三星宣布，已开始量1Tb QLC的第九代V-NAND存储器，这是全球第一家使用这项新技术开始量产存储器的公司。

根据韩国媒体报道指出，继2024年4月制造出全球首款TLC的第九代V-NAND之后，三星也已开始量产QLC第九代V-NAND。  另外，为了达成这一目标，三星推出了多项新技术和新制程，包括通道孔蚀刻、设计模具、低功耗设计，以及预测程序等。

其中，在通道孔蚀刻的部分，该技术用于堆叠层，然后创建一个通道孔，电子可以借由该孔移动。 这种双层堆叠结构使闪存有了更高的储存密度。 与上一代QLC技术相比，其位密度提高了86%。 而在设计模具方面，控制操作单元，也就是控制晶体管开启和关闭状态布线的间距，将它们层压以优化和统一单元，借以通过将数据保留率提高20%来提高可靠性。

至于，预测程序则是预测单元状态的变化，并最大限度的减少不必要的单元操作。 利用这项技术，三星分别将读取和写入数据时的功耗分别降低30%和50%。 而有了以上的几项新技术，其所生产出的QLC第九代V-NAND存储器，三星计划未来将使用这些QLC V-NAND存储器来制造消费性和服务器应用的SSD，以及用于移动设备的UFS储存。

三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示，在TLC版本推出仅四个月后，QLC第9代V-NAND随即成功量产，这使三星能够提供全系列先进的SSD解决方案，满足AI时代的需求。 随着企业级SSD市场快速增长，对AI应用的需求不断加强，三星也将继续藉由QLC和TLC的第9代V-NAND存储器来巩固三星在该领域的领先地位。