近日，知名半导体行业观察机构TechInsights称其在一款电子产品中发现了世界上最先进的，并称这颗芯片来自中国制造商。这是TechInsights看到的首个具有超过200个活跃字线的四层存储单元（）芯片。

是一种即使断电也能保存数据的记忆半导体，使用了先进的叠层技术 —— 涉及垂直分层单元，以增加数据容量，是NAND的关键竞争元素。3D NAND是人工智能（AI）和机器学习等高性能计算（HPC）的重要组成部分，代表了设计的最前沿，对于高性能、高带宽计算至关重要。

据悉，TechInsights在2023年7月推出的致态SSD中发现了由制造的232层 3D NAND芯片，其具有19.8Gb/mm2的商用NAND产品中最高的比特密度，超越了在开发232层 3D NAND芯片的美光和英特尔（Solidigm）。

致态Ti600 1TB固态硬盘

232L QLC芯片

TechInsights表示，尽管受到管控措施的不断施压：包括受限于向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件，以及被列入美国的实体名单， 但长江存储仍在静静地开发最先进的技术。

近期存储市场的低迷，许多内存制造商专注于节省成本的举措，这可能为长江存储提供了机遇，使其推出拥有更高比特密度的3D Xtacking NAND。再次证明了长江存储为3D NAND TLC和QLC应用开发的Xtacking混合键合技术的价值：Xtacking 3.0 232L采用BSSC技术，提高了良率和性能，降低了成本。

据了解，长江存储通过使用Xtacking 3.0技术在这一领域取得了领先优势。竞争对手美光和英特尔公开的232层QLC 3D NAND内存，前者在军用中已经开始供应232层TLC 3D NAND，但在数据存储密度方面逊色于长江存储的解决方案，因为每个单元使用三位而不是四位。

值得注意的是，目前的战略是专注于V9 3D NAND的TLC和QLC，因此没有在236层(V8) 3D NAND上开发QLC。但在上周举行的“内存技术日”上，首次公开了面向移动市场的QLC产品 —— 采用176层(V7)技术的512GB UFS 3.1产品。而SK海力士的主要业务是TLC，不是QLC产品。