据业内信息，Intel高级副总裁兼中国区董事长王瑞近日表示，目前已经完成和IFS部门芯片制造所需的Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)制程工艺的开发并已经流片，预计最早于2024年量产。

除此之外，Intel已经确定了Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)的所有规格、材料、要求和性能目标。Intel 20A (2nm)制造工艺将依赖于全门控环绕RibbonFET晶体管，并采用背面供电。

据悉，同时缩小金属间距、引入全新的晶体管结构和背面供电是具有较高风险的方案，但是如果成功的话将超越台积电和三星半导体。

Intel 18A (1.8nm)制造工艺将进一步完善Intel的RibbonFET和PowerVia技术，并缩小晶体管尺寸。该节点的开发进展顺利，Intel将其推出时间从2025年提前到了2024年下半年。

Pat·Gelsinger进入Intel之后，就开启了IDM 2.0战略，力求打造代工业务并扩大产能，使得近几年发展迅速，从Intel 10制程开始，逐步有序进入到Intel 7和Intel 4技术节点，然后就是 Intel 3、Intel 20A 和最新的Intel 18A制程。

据悉，Intel最初计划在其Intel 18A (1.8nm)节点上使用ASML的Twinscan EXE扫描仪，数值孔径(NA)光学为0.55，但由于决定尽早使用该技术，它将不得不广泛使用现有的Twinscan NXE扫描仪，光学NA为0.33，以及EUV双重图案。

Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)制造工艺既为公司自身产品的生产开发，也将用于Intel Foundry Services (IFS)事业部为其代工客户生产芯片，2024年下半年产进入市场后将成为行业最先进的工艺节点。

Pat·Gelsinger在最近与分析师和投资者的电话会议上表示：“我们与10大代工客户中的七家保持着积极的合作关系，并持续扩大合作伙伴生态系统的增长，目前已经有43个潜在客户和生态系统合作伙伴进行测试芯片。此外，我们在Intel 18A方面仍在取得进展，已经与我们的主要客户分享了PDK 0.5(工艺设计工具包)的工程版本，并预计在未来几周内发布最终生产版本。”