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Kinaltek宣布纳米硅技术取得突破 可使电池负极的比容量提高数倍(2022-11-29)
颗粒)的开发取得了重大突破。
(图片来源:Kinaltek)
Kinaltek的技术能力已得到扩展,除了纳米颗粒,还可以直接生产硅纳米线和硅碳复合材料。这些......
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具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
导通性能和开关动作下降。
本文介绍了 SB MOSFET
的特性和特性,以及为什么次线性是由源极侧而不是漏极侧引起的。为了支持要使用的各种实验和模拟,使用了具有硅化镍源极和漏极触点的双栅极硅纳米线晶体管。
该晶......
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7nm后,这个技术将接替FinFET延续摩尔定律(2016-12-12)
电子元件会议(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅纳米线垂直堆叠的环绕式闸极(GAA)金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFETs)的......
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下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
队使用硅锗混合材料在硅表面增设多个分层;随后在此基础上制作了包含多个替代层的“鱼鳍”,有些类似于具有多种沉积岩结构的岩石柱。在该步骤之后,团队移除硅锗,在每一鳍中只保留下两根硅纳米线。
为了成功制造晶体管,团队在每一根纳米线......
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下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
队使用硅锗混合材料在硅表面增设多个分层;随后在此基础上制作了包含多个替代层的“鱼鳍”,有些类似于具有多种沉积岩结构的岩石柱。在该步骤之后,团队移除硅锗,在每一鳍中只保留下两根硅纳米线。
为了成功制造晶体管,团队在每一根纳米线......
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英特尔、三星和台积电演示3D堆叠晶体管,三大巨头现已能够制造互补场效应晶体管(C(2023-12-18)
电也设法达到工业相关的48纳米。该设备的特点包括一种在顶部和底部设备之间形成介电层的新方法,以保持它们的隔离。纳米片通常由硅和硅锗的交替层形成。在制程的适当步骤中,硅锗专用刻蚀方法去除该材料,释放硅纳米线。为了......
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英特尔、三星、台积电展示下代CFET架构(2023-12-22)
电尝试硅锗专用刻蚀法,释放硅纳米线前于两个晶体管间构建隔离层。
预计CFET技术转为大规模商用约需七至十年,目前仍有许多前期准备工作要做。
封面图片来源:拍信网......
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半导体工艺变局在即|3nm以下工艺举步维艰,纳米片浮出水面(2023-01-11)
个很有前途的未来晶体管候选者。GAA-FET基本上是一个硅纳米线(nanowire),其栅极从四面与沟道接触。就静电学而言它被认为是一种终极CMOS器件。在某些情况下,GAA-FET沟道中可能需要InGaAs或其......
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基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计(2022-12-27)
基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计;近些年,加速度计因其体积小、功耗低、易于与互补金属氧化物半导体晶体管集成电路(CMOS IC)整合而受到持续关注。目前已经开发了电容、压阻......
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关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍(2023-04-18)
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍;纳米材料电学测试方案将在本文中阐述,包括《纳米线/碳纳米管测试方案》、《二维/石墨烯材料测试方案》。纳米材料电学测试SMU 应用场景、测试......
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纳米线网络能像人脑一样学习和记忆,有望提升机器人性能(2023-04-25)
纳米线网络能像人脑一样学习和记忆,有望提升机器人性能;
纳米线网络(左),网络路径的变化和加强(右)。图片来源:埃隆·洛夫莱斯
澳大利亚悉尼大学科学家领导的一个国际团队在最新一期《科学进展》杂志......
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我国首次建立基于硅晶格常数溯源的集成电路纳米线宽标准物质(2024-09-14)
我国首次建立基于硅晶格常数溯源的集成电路纳米线宽标准物质;近日,市场监管总局批准建立平面结构纳米线宽标准物质([2024]国标物证字第5975号)和立体结构纳米线宽标准物质([2024]国标......
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中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转(2021-09-27)
所制备的高晶体质量氮化镓(GaN)纳米线,构建了应用于日盲紫外光探测领域的光电化学光探测器[Nano Letters 2021, 21, 120-129; Advanced Optical Materials 2021, 9......
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5nm的晶体管会是什么样子?(2016-11-11)
。
对于那些想把制程推进到5nm的企业来说,他们只有两个选择,一个是FinFet,另一个是横向的gate-all-around FET。
Gate-all-around (GAA),有时候被称作横向纳米线......
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中国科大在硅基半导体量子芯片的自旋调控上取得重要进展(2021-05-21)
中国科大在硅基半导体量子芯片的自旋调控上取得重要进展;中国科学技术大学郭光灿院士团队在硅基半导体锗纳米线量子芯片研究中取得重要进展。该团队郭国平、李海......
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FinFET之后,集成电路怎么发展?(2017-07-31)
其它选择,比如 III-V 族 finFET、互补式 FET(CFET)、TFET 和垂直纳米线(vertical nanowires)。垂直纳米线涉及到以垂直的方式对线进行堆叠。
CFET 是一......
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芯片工程师,是时候了解GAA晶体管了(2023-04-14)
有两种类型——纳米片和纳米线。关于纳米片以及纳米片和纳米线之间的区别存在很多混淆。业界对这些设备仍然知之甚少,或者某些问题的长期影响有多大。与任何新设备一样,第一代是一种学习工具,随着......
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光子超材料表现出新物质态特征,符合连续“时间晶体”属性(2023-05-10)
人员使用光子超材料来实现连续的时间晶态。他们使用的系统是由柔性纳米线支撑的二维等离子体元分子阵列,即促进与纳米级光相互作用的人造结构。
结果证明,用与......
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最高分辨率单光子超导相机问世,可用于生物医学成像及天文观测等领域(2023-10-27)
最高分辨率单光子超导相机问世,可用于生物医学成像及天文观测等领域;
NIST研究人员构建的40万个超导纳米线单光子相机,这是同类相机中分辨率最高的相机。经过进一步改进,该相......
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液态金属薄膜导体实现3D表面的高度可拉伸电极(2024-06-19)
伸导电材料是一个重要且基本的组成要素,是当前的研究热点。关于可拉伸导体的研究已有广泛报道,例如:导电弹性体、金属纳米线以及图案化的金属薄膜导体等。
尽管这些可拉伸导电方案在许多应用中非常有前景,但在某些情况下,这些......
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5纳米芯片时代,中国还有机会吗?(2017-08-15)
5纳米芯片时代,中国还有机会吗?;
来源:内容来自微言创新 ,谢谢。
近日,IBM宣布其与三星、GlobalFoundries组成的联盟成功开发出业界第一个全新硅纳米......
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三星3纳米GAA部分细节曝光,晶体管密度最高较7纳米提升80%(2021-03-16)
窥三星目前发展。
报道指出,GAAFET其实有两种,一种是使用纳米线做为电子电晶体鳍片的常见GAAFET,另外一种则是以纳米片形式出现的较厚鳍片多桥通道场效应电子电晶体MBCFET。两种......
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(2023.12.25)半导体周要闻-莫大康(2023-12-26)
片中的锗材料,从而释放硅纳米线。为了能将纳米片中硅和硅锗的交替层进一步隔离,台积电使用了锗含量异常高的硅锗。这种材料比其他SiGe层蚀刻得更快,因此可以在释放硅纳米线......
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新能源电池创新技术与展望(2022-11-29)
需要进行更多的创新,因此特斯拉对于硅碳纳米线电池的期待也十分迫切。下面我将就电池材料技术为大家介绍几部分内容,包括固态电池等相关电池所带来的装备变革,以及电池系统方面的技术。
PI阳离子粘接剂
图片来源:北京......
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单光子探测器研究现状与发展(2023-03-15)
光电二极管等传统单光子探测器以及基于新型二维材料的雪崩光电二极管、超导纳米线单光子探测器等新型单光子光电探测器的优势与不足,并对其发展前景进行了展望。此外还介绍了单光子探测器在量子通信、激光测距和成像等领域的应用。
单光......
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湖南德智新材料半导体用碳化硅蚀刻环项目完成主体工程建设,将于明年初投产(2022-06-13)
用于半导体刻蚀工艺的制备环节。
据官方介绍,德智新材料成立于2017年,是一家专业从事碳化硅纳米镜面涂层及陶瓷基复合材料研发,生产和销售的高新技术企业。
消息指出,2018年,德智......
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Aledia揽获双奖:“French Tech 120”以及Blue NOVA荣获Display Week奖项;
中国,北京-2024年5月30日-面向下一代的纳米线(nanowire)和3D......
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Aledia揽获双奖:“French Tech 120”以及Blue NOVA荣获Display Week奖项;中国,北京-2024年5月30日-面向下一代显示器的纳米线(nanowire)和3D......
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华为哈勃再投一家碳化硅企业(2021-09-15)
查信息截图
企查查信息显示,德智新材料成立于2017年,法定代表人为柴攀,是一家专业从事碳化硅纳米镜面涂层及陶瓷基复合材料研发,生产和销售的高新技术企业。公司经营范围包含涂层材料加工;环保......
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Aledia揽获双奖:“French Tech 120”以及Blue NOVA荣获Display Week奖项;面向下一代显示器的纳米线(nanowire)和3D硅基microLED技术......
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抢先一步导入 GAA 制程技术,三星要借此弯道超车台积电(2021-08-10)
属栅极全面性包覆,为环状结构,比FinFET金属栅极只包覆3面来说,增加更多半导体电路,再以闸极包覆纳米线,提高电路控制和稳定性,提升芯片运算效能,并降低芯片功耗。
因GAA技术是半导体制程革新,因此......
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软体机器人能轻松爬过环路和弯道(2024-05-16)
它们沿着克雷斯林图案的折痕组合成细条。每个折叠处安装了一个由银纳米线制成的可拉伸加热器。纳米线加热器上的电流加热控制条,使得两种材料因不同的热膨胀系数而发生形变,进而引发折叠。通过调整电流和控制条,研究......
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全方位拉伸亦能保持灵敏度,仿生电子皮肤像鳄鱼皮般柔韧(2023-03-21)
发明一种带有细小皱纹的半球形弹性聚合物,其中包含长纳米线或短纳米线,研究人员创造了一种性能优于目前压力传感器的设备。其他传感器在机械变形时会失去灵敏性,但新型传感器表面细小的皱纹结构,受压时会展开,在一......
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全球首个真空噪声芯片发布(2024-09-23)
独立可控安全的国产芯片产业链和供应链体系。
除了上述提到的国光量子,此前显芯科技量产了全球首款28nm内嵌RRAM画质调节芯片;香港理工大学的研究团队研发出了世界首创的16位量子比特半导体微型处理器芯片;中国计量科学研究院的纳米线宽标准物质研制团队初步构建了基于硅晶格常数溯源的集成电路高准确度纳米线......
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打破摩尔定律有望!1 纳米电晶体已出现?(2016-10-18)
或线宽更长时是优点,但在 5 纳米线宽以下,却会出现量子力学里所谓的量子穿隧效应,部分电子可能穿透闸极产生漏电流,甚至让电晶体整个无法关闭造成失控。但透过二硫化钼较矽来得重的特性,在较小线宽之下,还能......
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新型“触发器”量子比特问世,像电信号一样容易控制(2023-02-15)
成果发表在《科学进展》上。
托管“触发器”量子位的硅纳米电子设备的草图。核自旋(橙色的n)和电子自旋(蓝色的e)相互翻转,始终指向相反的方向。 图片来源:新南威尔士大学
新南......
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三星7nm工艺揭秘,摩尔定律还能继续(2017-03-13)
是对应的最好答案。
在这里我们详细介绍一下GAA和三五族沟道材料:
(1)Gate-all-around (GAA)
GAA有时候被称作横向纳米线场效应管。这是一个周边环绕着 gate 的 FinFet 。GAA......
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打破摩尔定律有望!1 纳米电晶体已出现?(2016-10-18)
或线宽更长时是优点,但在 5 纳米线宽以下,却会出现量子力学里所谓的量子穿隧效应,部分电子可能穿透闸极产生漏电流,甚至让电晶体整个无法关闭造成失控。但透过二硫化钼较矽来得重的特性,在较小线宽之下,还能......
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性能提升20倍!美国全新纳米级3D晶体管面世(2024-11-07)
人员精心构建出直径仅为6纳米的垂直纳米线异质结构,使得晶体管更加小巧精致。
经过严格的测试验证,这款新型晶体管在状态切换方面展现出了卓越的性能,其速度之快、效率之高令人瞩目。与同类隧穿晶体管相比,其性......
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防水且透明柔性有机发光二极管制成(2023-07-31)
柔性显示器在包括汽车显示器、生物保健、军事和时尚等多个领域备受瞩目。但众所周知,当发生小变形时,它们很容易断裂。为解决这个问题,科学家们正在对许多透明的柔性导电材料,如碳纳米管、石墨烯、银纳米线......
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防水且透明柔性有机发光二极管制成(2023-07-31 16:10)
保健、军事和时尚等多个领域备受瞩目。但众所周知,当发生小变形时,它们很容易断裂。为解决这个问题,科学家们正在对许多透明的柔性导电材料,如碳纳米管、石墨烯、银纳米线和导电聚合物等开展积极研究。MXene......
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5年内进入3纳米,台积电真能做到吗?(2017-02-13)
节点,将会进展至采用水平纳米线(horizontal nanowire),而该节点应该会是经典半导体制程微缩的终点;其后2.5纳米节点堆栈n型与p型纳米线,可望在2025年将晶体管密度增加60~70......
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首个气流调谐液滴激光器出现,有望催生更便宜光纤通信设备(2023-02-14)
咪唑四氟硼酸盐”(EMIBF4)的离子液体与一种染料混合,使其成为激光介质。之所以选择这种液体,是因为它蒸发得非常缓慢,并且具有相对较大的表面张力。然后研究团队在石英衬底上涂上微小的氟化二氧化硅纳米颗粒,使其......
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三星上半年量产首代3纳米GAA技术制程,第二代制程研发中(2022-02-10)
传统FinFET沟道仅三面被栅极包围,GAA以纳米线沟道设计使沟道整个外轮廓都被栅极完全包覆,代表栅极对沟道的控制性能更好。
三星研究人员将全环栅(GAA)晶体管设计的3nm CMOS技术......
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力拼台积电,三星宣布3纳米GAA成功流片(2021-06-30)
进一步微缩更有可能性。相较传统FinFET沟道仅3面被栅极包覆,GAA若以纳米线沟道设计为例,沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹,代表栅极对沟道的控制性更好。
3纳米GAA制程技术有两种架构,就是......
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KERI研发可精确控制光路的三维衍射光栅技术 可用于汽车抬头显示器(2023-08-11)
仅为人类发丝的千分之一)。KERI拥有世界最为先进的纳米级3D打印技术,可利用“横向印刷”(lateral printing)技术打印高密度纳米线衍射光栅。
该衍射光栅技术有望用于各种先进显示应用。得益......
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吉时利高电阻/低电流静电计Keithley6430的使用及注意事项(2023-05-23)
6430具有超低噪声0.4fA p-p和前置放大器,广泛用于低电平信号测量比如研究单电子器件、高电阻纳米线和纳米管、聚合物以及电化学等应用。
6430源表输出四象限示意图
和其......
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能量密度翻番的电池来了(2024-05-15)
-S batteries)由硫复合阴极、金属锂阳极和两者之间的电解质组成。
今年年初发表于《IEEE Access》杂志上的一项研究表明,在对锂离子电池、硅聚丙烯腈(SiCPAN)电池、硅纳米线(SiNW))电池......
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吉时利2450型触摸屏数字源表的使用优势和典型应用分析(2023-05-25)
利源表非常适合当今多种现代化电子器件的电流/电压特性分析和功能测试,包括:
纳米材料与器件测试,如石墨烯、碳纳米管、纳米线、低功耗纳米结构等;
半导体结构测试,如晶圆、薄膜
有机材料与器件测试,如电子墨水、印刷电子技术
能量......
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简单圆珠笔可手写出自定义LED(2023-08-16)
)和发光图(右下)。图片来源:圣路易斯华盛顿大学
该方法能使个人在短短几分钟内创建多色LED和光电探测器,其利用圆珠笔的简单性,填充由导电聚合物、金属纳米线和钙钛矿晶体材料制成的专门设计的墨水,产生......
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;深圳市恩讯浦科技有限公司市场部;;德萨科技是一家研发、生产氟、硅纳米材料的高新技术企业,是中国氟硅协会的理事单位.在表面超疏水、疏油纳米材料领域处于国内领先地位.公司主导产品智能手机、穿戴设备整机防水纳米
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