资讯
台积电前研发副总林本坚：美国试图限制中国进步是徒劳的(2023-10-30)
技术方面取得进步，并表示中国应该能够利用现有设备继续推进到下一代的5nm制程工艺。
报道称，华为新推出全新基于国产先进制程工艺的麒麟处理器震惊了美国，证明了中国厂商可以使用现有的旧机器制造更复杂的芯片......
5nm手机芯片功耗过高，先进制程只是噱头?(2021-02-10)
5nm手机芯片功耗过高，先进制程只是噱头?;功耗是芯片制造工艺演进时备受关注的指标之一。比起7nm工艺节点，5nm工艺可以使产品性能提高15%，晶体管密度最多提高1.8倍。三星猎户座1080、华为......
1nm芯片采用比2nm芯片更先进的工艺，将会用到铋电极的物质(2023-01-28)
nm制造工艺是什么概念?
芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm来表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm制造工艺......
5nm手机芯片功耗过高 先进制程只是噱头？(2021-02-03)
5nm手机芯片功耗过高 先进制程只是噱头？;功耗是芯片制造工艺演进时备受关注的指标之一。比起7nm工艺节点，5nm工艺可以使产品性能提高15％，晶体管密度最多提高1.8倍。三星猎户座1080、华为......
芯片制造工艺黑科技再现，那么中国是如何在限制下实现芯片自给自足？(2022-11-29)
芯片制造工艺黑科技再现，那么中国是如何在限制下实现芯片自给自足？;
在日本研发成功无需光刻机的NIL工艺之后，近日美国一家企业Zyvex Labs
也宣布推出无需的，并且制造工艺......
1纳米以下制程重大突破！台积电等研发出“铋”密武器(2021-05-18)
台湾大学团队并运用氦离子束微影系统将元件通道成功缩小至纳米尺寸，最终这项研究成果获得了突破性的进展。
中国台湾大学在14日指出，目前，半导体主流制程主要采用硅作为主流材料。然而，随着摩尔定律不断延伸，芯片制程不断缩小，芯片......
2nm之战，英特尔能否抢占先机？(2022-11-16)
率先推出7nm、5nm乃至2nm工艺。2021年5月，IBM发布了全球首个2nm制造工艺，可用于5G、量子计算和数据中心，并在美国纽约州奥尔巴尼的工厂展示了2nm工艺生产的完整300mm晶圆......
三星拟新设至少10台EUV光刻机：展露要当世界第一的野心(2022-12-27)
重曝光步骤，可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进的工艺推进，同时提升效率和降低曝光成本。
然而，目前芯片制造商已将制造工艺推进到3nm左右，如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需......
半导体制造大PK 工艺or大佬 谁定输赢？(2016-10-23)
单。
虚实相间的工艺节点
实际上，不管是台积电还是三星，他们的芯片制造工艺线宽都没有达到实际的14nm/16nm，台积电客户透露，台积电目前量产的16nm苹果A10处理器，其实......
重振芯片制造，欧、日为何青睐2纳米?(2021-04-02)
的很多技术难以满足要求，产业界需要从器件的架构、工艺变异、热效应、设备与材料等方面综合解决。
欧洲、日本均将重振芯片制造的突破重点放在2nm上，目的显然是希望在技术革新的关键节点导入，实现“换道......
林报告》（McClean report），报告指出，很多半导体公司都在对7nm和5nm节点的制造工艺趋之若鹜，包括高性能微处理器、低功耗应用处理器和其他高级逻辑设备。目前全球领先的芯片制造商工艺......
专利申请显示：特斯拉或实现干电极制造工艺突破(2023-02-08)
专利申请显示：特斯拉或实现干电极制造工艺突破; 特斯拉致力于研发干电池电极制造工艺，但此前相关进展缓慢。据外媒报道，美国专利申请商标局（USPTO）近期公布的一系列专利申请显示，特斯拉或在这一领域取得了突破......
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国(2023-11-07)
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国;
11月6日消息，据彭博社报道，佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10......
“中国芯”面对围追堵截如何破局？先进封装技术或许是最优解(2022-12-20)
、芯片和测试、设备和材料行业。芯片封装测试环节是指芯片制造工艺完成后的封装测试环节，传统封装方式包括DIP、SOP、QFP等。
先进封装是相较于传统封装而言。随着......
2022国产芯片原厂图鉴(2022-12-13)
成为最重要的三大前道设备之一，所以并不是有了光刻机就能造芯片，光刻只是芯片制造工艺流程的中的一个，还需要其他6大前道工艺设备的支撑，其重要程度与光刻机同等重要。误区二：中国最紧迫的是造出光刻机？误区......
7nm物理极限！1nm晶体管又是什么鬼？(2016-10-11)
晶体管集成度相当的情况下，使用更先进的制造工艺，芯片的面积和功耗就越小，成本也越低。
栅长可以分为光刻栅长和实际栅长，其中光刻栅长是由光刻技术所决定的。
由于在光刻中光存在衍射现象以及芯片制造中还要经历离子注入、蚀刻......
台积电已开始安装3nm制程芯片制造设备(2021-08-06)
台积电已开始安装3nm制程芯片制造设备;IT之家8月5日消息根据外媒BusinesssKorea消息，台积电已经领先于三星电子，开始安装3nm制程芯片制造设备。新设备的安装工作在台积电位于中国......
台积电突然接收大量中企7nm芯片订单，张忠谋：我是中国人(2024-02-06 06:19:51)
扩大在国内工厂的规模，对南京工厂等进行产能和工艺提升。
最主要的是，国内芯片制造技术进步很快，14nm工艺的良品率达到了世界领先水准，去美......
半导体行业寒冬将至，国产芯片未来发展值得深思(2024-01-05)
工智能、物联网等则相对落后。在制造工艺方面，国内芯片制造企业与国际先进水平5nm，甚至是3nm的工艺仍有明显差距。此外，在芯片设计领域，国内企业也面临着缺乏核心技术的困境。意识到关键问题的国内芯片......
苹果新款iMac或搭载M3芯片：最早下半年见(2023-03-06)
用与当前型号相同的24英寸显示屏尺寸和颜色选项，内部设计将变更，采用全新的支架制造工艺。
处理器有望搭载即将推出的M3芯片，台积电3nm制程工艺，以提高性能和能效。
据悉，苹果M3......
韩媒：三星二代3nm工艺比4nm快22%，节能34%(2023-05-10)
公布的新信息意义重大，因为这是三星首次将其未来的芯片制造工艺与最初的4nm工艺进行比较。此前，该公司在将其性能与下一代技术进行比较时，以5nm工艺作为基准。三星在去年6月首次生产第一代3nm工艺时，声称与5nm......
预计到2028年，1nm工厂的耗电量就相当于所有代工2.3%的用电量(2022-12-30)
硅原子的这个大小来推算，一旦人类的芯片工艺达到一纳米，基本上就放不下更多的晶体管了，所以传统的硅脂芯片基本上已经达到极限了，如果到了1nm之后还强制加入更多的晶体管，到时芯片的性能就会出现各种问题。
台积电的芯片制造工艺......
国产芯片迎难而上的勇气，凸显强大的技术研发能力(2023-01-18)
行业高度重视的技术，这是因为当前的芯片制造工艺逐渐接近极限，进一步提升芯片制造工艺的难度极大，而成本更是指数级提升，台积电的3nm工艺就延迟量产，由于成本太高，苹果就舍弃了台积电本计划在2022......
研发2纳米芯片需要多少钱？答案是7.25亿美元(2022-12-13)
的成本主要由人力与研发费用、流片费用、IP和EDA工具授权费等几部分组成。同时芯片制造环节涉及到的晶圆厂投资、晶圆制造以及相关设备成本也将会分摊到芯片整体成本之中。
因此，在工艺制程的演进下，半导体芯片......
未来三年内投资 1000 亿美元扩大其芯片制造能力，并计划在 2025 年生产 2nm芯片(2022-12-07)
未来三年内投资 1000 亿美元扩大其芯片制造能力，并计划在 2025 年生产 2nm芯片;
1nm芯片指的是采用1nm制程的芯片。芯片采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容......
实现自主可控的14nm，把握后摩尔时代的芯片挑战和机遇(2021-09-01)
工程院院士吴汉明指出，后摩尔时代，产业技术发展趋缓，但另一方面，对于中国，创新的空间和追赶机会正在增加。
吴汉明认为，当前芯片制造工艺面临三大挑战：
第一，图形转移的挑战，当下主要先进工艺都是用波长193nm......
ASML今年下定了几个决心(2022-11-29)
光刻机将芯片制造工艺推进至7nm，国内的芯片封装企业通富微电等又研发了5nm芯粒封装技术，如此国产芯片可望提供接近5nm工艺性能的芯片，对ASML的EUV光刻机需求迫切性下降。
ASML硬气......
产能加速转移，不止5nm，3nm也将转移至美国？(2022-11-28)
电对美国总统拜登也发出了邀请，但拜登暂未回应。张忠谋在美国智库布鲁金斯学会发表谈话时曾表示，美国芯片制造业的扩张并没有足够的人才支持，同时美国制造成本太高，台积电赴美建厂是在美国政府的“敦促”下决......
突破封控！中国推出自有小芯片接口标准，加速半导体自研发(2023-04-07)
突破封控！中国推出自有小芯片接口标准，加速半导体自研发;从整个芯片的发展来看，随着芯片工艺制程提升的难度越来越大，这种叠加的方案，已经逐渐成为了一种主流。特别是5nm以下先进芯片工艺，在制造单芯片......
三星3nm芯片将于Q2开始量产，压力给到台积电、英特尔？(2022-04-30)
也成为欧洲最先进的芯片制造工厂。
据ASML发言人称，更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍，同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺，将极度依赖高NA EUV光刻机。
极紫......
天岳先进：公司8英寸衬底开发进展顺利(2022-09-23)
英寸导电型衬底产业化突破，在前期自主扩径实现8英寸产品研发成功的基础上，加大技术和工艺突破，积极布局产业化。
资料显示，天岳先进是一家宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，主要......
三星目标 5 年内超越台积电，承认 4nm 工艺目前落后两年(2023-05-05)
可能在未来五年内跑赢台积电的想法，源于三星打算从 3nm 制造工艺开始使用 Gate All Around（GAA）技术。相比之下，台积电在达到 200 万产量之前不会使用 GAA。
GAA 是一种生产工艺，可以使三星生产出比台积电目前使用的工艺......
台积电3nm晶圆代工定价20000美元，较5nm价格上涨25%！(2022-11-25)
台积电3nm晶圆代工定价20000美元，较5nm价格上涨25%！;
【导读】11月24日消息，据外媒RetiredEnginener报道称，由于台积电在芯片制造领域占据主导地位，随着......
EUV光刻机缺货问题要持续3年，瓶颈居然是...(2022-05-05)
未来3年内，依赖尖端制造工艺的芯片都将受制于EUV光刻设备的不足（通常是PC、手机以及更多HPC类应用）。作为仅剩的3家尖端制造工艺晶圆厂，Intel可能成为其中最艰难的。前不久就有消息说Intel......
国产光刻机获重大突破，ASML如何应对？(2023-10-19)
改变，但中国芯片制造迅速发展，ASML表示愿意支持并提供技术与设备，甚至EUV光刻机。
然而，当中国取得EUV光刻机突破时，ASML急了，担心破坏全球产业链。20多年过去，中国已量产90nm光刻机，交付......
特斯拉干电极工艺突破：新年四项新专利，助4680电池量产加速(2023-02-06)
特斯拉干电极工艺突破：新年四项新专利，助4680电池量产加速;自从布局4680大圆柱型以来，一直努力研发电池干法电极制造工艺，但进展缓慢。然而，美国专利商标局（USPTO）新年......
国产车与中国芯何时实现“双向奔赴”？(2023-10-06)
到整车系统的完整信息安全监管体系；完善车规级芯片信息安全等级要求，形成信息安全分级标准。
当前，车规级芯片制造标准体系不健全，部分产品缺乏应用测试认证平台，整个车规级产业链的产品制造工艺薄弱等，均是阻碍芯片国产化并实现“上车......
大基金二期投资这家SiC设备厂！(2022-12-07)
五离子注入机研发及产业化项目，实现全系列集成电路离子注入机批量应用，产业化能力达到28nm，面向第三代半导体离子注入机实现批量销售。
由此可见，烁科中科信将成为我国实现电子元器件制造工艺......
2nm工艺时代，台积电的优势在否？(2021-11-29)
术解读文章中已经做过一些分析。后续我们会对3nm在技术层面做进一步的前瞻解析。
但N3以后的发展可能存在更大的不确定性。去年年初，Intel曾在摩根士丹利会议上承认暂时失去在芯片制造工艺方面的优势地位，到5nm时代......
可怕的台积电，一口气买下5台EUV光刻机(2017-01-22)
有报道称三星也购买了ASML公司的量产型EUV光刻机，目的是在2017年加速7nm工艺量产。
EUV是新一代半导体工艺突破的关键，但进展一直比较缓慢，至少比三星、TSMC两家的嘴炮慢得多——早前......
超越Intel成为半导体霸主，三星再投资10亿刀研究4nm(2017-06-29)
今年以Galaxy S8为代表的智能手机上，我们看到了使用10nm工艺制造的骁龙和Exynos处理器，而到了明年，三星将把芯片制造工艺提高到7nm，到了2020年甚至会开始生产4nm工艺的处理器。不过......
南大光电ArF光刻胶产品取得逻辑芯片制造企业55nm技术节点认证突破(2021-06-02)
领域的重要关键材料，可以用于90nm-14nm 甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等）。
ArF光刻......
台积电4年没生产一颗芯片！美国制造业840亿美元项目不顺(2024-08-14)
是最受美国政府和大众关注的，但在美建厂同样很不顺。
今年4月，美国政府宣布，计划向台积电提供66亿美元现金补贴、50亿美元低息贷款，总额116亿美元，支持其在美国本土的芯片制造。
这是美国根据《芯片......
台积电2nm成本飙升将影响AI芯片市场(2023-12-27)
台积电2nm成本飙升将影响AI芯片市场;
【导读】随着2023年即将结束，台积电将面临其领先半导体制造工艺的成本增加。目前台积电量产最先进的工艺是3nm，一份报告显示，未来3nm和2nm......
新一轮超级周期开启，中国半导体产业如何在创新求变？(2023-01-14)
PPAC（性能、功率、面积、成本），芯片在制造工艺上将面临三大挑战。
第一是精密图形。以光刻机为主要装备的工艺，现今主要用波长193纳米形成20纳米、30纳米的图形，技术......
特斯拉干电极工艺突破：新年四项新专利，助4680电池量产加速(2023-02-06)
特斯拉干电极工艺突破：新年四项新专利，助4680电池量产加速;自从布局4680大圆柱型锂离子电池以来，特斯拉一直努力研发电池干法电极制造工艺，但进展缓慢。然而，美国专利商标局（USPTO）新年......
Intel：突破 2nm 以下制程工艺，预计明年量产(2023-03-08)
Intel：突破 2nm 以下制程工艺，预计明年量产;
据业内信息，Intel高级副总裁兼中国区董事长王瑞近日表示，目前已经完成和IFS部门芯片制造所需的Intel 18A (1.8nm)和......
三星发布2nm计划，晶圆代工竞争走向新节点(2021-10-11)
特尔签署联合开发协议，共同研发2nm制造工艺。今年5月，IBM率先发布全球首个2nm制造工艺。实现在芯片上每平方毫米集成3.33亿个晶体管，远超此前三星5nm工艺的每平方毫米约1.27亿晶体管数量，极大地提升了芯片......
NVIDIA Hopper新架构GPU很快流片：首次双芯、非游戏用(2021-07-22)
多处理器，相比A100增加多达2.6倍，同时内部结构也会大改，制造工艺则有望是台积电5nm。
AMD CDNA2/RDNA3、NVIDIA Xe-HP/Xe-HPC也都会是类似的MCM多芯封装，这也是当下新工艺......
泛林集团发布Syndion GP，满足芯片制造商对先进功率器件的需求(2021-12-09)
先进功率器件的路径。Syndion GP可以满足芯片制造商不断增长的需求，同时支持特种技术突破带来的持续创新。”泛林集团的深硅刻蚀产品组合包括经生产验证的200mm DSiE™平台和市场领先的300mm......
相关企业
;上华恒润;;秉承了美国美高森美集团在宇航、医疗及军工等高可靠性应用领域出众且独特的 芯片制造工艺技术。 公司主要生产高可靠性大功率玻璃钝化整流二极管芯片（GPP）、瞬态电压抑制二 极管（TVS
节能环保对未来的发展趋势，擎茂微电子（深圳）有限公司将更专注此类芯片和芯片制造工艺线的研发。期望与所有客户一起创建双赢的未来。
;北京铭志晶微科技有限公司;;北京铭志晶微科技有限公司成立于2018年，是一家专注于半导体一站式服务的企业。公司主要采用CIDM模式，即创建共享共有式整合元件制造公司，整合芯片设计、芯片工艺
;南科集成电子有限公司;;南科集成电子有限公司主要从事 6 英寸 IC 芯片制造，芯片封装、测试和发光二极管（ LED ）的制造.主要产品:IC裸片,消费类IC,MOS管,LDO电源管理IC,LED.
;深圳市专芯光电科技有限公司;;中为LED芯片原厂稳定供应： 7＊9 8＊10紫光圆片（做F5圆头亮度150以上.波长基本上都在390-395-400.集中5NM，良率99以上，IR均已挑选） 12
;扬州杰利半导体有限公司;;扬州杰利半导体有限公司主要由扬杰电子科技有限公司投资建立的半导体芯片制造工厂，公司成立于二零零九年五月，总设计月产能15万片4英寸半导体芯片。所用设备主要是从美国、日本
术的规模化生产，其中25um超薄芯片制造工艺技术、25um超薄芯片堆叠工艺技术、高密度金丝/铜丝键合技术、微小型集成系统基板工艺技术（MIS）、高密度铜柱凸块工艺技术已达到国际先进水平，拥有
elpida;尔必达;;尔必达（ELPIDA）是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商，主要生产DRAM颗粒，并且自己制造原产的ELPIDA内存条.Elpida在欧美市场以提供高品质的DRAM类产
复、TVS管、桥堆。 公司与MOS芯片生产商、二极管专业制造商以及汕头华汕电子等芯片制造、封装制造商保持着密切的合作关系，采用先进的生产技术，集中了一批管理经验丰富的专业人才。完备的工艺
;深圳市欧科科技发展有限公司;;欧科现为Micron、STARRAM、SPECTEK、DOKIN（中芯国际）、SPANSION等国际著名芯片制造商在中国地区的增值代理商。客户遍及PC板卡、VCD