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ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率

ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率

发布时间:2023-04-20

【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。

ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率

近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。

新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，Qgd*3（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，新产品在稳态工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。

新产品已于2023年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格500日元/个，不含税）。另外，新产品也已开始电商销售，从Ameya360，Sekorm， Oneyac，RightIC等电商平台均可购买。

未来，ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET，通过助力各种设备降低功耗和更加节能，为环境保护等社会问题贡献力量。

＜产品阵容＞

ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率

＜应用示例＞

◇通信基站和服务器用的电源

◇工业和消费电子产品用的电机

以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。

＜电商销售信息＞

起售时间：2023年4月开始
电商平台：，，，
在其他电商平台也将逐步发售。

1枚起售

ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率

＜术语解说＞

*1) Nch MOSFET
通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。
与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎。
*2) 导通电阻（Ron）
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的功率损耗越少。
*3) Qgd（栅-漏电荷）
MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率损耗）越小。

＜产品视频＞

12-150V 单N沟道MOSFET：

＜新产品参考资料"Featured Products"＞

ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率

非常适用于基站、服务器用的电源和工业设备、消费电子设备用的电机驱动应用

低导通电阻 Nch 功率MOSFET（铜夹片型）

RS6xxxx系列/RH6xxxx系列（PDF:940KB）