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nm，理论上可以支持 7nm 工艺。大多数晶圆厂使用 1980Di 光刻机主要生产 14nm 及以上工艺芯片，很少使用其生产 7nm 芯片。 然而 ASML 官方......
可能会禁运的是浸没式193nm光刻机，目前全球仅有ASML和尼康两家公司生产。 而浸没式光刻机可以被用于16nm至7nm先进制程芯片的制造，也被业界广泛应用在45nm及以下的成熟制程当中。因此，如果一旦浸没式光刻机......
国内仅能实现90nm光刻机商用，因此想要突破28nm及以下的芯片工艺，ASML的DUV光刻机成为了重中之重。 如此以来，拿出28亿美元在南京扩产28nm生产的台积电，也将削弱其在大陆的影响力。 ......
ASML高端DUV光刻机可以出口：还能支持7nm;对于ASML光刻机接下来怎么出口的问题，现在官方终于给出了答案。 ASML在最新的声明中指出，这些新的出口管制措施侧重于先进的芯片制造技术，包括最先进的沉积设备和浸润式光刻......
ASML高端DUV光刻机可以出口：支持7nm; ASML在最新的声明中指出，这些新的出口管制措施侧重于先进的芯片制造技术，包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统。 ASML强调，新的出口管制措施并不针对所有浸润式光刻......
:1980Di依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，晶圆厂用这一台光刻机，大多是生产14nm及以上工艺的芯片，很少去生产14nm以下的工艺，因为良率低，成本高，没什么竞争力。 ......
Nikon可以制造该类机台。 如果目标是阻止中国实现7nm工艺技术的大批量生产，那么就必须阻止所有能够实现最小金属间距40nm的光刻工具，这就必须涉及到限制干式ArF......
:1980Di依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，晶圆厂用这一台光刻机，大多是生产14nm及以上工艺的芯片，很少去生产14nm以下的工艺，因为良率低，成本高，没什么竞争力。 ......
ASML 正在准备向客户交付首台 High-NA EUV 光刻机，大概会在明年某个时间点完成。另外，High NA EUV光刻机可以用于生产制造1nm以上制程的芯片，主要是用于生产制造2nm等芯片，单台......
7nm、5nm芯片问题，挑战ASML的市场主导地位。 美国为了打压我国芯片产业，牺牲自身利益，但芯片产业链巨大，包括设计、制造、封装、架构、材料、设备、EDA工具等。中国芯片产业的瓶颈在设备端，特别是光刻机......
（可生产7nm/5nm的芯片）的厂商。其中，ASML的EUV光刻机采用的零部件约有数十万个，其技术来源于全球各地，其中源自美国的技术超过20%。而目前全球唯二能量产7nm芯片的台积电和三星，均采......
乃至3nm工艺均会成为过渡产品，以供客户生产芯片的需要。 半导体一向有“大小”节点之分。 以28nm为例，与40nm工艺相比，28nm栅密度更高、晶体管的速度提升了约50%，每次......
着自主研发的先进EUV光刻机，ASML公司在整个光刻机市场上也赚得是盆满钵满;因为EUV光刻机是生产7nm工艺以下芯片的必要设备，所以不少芯片都抢着购买EUV光刻机，不过在老美的限制下，我国......
代工受阻后，曾提出过通过芯片的分层叠加工艺，可以实现14nm工艺达到7nm的芯片集成度。思路和美光在DRAM上的思路有异曲同工之妙：设计芯片的焦点不再是紧盯光刻机的蚀刻纤细程度，而是......
俄罗斯开发出可替代光刻机的芯片制造工具：还要生产7nm芯片; 10月10日消息，这对于ASML来说是不是有点魔幻，俄罗斯号称开发出可以替代的芯片制造工具。 据俄罗斯国际新闻通讯社报道，圣彼......
电和三星均采用了ASML的EUV光刻机，台积电将于2017年第一季度采用ASML的光刻机，部分用于7nm芯片制造，部分用于2020年以后的5nm芯片制造；三星则计划在2017年第二季度采用ASML的......
EUV光刻机缺货问题要持续3年，瓶颈居然是...;细致到可以深究成熟工艺的光掩模（photomask）短缺问题——据说也是近期才发现的，尤其是28nm及以上工艺的产能开始受到掩模短缺问题的影响。不过......
、TWINSCAN NXT:2000i 和TWINSCAN NXT:1980Di。TWINSCAN NXT:1980Di 的分辨率可以达到≤38nm，每小时可以生产275片晶圆。 尽管......
年 目前，全球光刻机市场主要由荷兰的ASML以及日本的尼康、佳能把持。其中，仅ASML一家就占据了全球80%以上的市场，是唯一能量产EUV光刻机（波长13.5nm，可生产7nm/5nm的芯片）的厂......
掩膜，不是一种薄膜，可以理解成模具），就相当于是生产芯片的底片，它相当于是用设计出来的芯片图纸，做成一个比芯片大十倍或者百倍的底片，再通过光刻机各种光学照射，照射到芯片上，此后就是我们熟悉的涂覆光刻......
用单次曝光 EUV 步骤代替。可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进制程工艺推进的同时，进一步提升效率和降低曝光成本。 目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是......
代替。可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进制程工艺推进的同时，进一步提升效率和降低曝光成本。 目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是......
称如果该项目继续推进，中芯国际、华虹等中国半导体企业可以继续使用荷兰的设备生产 28 纳米及更成熟工艺的芯片。 消息称该特别版 DUV 光刻机基于 Twinscan NXT: 1980Di 光刻系统改造，而......
构不仅没有透露第二阶段的安装成本，也没有说明是否有任何具体的俄罗斯芯片制造商对其新设备感兴趣，而且现阶段还没有消息证明这些设备具体什么时候可以用于实际生产。 去年，俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所(IPF......
，到目前为止，三星电子生产3D NAND芯片的光刻胶仍由Dongjin Semichem独家供应。三星一直试图减少对该家光刻胶公司的依赖，报道指出，虽然三星曾与至少四家潜在的日本光刻胶供应商接触，但这......
的供应。 目前7nm以下的先进制程芯片的大规模生产主要都是依赖于ASML的EUV光刻机，但只有少数现金充裕的公司才有能力投资购买这些EUV光刻机。 即便如此，EUV光刻机仍因为其在尖端芯片......
在相同尺寸的矽片上集成更多的电晶体——Intel曾经宣称将闸长从130nm减小到90nm时，电晶体所占得面积将减小一半；在芯片电晶体整合度相当的情况下，使用更先进的制造工艺，芯片的面积和功耗就越小，成本也越低。 闸长可以分为光刻......
在相同尺寸的矽片上集成更多的电晶体——Intel曾经宣称将闸长从130nm减小到90nm时，电晶体所占得面积将减小一半；在芯片电晶体整合度相当的情况下，使用更先进的制造工艺，芯片的面积和功耗就越小，成本也越低。 闸长可以分为光刻......
晶体管集成度相当的情况下，使用更先进的制造工艺，芯片的面积和功耗就越小，成本也越低。 栅长可以分为光刻栅长和实际栅长，其中光刻栅长是由光刻技术所决定的。 由于在光刻中光存在衍射现象以及芯片制造中还要经历离子注入、蚀刻......
进行多次曝光的。 理论上NXT:1980Di依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，晶圆厂用这一台光刻机，大多是生产14nm及以上工艺的芯片，很少去生产14nm以下......
time的增加，芯片制造商需要更快的设备，曝光工具成为了重中之重。作为回应，设备供应商正在制造具有更高生产能力的工具。这些工具还可以处理更先进和更微小的结构。 尽管生产能力有了提升，但是......
本次官方禁令范围内。 1980Di是ASML现有效率比较低的光刻机，支持NA1.35光学器件、分辨率可以达到<38nm，理论上可以支持7nm工艺。 大多数晶圆厂使用1980Di，主要生产14nm及以上工艺芯片，很少使用其生产......
强调美日荷达成了某些协议。DUV光刻机不同于最先进的EUV光刻机，其主要生产的是14-28nm的芯片，这部分芯片虽不是最高端的类型，但是确实在市场中需求最大的部分。对于ASML来说，最先进的EUV光刻机......
193nm光刻技术应用在远低于这个波长的场景。 有了RETs，光刻机在28nm的时候只需要一次的光刻曝光就可以实现了。但到了22nm/20nm，单次曝光有时候就不能给临界层提供足够的分辨率。芯片......
支持到7nm左右)，而这是指一次曝光的分辨率，事实上光刻机是可以进行多次曝光的。 理论上NXT:1980Di依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，晶圆厂用这一台，大多是生产......
技术实现更小的特征尺寸，半导体制程引入了多重pattern技术。光刻机在28nm的时候只需要一次的光刻曝光就可以实现了。 但到了22nm/20nm，单次曝光有时候就不能给临界层提供足够的分辨率。芯片......
大家也不必太过于担心，虽然先进工艺很重要，但中芯已经实现了14nm工艺，这个工艺并不算太落后。 毕竟按照机构的数据，28nm+的芯片，都占了全球75%以上的份额，也就代表着中芯至少可以生产......
俄罗斯正在开发可替代光刻机的芯片制造工具？;近期，俄罗斯国际新闻通讯社报道，俄罗斯在开发可以替代光刻机的芯片制造工具。 据悉，圣彼得堡理工大学的研究人员开发出了一种“光刻复合体”，可用于蚀刻生产无掩模芯片......
的计划对整个行业的推动都极为重要，接下来几代制程工艺极紫外光刻机是核心，Intel，三星，台积电都曾对ASML投资以支持其产品研发。 三星计划在2018年利用EUV实现7nm工艺；台积......
晶圆代工厂商疯抢光刻机设备！;尽管半导体产业仍处调整周期中，但部分应用市场需求强劲，正吸引半导体厂商积极扩产，而在芯片制造过程中，制造设备不可或缺。近期，为满足市场需要，全球光刻机大厂ASML又有......
/5nm工艺，台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产均高度依赖于0.55数值孔径的EUV光刻机来进行生产。 目前英特尔、台积电、三星等头部的晶圆制造厂商正大力投资更先进的3nm、2nm技术，以满足高性能计算等先进芯片......
光刻技术应用在远低于这个波长的场景。 有了RETs，光刻机在28nm的时候只需要一次的光刻曝光就可以实现了。但到了22nm/20nm，单次曝光有时候就不能给临界层提供足够的分辨率。芯片......
半导体设备业务部长岩本和德还表示，如果改进光罩，纳米压印甚至可以生产先进制程的芯片。 佳能的纳米压印技术或许将有机会帮助佳能缩小其与ASML的差距。 更为关键的是，佳能的纳米压印设备成本和制造成本都远低于ASML的EUV光刻机。岩本......
ASML堵了EUV光刻机的路，但国产光刻机有3大新方向;众所周知，当前全球只有一家能够生产，甚至可以说很长一段时间内，全球也只有能够生产，不会有第二家。本文引用地址：原因在于把的路堵住了，这条......
:3400C、NEX:3400D，NA只有0.33，对应的分辨率为13nm，可以生产金属间距在38-33nm之间的芯片。 但是，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，这样......
等工艺水平并不高，这各等级的芯片中国已经实现了从光刻机到芯片的完全自主化生产。真正困难的在于7nm的芯片，也就是华为遭到断供的手机芯片。 这种工艺的手机芯片，不仅需要荷兰ASML先进的EUV光刻机来生产......
公司完成中试的KrF光刻胶已进入客户测试阶段，达到0.15μm的分辨率。本次光刻机的顺利入驻可以保障公司集成电路制造用高端光刻胶研发项目关键设备的技术先进性，对加快产品研发项目进度有积极影响。 晶瑞股份在接受经济观察网咨询有关光刻胶的生产......
设备，将产能提升到每月7万片晶圆。 在这些设备中，最重要的就是EUV光刻机了，三星从14nm级别的内存芯片开始引入EUV光刻机，EUV光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产......
）。 根据国外媒体报道，日前有内部人士表示，三星已经开始计划在2019年使用6nm工艺制造移动芯片，而并且将逐渐大幅减少7nm工艺生产线的投资。据悉，三星计划在今年安装两款全新的光刻机，并且......
lithography)技术的芯片生产设备 FPA-1200NZ2C。佳能表示，该设备采用不同于复杂光刻技术的方案，可以制造5nm芯片。 在制程技术进入5nm节点之后，EUV光刻机......

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