在近日召开的集邦咨询MTS2022存储产业趋势峰会上，英特尔NAND产品与解决方案事业部亚太区销售总监倪锦峰这样说道。

随着数据爆发式增长，数据需求不断增加，这些变化促使行业不断思考与加速整个存储产品、存储方案、存储架构的创新。

倪锦峰表示，英特尔希望从容量密度、可靠性与性能三方面持续推动NAND技术的创新，充分发挥数据潜力，帮助行业合作伙伴们加速数据价值实现。

容量密度：不能光靠NAND层数堆叠

3D NAND技术很好续写了NAND领域的摩尔定律，英特尔在2016年发布的第一款32层的3D NAND，2021年发布了第四款144层的3D NAND，容量密度提升了5倍左右。

倪锦峰认为，容量密度提升光靠NAND层数的堆叠是远远不够的。第一，不是每次迭代层数都会翻倍；第二，层数增加其实对Fab工艺和整体生产周期带来很大的挑战，因此行业有必要从另外一个维度来追求存储密度的提升。

QLC、PLC相对于TLC有更高的密度、更低的成本，代表了将来的NAND技术发展方向。倪锦峰介绍，英特尔QLC产品在企业级应用中取得了可喜的成绩，同时公司在PLC方面也取得了很好的进展，也持续在投入，QLC、PLC都能很好地帮助行业实现更大的容量、更低的成本，实现更多的可能性。

可靠性：QLC  SSD能否满足大数据时代使用需求?

QLC相对TLC来说，它的擦写次数比较低一些，即使是英特尔的QLC与TLC产品也是如此。这导致行业里一些伙伴对QLC有些顾虑或者误解，觉得买了QLC SSD产品，写了两年或者三年就损耗全部寿命。

倪锦峰解释道，事实上，过去的10年里面，整个行业的软件架构为SSD做了很好的优化，对SSD也更加友好，行业里面80%以上的SSD的DPWD（写入寿命）都是1或者1以下。即使指标是1，绝大部分客户的实际使用只有0.2、0.3，远远小于1。

英特尔QLC SSD可以增强生命周期的整体写入能力，满足诸如CDN、大数据、本地盘等诸多应用市场寿命需求。QLC SSD容量较大，全盘可以忍受的写入量可以大很多，在固定接口带宽下的使用年限可以有很好保障，所以对QLC的擦写次数不用过分担心。

性能：创新NAND技术提升性能

性能方面，倪锦峰表示，大家希望的一个场景是从1T到2T、4T、8T，容量不停地翻倍，性能也不停地翻倍，不过这在NAND里面是很难实现的，但是英特尔并没有放弃，公司在软件架构方案上不断创新，同时在NAND上也做创新。

倪锦峰在演讲中介绍了BBD（Block By Deck）与IMPRO（独立多平面读操作）技术。

其中，BBD可以解决由于层数堆叠带来的性能挑战。其有效地缩小了Active Block Size，每个Deck可以单独进行擦除，同时可以保持其它Deck的数据完整性。此外，Deck可以按照SLC、QLC等不模式来进行分配，以带来更好的固态硬盘级优势。

IMPRO技术，多个平面组可以相互独立地接收和执行的读取命令，使得随机读取性能翻倍。

结语

数据是新的石油，数据爆发式发展为行业带来了机遇与挑战。倪锦峰总结表示，英特尔希望持续推动NAND技术的创新，给大家提供高容量、低成本、高性能的SSD产品，帮助行业伙伴充分释放数据价值。