅锗(SiGe)设计的宽带、微波下变频器,针对点到点微波无线电设计进行优化,工作频率范围为24 GHz至44 GHz。
该下变频器提供两种频率转换模式。该器件能够从正交解调直接变频为基带IQ输出信号,并从镜像抑制下变频为复中频输出载波频率。基带输出可采用直流耦合,或更典型的是,IQ输出将使用足够低的高通转折频率进行交流耦合,以确保充足的解调精度。SPI接口可对正交相位进行微调,使用户能够优化IQ解调性能。另一方面,可以禁用基带IQ输出,且I/Q信号可通过片内有源巴伦提供两个单端复中频输出(800至6000MHz)。用作镜像抑制下变频器时,不需要的镜像项通常会被抑制,比所需边带低25dBc。ADMV1014提供灵活的LO系统,包括LO输入频率范围高达47 GHz的频率四倍选项,以覆盖24至44GHz的RF输入范围。提供平方律功率检波器,以便监控混频器输入端上的功率电平。检波器输出可用于通过外部运算放大器误差积分器电路选项提供对RF输入可变衰减器的闭环控制。
ADMV1014下变频器采用紧凑的散热增强型、5 mm × 5 mm倒装芯片CSP封装。ADMV1014工作壳温范围为−40°C至+85°C。
应用
- 点对点微波无线电
- 雷达、电子战系统
- 仪器仪表、自动测试设备(ATE)
解决方案设计及宣传手册 1
器件驱动器 2
产品选型指南 1
Thought Leadership Page 1
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产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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ADMV1014ACCZ | 32-Lead LGA (5mm x 5mm) |
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ADMV1014ACCZ-R7 | 32-Lead LGA (5mm x 5mm) |
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器件驱动器
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部分模型 | 产品周期 | 描述 | ||
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LDO+ 1 |
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推荐新设计使用 |
20V、200mA、超低噪声、超高 PSRR RF 线性稳压器 |
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标准高速模数转换器 1 |
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推荐新设计使用 |
14 位、3GSPS、JESD204B、双通道模数转换器 |
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单通道电压输出数模转换器 1 |
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量产 |
2.7 V至5.5 V、<100 µA、8位nanoDAC®,集成SPI接口,采用LFCSP和SC70封装 |
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微波和毫米波Tx/Rx 2 |
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推荐新设计使用 |
800 MHz - 4000 MHz中频接收器
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推荐新设计使用 |
800 MHz - 4000 MHz中频发射器 |
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小数N分频PLL 6 |
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推荐新设计使用 |
带集成 VCO 的微波宽带频率合成器 |
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推荐新设计使用 |
带集成 VCO 的微波宽带合成器 |
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过期 |
带集成 VCO 的微波宽带频率合成器 |
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最后购买期限 |
8 GHz 19位小数N分频PLL |
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推荐新设计使用 |
集成 VCO 的微波宽带合成器 |
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推荐新设计使用 |
集成VCO的微波宽带频率合成器 |
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正线性稳压器(LDO) 4 |
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推荐新设计使用 |
6.5 V、2 A、超低噪声、高 PSRR、快速瞬态响应 CMOS LDO
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推荐新设计使用 |
6.5 V、500 m A、超低噪声、高 PSRR、快速瞬态响应 CMOS LDO |
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推荐新设计使用 |
20 V、300 mA低噪声CMOS LDO |
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推荐新设计使用 |
20V、500mA、超低噪声、超高 PSRR 线性稳压器 |
评估套件 1
EVAL-ADMV1014
ADMV1014 评估板