资讯
未来1TB智能手机将搭载QLC NAND?(2024-01-18)
闪存。
报道指出，目前QLC NAND主要应用于PC OEM和消费级SSD领域。
与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据，在使用相同数量的单元时比TLC储存......
寿命/性能或更低，消息称苹果弃TLC要用QLC(2024-07-26)
，而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND闪存。
与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据，在使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据，或者......
SSD容量“狂飙”！(2023-04-04)
先用于数据中心产品，具体发布和上市时间待定。
SLC、MLC、TLC、QLC、PLC，NAND Flash容量逐步提升，因此，部分业界人士看好PLC在PB级SSD中的应用。不过，从SLC到PLC......
JEDEC带来增强型NAND闪存接口标准(2024-11-29)
：“JEDEC与ONFI和Toggle Mode公司合作，继续为NAND行业提供NAND闪存互操作性标准，使得NAND能够在当今性能要求苛刻的应用中广泛应用。JESD230G规范通过4.8GT/s的NAND接口......
2024年QLC SSD出货量大增4倍，然供应商寥寥无几(2024-04-25)
的快速读取速度
TCO（总体拥有成本）优势
AI推理服务器主要执行读取操作，其发生频率低于AI训练服务器所需的数据写入频率。与 HDD 相比，QLC 企业级 SSD 提供卓越的读取速度，并且容量已扩展至 64......
市况逐步回稳，第二季 NAND Flash 品牌商营收季成长 3.4%(2016-10-18)
品策略来看，三星 3D-NAND Flash 的固态硬盘市占率快速增加，现阶段高容量eMMC／UFS 与 eMCP 的市占率也大幅领先竞争者。此外，三星持续扩增 3D-NAND Flash 的产能，因此......
SSD 总整体成本持续下降，英特尔：将在 2022 年与 HDD 黄金交叉(2020-12-21)
尔最近也发表三款具 144 层单元 NAND 型的新款 SSD，分别为 SSD 670p、SSD D7-P5510 及 SSD D5-P5316。英特尔指出，新款 NAND 型 SSD，代表 TLC 与 QLC......
美光率先量产面向客户端和数据中心的 200+ 层 QLC NAND 产品(2024-04-26)
中，美光 2500 SSD 凭借卓越的性能远超基于 TLC NAND 和 QLC NAND 的 SSD 竞品：4
美光 2500 SSD 性能
性能指标
与 TLC 客户端 SSD 相比
与 QLC......
存储芯片迈入下行周期，大厂的“保守”与“激进”(2022-11-08)
美光闪存技术迭代的终点，今年5月该公司曝光的技术路线图显示，232层之后美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。
SK海力士：238层NAND明年上半年量产
2022年8月，SK海力士宣布成功研发238层......
美光宣布 3D NAND 闪存年底前大量投产(2016-12-16)
，TLC 更是达到 384Gb，大大优于 2D NAND 闪存。
事实上，在转向 3D NAND 生产方面，实力最强的仍以韩国三星领先，东芝 （Toshiba）/ Sandisk 与 SK 海力......
英特尔解读存储创新技术三要素：容量密度、可靠性与性能(2021-12-08)
的成本，实现更多的可能性。
可靠性：QLC SSD能否满足大数据时代使用需求?
QLC相对TLC来说，它的擦写次数比较低一些，即使是英特尔的QLC与TLC产品也是如此。这导......
NAND闪存翻盘利器：QLC SSD？(2024-10-18)
(bit)的NAND闪存。每个单元有着自身的标准尺寸，相较于传统的SLC、MLC、TLC，QLC技术可以实现更高的数据密度，从而在相同空间内存储更多的数据。
图片来源：十铨......
美光率先量产面向客户端和数据中心的 200+ 层 QLC NAND 产品(2024-04-28 09:37)
2500 SSD 凭借卓越的性能远超基于 TLC NAND 和 QLC NAND 的 SSD 竞品：[4]
美光 2500 SSD 性能
性能指标
与 TLC......
晶圆级拆解英特尔Optane 3D XPoint存储器，探索黑科技！(2017-06-27)
尔Optane XPoint存储器芯片的每颗晶粒可储存128Gb，较目前2D与3D TLC NAND商用产品的储存密度略低，如图1所示。美光(Micron) 32L 3D FG CuA TLC NAND的每......
消息称 SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存，有望明年上半年量产(2022-08-17)
SK 海力士开发的世界上首个 238 层 NAND 闪存，与 176 层 NAND（ V7 ）相比能源消耗减少了 21%。其采用了 4D 封装技术，与 3D 封装相比，前者在减少单位单元面积的同时，生产......
美光宣布量产第九代 NAND 闪存技术产品(2024-07-31 15:24)
用第九代（G9）TLC NAND技术的 SSD 产品已开始出货，成为业界首家实现这一里程碑的厂商之一。美光 G9 NAND 技术具备高达 3.6 GB/s 的数据传输速率，提供卓越的数据读写带宽。该项 NAND......
Solidigm推出PCIe固态硬盘D5－P5336，以超大容量满足从核心到边缘的海量数据存储需求(2023-07-24 10:27)
卓越的性价比，即在相同的空间里，P5336能以类TLC的速度，存储比HDD多6倍、比TLC SSD多2倍的数据量。”Solidigm D5-P5336专为处理从核心到边缘的海量数据而设计，其读......
美光官宣，业界首款232层NAND量产(2022-07-27)
口还向后兼容以支持旧控制器和系统。
232层NAND的紧凑外形为客户的设计提供了灵活性，同时实现了有史以来最高的每平方毫米TLC密度（14.6Gb/mm2），其单位储存密度较目前市场上的TLC竞品相比高出35%至100......
SSD价格跌10%，5季首降(2024-12-19)
下跌的原因。
10-12月期间NAND Flash指标性产品TLC 256GB批发价为每个2.28美元左右，较前一季下跌10%。
与SSD一样......
威刚董事长：DRAM与NAND Flash价格可望维持一整年多头格局(2024-01-06)
威刚董事长：DRAM与NAND Flash价格可望维持一整年多头格局;
【导读】存储品牌暨模组厂商威刚董事长陈立白在谈及市况时表示，看好存储原厂减产与产能排挤效应发酵，且AI应用......
美光公布DRAM、NAND技术路线图，还将放大招稳定存储器价格(2022-05-13)
美光公布DRAM、NAND技术路线图，还将放大招稳定存储器价格;美国当地时间5月12日，存储器大厂美光科技举办Investor Day（投资者日）活动，展示了DRAM与NAND未来技术路线图，并宣......
SK海力士：2017年带来72层3D NAND Flash(2017-02-04)
另一个需求持续提升的产品。
SK Hynix 目前已经生产48 层的3D NAND Flash（3D-V3），而进入2017 年，我们可以见到SK Hynix 进入72 层的3D TLC NAND Flash（3D-V4）。同时......
TB级SSD白菜价！首款64层512GB TLC闪存芯片开产(2017-02-07)
TB级SSD白菜价！首款64层512GB TLC闪存芯片开产;西数今天正式宣布成功试产全球首款64层512GB TLC NAND芯片，这意味着未来500GB以及TB级大容量SSD价格......
被垄断的NAND闪存技术(2023-07-20)
由于成本结构较差而无法大批量生产。
与 TLC 相比，三星236 层以上的 V9 代 3D NAND 的 QLC 代际扩展也较差。在V7代中，QLC的密度比TLC高40%。对于 V9，QLC 的密......
SSD固态盘到底哪家技术强？(2017-02-15)
有840 EVO与850 EVO，引起了对于TLC寿命、性能、可靠性的广泛讨论。直到现在，TLC遍布SSD市场，但这个争议依然没有停息。
2016年，三星推出了新一代高性能的960系列，包括960......
NAND闪存，迎新局(2024-09-14)
合了多种突破性技术。
从技术创新上看，本次三星QLC第九代V-NAND包括采用其独有的通道孔蚀刻技术，以双层堆栈结构实现业界最高层数，并利用TLC第九代V-NAND的技术专长，优化单元面积和外围电路，位密......
三星量产QLC第9代V-NAND(2024-09-12)
)。
最新的QLC V-NAND结合了多种突破性技术，包括通道孔蚀刻，可通过双堆栈结构实现业内最高的层数
业界首创的QLC和TLC第9代V-NAND可在各种AI......
SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存，基于 V9 TLC NAND 颗粒(2024-08-09)
SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存，基于 V9 TLC NAND 颗粒;8 月 9 日消息，根据 SK 海力士当地时间昨日发布的新闻稿，该企业在 FMS 2024 峰会......
NAND Flash第四季预计涨价8%(2023-09-26)
原先预估的0%至5%。
据统计，1Tb TLC的NAND Flash......
长江存储开始供应232层QLC 3D NAND 技术实现再次突破(2023-11-02)
证明了长江存储为3D NAND TLC和QLC应用开发的Xtacking混合键合技术的价值：Xtacking 3.0 232L采用BSSC技术，提高了良率和性能，降低了成本。
据了解，长江......
传苹果等厂商评估QLC NAND闪存，用于1TB容量手机(2024-01-18)
是主流的TLC NAND）。业界预测QLC NAND出货量比例将继续增长，2024年上半年占NAND整体出货量的比重将达到19~20%。目前，这类存储芯片的主要应用领域是PC OEM和消......
消灭机械盘！SSD明年怒掀普及战：便宜大容量(2016-12-29)
消灭机械盘！SSD明年怒掀普及战：便宜大容量;转眼间2016年马上就要过去了，回顾2016年，TLC大势所趋，几乎所有的存储厂商都推出了TLC SSD存储解决方案，甚至传统的HDD厂商希捷、西数......
Marvell推出用于DRAM-less PCIe3.0x2 SSD的NVMe控制器(2016-10-20)
。
Marvell 88NV1160是一个4通道控制器，支持PCIe 3.0 x2接口、NVMe 1.3协议（除了AHCI之外），以及多种类型的NAND闪存，包括15nm TLC、3D TLC以及......
官宣！存储大厂量产第8代V-NAND(2022-11-07)
官宣！存储大厂量产第8代V-NAND;11月7日，三星电子宣布已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三级单元（TLC）第8代V-NAND。
1Tb的全新V-NAND在目前三星V......
半导体业者都被3D NAND骗了！(2017-08-19)
制程节点来看，美光(Micron)的Crucial MX300固态硬盘(SSD)采用32层堆栈的三层储存单元(TLC)3D-NAND，比采用多层储存单元(MLC)平面NAND的美光Crucial......
海力士抢先展示UFS 4.1闪存：基于V9 TLC NAND颗粒打造(2024-08-09)
海力士抢先展示UFS 4.1闪存：基于V9 TLC NAND颗粒打造;
8月9日消息，在FMS 2024峰会上，SK展示了其最新的存储产品，包括尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存。
据......
盘点华为/小米/OPPO/VIVO手机里的DRAM和NAND供应商(2022-04-14)
和176L芯片。
大多数情况下，中国智能手机使用主要NAND芯片制造商的92L/96L和128L TLC 3D NAND芯片。
去年年初一些 2D eMMC NAND 芯片，例如小米 Redmi 9A......
三星首批面向AI时代的QLC第九代V－NAND启动量产(2024-09-12 11:01)
三星首批面向AI时代的QLC第九代V－NAND启动量产;三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数 推出的三星首批QLC和TLC第九......
三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产(2024-09-12)
三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产;
三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数推出的三星首批QLC和TLC第九......
Marvell推出全球首款面向大众市场移动计算解决方案的DRAM-less NVMe(2014-12-10)
全球首款面向大众市场移动计算解决方案的DRAM-less NVMe（高速非易失性内存），采用业界领先的NANDEdge™低密度奇偶校验（LDPC）技术，支持TLC和3D NAND。Marvell 88NV1140和88NV1120可使小型SSD......
SK hynix发布321层TLC NAND 1Tb闪存技术将于2025年上半年量产(2023-08-09)
SK hynix发布321层TLC NAND 1Tb闪存技术将于2025年上半年量产;在8月8日至10日于圣克拉拉举行的闪存峰会（FMS）2023上，SK海力士公司介绍了其321层1Tb TLC......
缺货！涨价！存储厂商纷纷抢滩3D NAND闪存和SSD(2016-12-16)
也会借此降低成本，提高产量。以美光为例，他们的2D NAND闪存主力是16nm工艺的，MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb，而3D NAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb，TLC更是......
慧荣推出专为AI手机设计的6纳米UFS 4.0主控(2024-03-14)
芯片系列已成为目前业界最广泛的产品组合，支持从UFS4.0到UFS2.2各种标准，也支持最广泛的NAND Flash，包括次世代高速的3D TLC和QLC NAND，为旗舰、主流和入门级的移动和运算设备提供高效能、低功......
美光发力NAND：推出新款数据中心SSD和首款276层TLC NAND SSD(2024-08-08)
美光发力NAND：推出新款数据中心SSD和首款276层TLC NAND SSD;作者: 付斌AI大模型的爆火，使得算力获得了巨量提升。而对大模型来说，算力、存储、网络三要素缺一不可，但凡......
美光发力NAND：推出迄今最强数据中心SSD和首款276层TLC NAND SSD(2024-08-06)
美光发力NAND：推出迄今最强数据中心SSD和首款276层TLC NAND SSD;AI大模型的爆火，使得算力获得了巨量提升。而对大模型来说，算力、存储、网络三要素缺一不可，但凡......
三星量产1Tb QLC 第九代 V-NAND 闪存(2024-09-14)
2024年4月制造出全球首款TLC的第九代V-NAND之后，三星也已开始量产QLC第九代V-NAND。 另外，为了达成这一目标，三星推出了多项新技术和新制程，包括通道孔蚀刻、设计模具、低功耗设计，以及......
存储需求动能强劲，第四季 DRAM 合约价有望再涨逾一成(2016-10-18)
器、面板等关键零部件皆终止长期价格颓势。TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 表示，内存在笔电需求回温、智能手机延续强劲成长态势与服务器需求增温带动下，DRAM 与 NAND......
三星推出第8代V-NAND（512Gb），设想到2030年堆叠超过1000层(2022-10-08)
度提高了42%，在迄今为止的512Gb三级单元（TLC）内存产品中达到了业界最高的位密度。该公司表示，全球最高容量的1Tb TLC V-NAND将于今年年底向客户提供。
NAND方面，目前，三星......
长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗 128层QLC准备量产(2021-09-15)
产256Gb（32GB）TLC 3DNAND。
2020年4月份，长江存储宣布推出128层堆栈的3D闪存。该公司称128层QLC 3D闪存（X2-6070）是业内首款128层QLC规格3D NAND......
300层3D NAND，铠侠/西数将解读新技术(2023-05-08)
公司的工程师正在寻求实现8平面的3D NAND，以及超过300层的3D NAND。
而铠侠在即将发表的C2-1论文种介绍了一种8平面的1Tb 3D TLC NAND，拥有210层的堆叠数和3.2GT/s的I/O......
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;杨青德;;ASIC 设计, IC 销售, NAND FLASH,NOR FLASH 销售
;香港德胜科技;;主营NAND FLASH;DRAM;MCP;TF卡
;深圳德盛科技有限公司;;公司主要以 NAND FLASH SDRAM/MCP为主.
;深圳市比亚泰科技有限公司;;长期求购NAND Flash，闪存芯片