【导读】三星电子宣布，已开始大规模生产其1太比特 (Tb) 四级单元 (QLC) 第9代垂直NAND (V-NAND)。

最新的QLC V-NAND结合了多种突破性技术，包括通道孔蚀刻，可通过双堆栈结构实现业内最高的层数

业界首创的QLC和TLC第9代V-NAND可在各种AI应用中提供最佳内存

三星电子宣布，已开始大规模生产其1太比特 (Tb) 四级单元 (QLC) 第9代垂直NAND (V-NAND)。

继今年4月实现业界首个三级单元 (TLC) 第九代V-NAND量产后，三星又实现业界首个QLC第九代 V-NAND量产，巩固了在高容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。 

三星电子表示，在TLC版本推出仅四个月后，QLC第9代 V-NAND就成功量产，这使我们能够提供全系列先进的SSD解决方案，满足AI时代的需求。

随着企业级SSD市场快速增长，对AI应用的需求不断增加，我们将继续通过QLC和TLC第9代V-NAND巩固领导地位。

三星计划扩大QLC第9代V-NAND的应用范围，从品牌消费产品开始，并扩展到移动通用闪存 (UFS)、PC和服务器SSD，以满足包括云服务提供商在内的客户需求。 

三星QLC第九代V-NAND汇集了多项创新，取得了技术突破。

采用三星独有的通道孔蚀刻技术，以双层堆栈结构实现业界最高层数，并利用TLC第九代V-NAND 的技术专长，优化单元面积和外围电路，实现业界领先的位密度，比上一代QLC V-NAND高出约 86%。

设计模具技术可调整操作单元的字线 (WL) 的间距，以确保跨层和层内单元特性的一致性和优化。

随着V-NAND层数的增加，这些特性变得越来越重要。

与以前的版本相比，采用设计模具可将数据保留性能提高约20%，从而提高产品可靠性。

预测程序技术可预测并控制单元状态变化，以最大限度地减少不必要的操作。

三星的QLC第9代V-NAND通过技术改进，写入性能提高了一倍，数据输入/输出速度提高了60%。

通过使用低功耗设计，数据读取和写入功耗分别降低了约30％和50％。

该方法通过仅感测必要的位线（BL）来降低驱动NAND单元的电压并最大限度地降低功耗。

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