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指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
使用相对较高的值即可避免在接近最大功耗的情况下工作。
电路的
最小输入电压
受到可靠“导通”MOS管所需的源极栅极电压的影响（必须略高于阈值电压 V GS(th......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。
3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。
4、MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。
5、MOS管输......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。
我的老师年轻时用过不带二极管的mos管，非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。
解释5：金属氧化物膜
图中有指示，这个膜是绝缘的，用来......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
２、用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
过来的电子数量也会发生变化，两个N区之间沟道宽度就会随之变化，通过的漏源极的电流大小就会发生变化。E2电压越高，沟道就会越宽，电流就会越大。
增强型MOS管的特点如下：
G, S极之间未加电压时，D......
到底什么是I/O的驱动能力？(2023-02-02)
驱动能力是指，在输出电流小于等于最大输出电流的情况下，I/O引脚可以正常的输出逻辑1。
P-MOS管的源极(S)接VDD，当MCU输出1时，P-MOS管导通，电流从源极(S)流向漏极(D)。I/O引脚......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
管，Q2为PMOS管，MCU通过高低电平控制三极管Q1的导通和关断。
当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin，此时Q2的源极电压VS也等......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
IN和SD使左侧的内部MOS管如图所示导通。由于电容上的电压不能突变，此时自举电容上的电压（12V）便可以加到高端MOS的栅极和源极上，使得高端MOS也可以在一定时间内保持导通。此时高端MOS的源极......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大小一般选取几十欧姆。该电阻可以减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
摊牌了，MOS管的......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
能力很多时候是不一样的。
②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
根据选型的二极管参数决定）
2、采用NMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约是0.7V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs......
几种常用的驱动电路！(2024-12-20 15:49:48)
不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。
②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
电机驱动芯片A4950及H桥电路分析(2023-08-15)
的栅极电压会比打开低端NMOS所需的栅极电压大很多(要高于驱动电源电压)。(因为开启需要条件Vgs>Vth，而高端MOS导通后的源极电位较高，几乎接近电源电压，此时如果栅极电压仍为电源电压，则又关断)
驱动......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案;因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
导通关断受到栅极电压的控制。我们从图上观察，发现N-MOSFET管的源极S和漏极D之间存在两个背靠背的pn结，当栅极-源极电压VGS不加电压时，不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏......
通过电机驱动器输出晶体管的寄生二极管进行电流再生时的功耗(2023-06-06)
下图中也分别列出了它们的结构。
在输出Nch MOSFET中，由漏极D的N型扩散层、元件分离用的P型扩散层和连接到电源的N型扩散层（在这里是连接到输出Pch MOSFET的源极S），可以形成寄生NPN晶体......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
管的源极......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
了可靠性。
隔离驱动
为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
特性和工作电压来确定。
旁边的二极管是一个稳压保护二极管 为了保护GS之间的电压不会过高从而损坏二极管
在电路分析中 pmos导通和体二极管无关。mos的源漏是相对的。对pmos......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
显得尤其重要了。
二、MOS管驱动要求
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：
（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
要考虑驱动的寄生电阻及所外加的驱动电阻。
需要注意的是MOS管的开启电压是一个与温度正相关的参数，在计算上述公式时要考虑到开启电压随温度的偏移量。
2. 米勒振荡
我们知道，MOS管的输入与输出是相位相反，恰好180度，也就......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
来就来看看所有可能导致失效的原因。
一、过电压
mos 管对过压的耐受性非常小，即使超出额定电压仅几纳秒，也可能导致设备损坏。
mos 管的......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
电流是空穴移动产生的也行，是电子移动产生的也行。
6. 二极管正向（从P到N接正电压）导通，反向（从N到P接正电压）不导通。
好，可以开始了。
拿到这副mos管的结构图，首先看到s极和d极连着的是N参杂......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
功率MOS体二极管参数分析;
体二极管的作用
MOS的体二极管能够让感性负载电流在MOS处于“关断”状态时绕开MOS。因此，它在同步整流
和续......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
阳极侧施加了正电压，但是，电池电压必须高于二极管的正向偏置电压。当二极管为正向偏置时，MOSFET 源极中的电压电平将为电池电压减去体二极管压降。
简而言之，这是......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路主要分为两种。
PMOS管开关电路，栅极与源极之间的电压
V......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
由于沟道中的电荷对通过 SB MOSFET
的源极侧的载流子注入的影响而发生的。正如仿真所示，当 V ds增加时，通道中存在的电荷会从平衡值动态减少到与通过 SB MOSFET
源极......
碳化硅MOSFET尖峰的抑制(2023-01-13)
尖峰不可以超过使用的 的最大规格，那就必须抑制尖峰。本文引用地址：
MOS_DS电压尖峰产生的原因
在半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路，其设计方法说明了漏极源极......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
、源极
三极管的原理就是闸极的电压只要稍稍变大，输出端（源极）就会有很大的增加，而闸极只要没有输入，输出端也应该马上停止输出。
平面型MOS晶体管的通道问题
▲改良型MOS半导体结构
上图......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
值电压为4V。但是只是使用4V电压进行驱动MOS管时，MOS管Rds比较大，MOS管不能流过过大电流，如下图所示：
从图中可以看出，随着栅源电压的增大MOS管的通流能力也就随着增大。所以......
KAIST 告三星、高通侵犯其FinFET 专利，台积电、苹果也躺枪？(2016-12-02)
体（ Semiconductor），因此称为「 MOS」。
MOSFET 的工作原理与用途
MOSFET 的工作原理很简单，电子由左边的源极流入，经过闸极下方的电子通道，由右边的汲极流出，中间......
使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动(2023-10-18)
出驱动器的位置可以更靠近电源开关，带来更大的布局灵活性和更少的寄生效应，从而实现出色的开关性能。
1 引言
HS 开关管请参阅图 1-1 中的 Q1 和 Q2。这些开关具有浮动的源极连接，并且......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
控制电路的通断。值得一提的的是，MOS管饱和导通后，漏源极（DS）之间的压降及损耗很小，保证电源电压几乎无损失地供给负载。下面开始逐步构造电路：
1. 以MOS管为受控开关
P沟道MOS管的......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
P 沟道MOS管要求将栅极拉至其源极端子以下，如果输入电压足够高，P沟道MOS管的栅极可以打开MOS管。
升压......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
）
，
可以等效看做是MOS管和三极管的结合体。
图片来源：华秋商城
回顾三极管和MOS......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
和操作的文章中看到了这个图，它帮助我们比较了NMOS和PMOS晶体管的漏极电流。
NMOS和PMOS晶体管的漏极电流与漏源极电压的关系。
图2:NMOS和PMOS晶体管的漏电流与VDS的关系。W / L......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
SiC MOS管的大量使用，在开关过程中会出现尖峰，这与电压电流的瞬态变化以及寄生参数 (电感、电容) 有关，特别是针对高频开关。在SiC MOS开通过程中，伴随很大的电压瞬变，即dv/dt，从而......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性;MOS表现出理想模型所没有的各种二阶效应。为了设计在现实世界中工作的模拟集成电路，我们需要了解这些非理想因素。本文引用地址：在上一篇文章中，我们......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
只能直接对如9000系列的小型管测量，若要测量大管，可以采用接线法，即用小导线将三个管脚引出。这样方便了很多哦。
六、MOS场效应管的测量N沟道的有国产的3D01，4D01，日产的3SK系列。G极（栅极......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
速度低于 MOS管。
2、因为是单向的，在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。
3、不能阻挡更高的反向电压。
4、比 BJT 和 MOS管价格更高。
5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构，因此......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
路示例。
如果要打开MOSFET晶体管，需要在栅极和源极之间的电压高于晶体管的阈值电压。例如，BS170有一个栅源阈值电压2.1V。(Datasheet中有注明)
MOSFET的阈......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
品的稳定性或人的使用感受上影响还是比较大的。
2、对于上面提到的二极管的压降问题，有没有办法克服呢？看下面的电路：
上面的防反接电路采用了一个保险丝和一个反向并联的二极管，电源极性正确，电路正常工作时，由于负载的存在电流较小，二极......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
场效应管构成的防接反电路
这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时......
相关企业
;深圳富邦科技有限公司;;我司代理电源管理IC，现在有很多内置三极管和MOS管的电源IC方案，100W以内的都有方案，主要品牌有：亚成微，微盟，芯联，芯龙，信安，BYD。各种性IC和MOS管的性价比非常高。
;鸿海集团（香港）;;鸿海集团在深圳的分公司，主要做IC、MOS管的现货销售
;上海继恩实业有限公司;;我们公司是专业产家MOS管的原厂,欢迎各位厂家来订购!
;深圳市宝佳科技有限公司;;本公司主要代理CET（华瑞）全系列MOS管的产品销售。 MOS系列广泛应用于MP3,MP4,PMP数码产品，电源，充电 产品，解码板，LCD显示
;深圳市亿伟世电子科技有限公司;;深圳市亿伟世科技有限公司是比亚迪电源IC和高压MOS管的一级代理，电源IC：BF1501 BF1502 BF1508 MOS：2N60－12N60，保持原装，价格
;丰艺电子有限公司;;丰艺电子股份有限公司是台湾上市公司,为AOS品牌MOS管的原厂一级代理商,价格优势,交货稳定!!
;深圳市赛尚电子科技有限公司;;本公司是专业代理多种知名品牌IC和MOS管的厂家，“以质量求生存，以信誉求发展”
;瑞特鑫电子科技(深圳)有限公司;;本公司是美国力特保险丝及台湾UTC系列MOS管的代理商,向业内人士提供优质的相关产品,欢迎垂询
康桥）、CBC（上海源赋创盈）。MOS管的品牌：KEC（韩国半导体）、CET（台湾华瑞）、AP（台湾富鼎先进）、AOS（美国万代）、CBC（上海源赋创盈），灯珠品牌：samsung（韩国三星）、HELIXEON
;凯晶半导体有限公司;;凯晶半导体有限公司成立于2009年3月。公司总部设立在台湾，主要从事场效应管的研发和设计，产品涵盖低压MOS的各种型号和封装。