资讯
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
沟道夹断），这是正确的。在线性区域，源极和漏极沟道被电阻沟道有效地“短路”，所以我们只需要关注栅极和沟道之间的氧化物电容。
由于器件是对称的，在线性区域，我们可以假设源极和漏极......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于栅极与其它电极之间......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
体管有两种工作模式：在第一种模式中，栅极 1 用于控制流过器件的电流，同时，大于栅极 1 最大 V gs的恒定电压施加于栅极
2。在第二次操作，程序栅极在源极，控制栅极在漏极，两个电极的边缘场调制两个电极之间......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。
3纳米GAA MBCFET的优越性
GAA指的是晶体管的结构。晶体管是电子电路的组成部分，起到开关的作用，也就是当门极施加电压时，电流在源极和漏极之间......
碳化硅功率器件的基本原理及优势(2024-04-30)
成了电子气体，使得源极和漏极之间形成了一个导通的通道。当在栅极上施加负电压时，电子气体消失，源极和漏极之间的通道断开，MOSFET进入截止状态。
二、碳化硅功率器件的优势
1、高工作温度
碳化......
升压型DC-DC转换器中高频噪声的产生原因(2024-03-07)
值，漏极电压为“RDSON×电感电流”。从此时开始，当FET的栅极驱动转为关断时，漏极和源极之间的电阻值上升，漏极电压也开始上升。
当低边开关关断时，漏极和源极之间会产生容性分量COSS，部分......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
触点是大量掺杂n+的区域。衬底为低掺杂材料p-。栅极用一层很薄的氧化层（通常是SiO2）与通道绝缘。
图3. MOSFET简化电路
当电压源连接到栅极和漏极端并施加偏置电压Vg和Vd时，在源极和漏极端之间......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
杂的区域用金属导线连出，分别称为源极(source)和漏极(drain)，在两极中间的绝缘层上制作金属导电层，然后用导向连出称为栅极(gate)，衬底一般也用导线连出和源极连接在一起。
增强型MOS管需要在栅极加合适的电压......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。
此时若在栅-源极间加上正向电压，图1-3-B所示，即VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电......
通过电机驱动器输出晶体管的寄生二极管进行电流再生时的功耗(2023-06-06)
管Qa。
当再生电流流过这个Nch MOSFET的源极和漏极之间的寄生二极管Di_a时，由于元件分离P型扩散层是与GND相连接的，因此寄生NPN晶体管Qa的基极和发射极之间的二极管也会产生正向电压。为此......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率(2023-04-20)
在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎。
*2) 导通电阻（Ron）
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的功率损耗越少。
*3) Qgd（栅-漏电荷）
MOSFET开始......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸、超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
晶圆切割成单片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。
*3) 导通电阻
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
电阻
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。
*4) Qgd（栅极-漏极......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
晶圆切割成单片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。
*3) 导通电阻
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01 15:49)
可以缩减封装的尺寸。*3) 导通电阻MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。*4) Qgd（栅极-漏极间电荷量）MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率(2023-04-20)
）
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
-mode为常开型器件，在通常状态下（栅源极电压VGS=0），漏极和源极之间已存在2DEG，器件呈导通状态；当栅源极电压VGS<0时，漏、源极之间的2DEG断开，器件截止。在电力电子应用中，常开......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
（th）时，栅极G和衬底p间电场增强，可吸引更多的电子，使得衬底P区反型，沟道形成，漏极和源极之间电阻大大降低。此时，如果漏源之间施加一偏置电压，MOSFET会进入导通状态。在大部分漏极电流范围内ID与......
MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
时，该测试测量了MOSFET的栅极和源极之间的电容。图9显示了CDS的配置，当SMU在漏极处扫描直流电压时，该测试测量了漏极和源极之间的电容。图10显示了CRSS配置。该测......
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
到图12显示了对每个元件和电路级电容测量的CVIV的每个通道的状态。
图8显示了CGS的配置，当SMU在漏极处扫描直流电压时，该测试测量了MOSFET的栅极和源极之间的电容。图9显示......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
电荷
EOSS，在COSS中存储能量
MOSFET在节点间必然存在寄生电容，栅极和源极之间的CGS、栅极和漏极之间的CGD、漏极和源极之间的CDS。在瞬态响应期间，这些电容需要充电和放电，这限制了电压......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路主要分为两种。
PMOS管开关电路，栅极与源极之间的电压
V......
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容(2023-03-29)
类型的方式过去已经用于后道工序 (BEOL) 中，以减少金属互连之间的电容 [1-4]。本文中，我们将专注于前道工序 (FEOL)，并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D®模型[5......
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容(2023-03-28)
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容;本文引用地址：
减少栅极金属和晶体管的源极/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极之间......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
个开关，栅极（G）是控制端，它控制着源极（S）和漏极（D）之间是否能导通，即是否可以通过电流。
5. 源极和漏极导通电流的意思是，给他们两加一个电压源，可以形成电流，从漏流到源也行，从源流到漏也行，这个......
大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项(2023-12-19)
阻抗
• 使用示波器探测栅极、漏极和源极电压以检查稳定性和振铃
• 使用 DMM 检查栅极和栅极电源电压之间的阻抗
• 使用示波器探测栅极电源电压以确保稳定性
• 使用 DMM 或 LCR 确认......
5nm的晶体管会是什么样子？(2016-11-11)
。
从表面上看，GAA和栅极夹杂在源极和漏极之间的MOSFET很类似。另外，GAA同样包含了Finfet，但和目前fin是垂直使用的Finfet不同，GAA的Finfet是在......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
从一个基极到另一个发射极，决定了从集电极到发射极能流多少电流。
对于MOSFET晶体管，电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从漏极流向另一个源极。
2.1 如何打开MOSFET
下面是一个打开MOSFET的电......
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退(2024-09-19)
体项目测试序列和hcistress10测试
hcistres10测试定义选项卡用于指定应力电压和应力时间。在本例中，栅极和漏极应力条件分别指定为2.2V和5.5V。在时序对话框（未显示）中指定应力时间，使用......
东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET(2023-02-28)
品降低了漏源导通电阻。同时，器件结构的优化改善了漏源导通电阻与输出电荷之间的平衡[1]，并且具有业界领先[2]的低功耗。此外，产品还降低了开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，输入信号加在衬底和源极之间，这样阈值电压就可以减小或从信号通路上得以避开。衬底......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
结型晶体管处于关断状态，电阻分压器结点和栅极上的电压将大致等于源极引脚中的电压。这将导致MOSFET的栅极和源极之间的电位差为零，从而无法满足MOSFET Q2保持导通状态所需的VGS阈值。因此，随着......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
。这将导致MOSFET的栅极和源极之间的电位差为零，从而无法满足MOSFET Q2保持导通状态所需的VGS阈值。因此，随着MOSFET关断，微处理器的3.3 V电源也被断开，从而有效切断微处理器或负载的电......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
VGS的关系；以及（d）输出。
NexGen的器件是在100mm的体衬底上制造的。鳍状通道的高度约为1μm，宽度约为亚微米。栅极由鳍片之间的注入p-GaN区域组成。对于650V和1200V器件，鳍状通道和漏极之间的......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
有 MOSFET 一样，P 沟道 MOSFET 在源极和漏极之间有一个本征体二极管。当电池正确连接时，本征体二极管导通，直到 MOSFET 的沟道导通。要使 P 沟道 MOSFET 导通，栅极电压需要比源极电压......
碳化硅MOSFET尖峰的抑制(2023-01-13)
尖峰不可以超过使用的 的最大规格，那就必须抑制尖峰。本文引用地址：
MOS_DS电压尖峰产生的原因
在半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路，其设计方法说明了漏极源极之间的电压......
用于 EV 充电系统栅极驱动的隔离式 DC／DC 转换器(2022-12-05)
，栅极上的负驱动可以确保器件在这些条件下处于“关闭”状态。
SiC MOSFET 中栅极和漏极之间的米勒电容 (C gd ) 可以通过漏极电压耦合在栅极上产生正电压。这也可能会导致虚假设备开启，与上......
三星7nm工艺揭秘，摩尔定律还能继续(2017-03-13)
晶体管能够提供比 FinFet 更好的静电特性，这个可满足某些栅极宽度的需求。
从表面上看， GAA 和栅极夹杂在源极和漏极之间的 MOSFET 很类似。另外， GAA 同样......
MOSFET每个参数都讲透了！(2024-10-08 15:24:00)
：漏极与源极之间的......
设计一个缓冲电路抑制浪涌(2024-11-23 18:23:13)
生电容COSS（CDS+CDG）就会产生谐振现象，漏极和源极之间就会产生浪涌。如果用VDS_SURGE表示施加在HVdc引脚的电压，用ROFF表示MOSFET关断时的电阻，则该浪涌的最大值VHVDC可以......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-10-30)
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案;假晶高电子迁移率晶体管()是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
到的发散振荡是由结构中低压 Si MOSFET 的雪崩击穿引起的。[1] 图 2 中所示的 Vgs 振荡与 MOSFET 源极和 GaN HEMT 栅极之间的电感导致的 Vgs 不平衡有关。Cascode GaN FET......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿，所以要在MOS管栅极并联稳压管(图中......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
，|Vth|）时，漏极-源极电阻减小，使得MOSFET导通。这种漏极-源极电阻称为导通电阻。n沟道和p沟道MOSFET的栅极和源极之间施加的电压方向不同。图3显示了MOSFET导通的条件。
图3......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率(2023-04-21 09:47)
电阻（Ron）MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的功率损耗越少。*3) Qgd（栅-漏电荷）MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率(2023-04-21 09:47)
电阻（Ron）MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的功率损耗越少。*3) Qgd（栅-漏电荷）MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
的高性价比电源开关解决方案。
为了让器件电压更高，可增加漏极和栅极之间的距离。由于GaN 2DEG 的电阻率非常低，与硅器件相比，增加阻断电压能力对导通电阻的影响要小得多。
GaN FET 的工作模式可以构造为两种配置，即增......
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光粉发光。VFD基本工作原理，灯丝两端加上规定的交流电压，使灯丝温度达到600℃左右而发射热电子，电子在栅极正电位的作用下，被加速，一部分加速后的电子穿过栅网撞击荧光粉（阳极）使荧光粉激发，荧光
、4.7UF、5.6UF、6.8UF、10UF等等 以此类推。 绝缘电阻：由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上，电容两极之间的电
;深圳市欧凯达电子贸易有限公司;;深圳市欧凯达电子贸易有限公司，电子元器件配套供应的全方位解决方案提供商，原厂与用户之间的坚固桥梁！ 专业代理以下全球知名的电子元器件品牌:三星（A级代理商）、TDK
;泰州澳泰电子有限公司;;泰州澳泰电子有限公司是一家专业生产软母排，柔性母排,软铜排和专业加工折弯的厂家，软母排应用于连接中的挑战，是电缆的替 代品，适用于主母排与配电柜设备之间的连接；变压器与母线槽间的
3RML8系列电压75伏至3000伏；通流量5KA―200KA，两极和三极. Spark Gap玻璃放电管（强效放电管）：SCA系列，耐冲击电流大于3000A；反应速度（PS）级，电压141V-4500V
;深圳市科明科技有限公司;;深圳市科明科技有限公司 作为亚洲领先的电子元器件供货商,在电子业界 成功扮演着客户与供货商之间的桥梁。经营团队拥有多年独立分销行业从业经验， 为千
;深圳圣诺电子有限公司;;圣诺电子国际有限公司是亚洲最大的专业半导体通路商之一。作为亚洲领先的电子元器件供货商,在电子业界成功扮演着客户与供货商之间的桥梁。经营各类主动元件（IC集成电路，存储
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
广泛应用于工业控制、电气设备制造、仪器仪表、通讯、电力、医疗以及自动化等诸多领域，作为厂家与客户之间的联系纽带，“真诚服务于客户”永远是我们最高的宗旨。
;深圳方晨电子有限公司;;公司成立以来，本着客户第一，品质第一的原则，加强了与客户之间的诚信关系，也因此赢得了多个客户。