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，为芯片制造商提供深硅刻蚀技术，以开发新一代用于汽车、电力传输和能源行业的功率器件及电源管理集成电路。 随着上述领域的技术日趋先进，对芯片更高功率、更优性能和更大容量的需求日益提高，这要......
功率器件需要在不牺牲外形因素的情况下提高功率容量并改进开关性能，这可以通过采用更高深宽比的沟槽来解决。为此，芯片制造商需要极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺来创建这些对实现器件性能来说至关重要的沟槽。这些深沟槽的深宽比可以达到60:1甚至......
以通过采用更高深宽比的沟槽来解决。为此，芯片制造商需要极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺来创建这些对实现器件性能来说至关重要的沟槽。这些深沟槽的深宽比可以达到60:1甚至更高，并且要求出色的刻蚀......
-Star®已经在国内领先客户的产线上完成认证，并收到更多国内客户的订单；同样应用 ICP 技术的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蚀设备 Primo TSV200E®、Primo TSV300E®在先......
产品的研发与量产导入，为集成电路产业提供了面向6、8、12寸制程刻蚀工艺的光谱检测解决方案。 ZURO系列光谱仪匹配半导体行业标准，满足针对金属刻蚀、单多晶硅刻蚀、化合物刻蚀......
工艺参数的相关性，以及它与空气间隙大小和体积的相关性。 图1显示了SEMulator3D® FinFET模型的横截面。为了在FinFET的栅极和源极/漏极之间引入空气间隙，我们进行了高选择比的氮化硅刻蚀......
的横截面。为了在FinFET的栅极和源极/漏极之间引入空气间隙，我们进行了高选择比的氮化硅刻蚀工艺，然后进行经过优化的氮化硅沉积工艺，以封闭结构并产生空气间隙结构。接着用氮化硅CMP（化学机械抛光）工艺......
材料划分，可以分为硅刻蚀、介质刻蚀以及金属刻蚀（表2）。由于下游的需求场景较多，介质刻蚀机与硅刻蚀机的市场占比较高，成为市场主流。 2.刻蚀与光刻的区别 有些对工艺不熟悉的业者，很容易将刻蚀......
和线圈金属填充两步。首先用体硅刻蚀工艺（主要是DRIE深硅刻蚀）在硅晶圆上刻蚀得到需要制造的线圈的硅模具，然后......
应用于集成电路制造中氧化硅、氮化硅及低介电系数膜层等电介质材料的刻蚀 电感性等离子体刻蚀设备 主要应用于集成电路制造中单晶硅、多晶硅以及多种介质等材料的刻蚀 深硅刻蚀......
全球的微观加工高端设备公司。公司基于在半导体装备产业多年耕耘积累的专业技术，涉足半导体芯片前端制造、先进封装、LED生产、MEMS制造以及其他微观制程的高端设备领域。产品包括CCP刻蚀设备、ICP刻蚀设备、深硅刻蚀......
机、多晶硅刻蚀机、ArF 匀胶显影机、KrF 匀胶显影机、PCM 探针台、背面金属溅射设备等。 值得一提的是，积塔半导体在此前的产线建设过程中，与多......
机等后道设备国产化率仅约3%、TSV深硅刻蚀、TSV电镀设备、薄膜沉积等制程设备几乎都进口自海外。先进封装需求高增、产能紧缺，国内长电科技、通富微电、华天科技等封测厂也在加大2.5D/3D等先......
型设备占据了厂房面积的三分之二左右，而这些设备全部服务于用来生产的400平方米洁净间。 国内首条芯片原子钟生产线由光刻机、真空封装机、深硅刻蚀机等设备组成，可实现芯片原子钟器件生产和检测、物理系统真空封装、芯片......
为刻蚀终点探测进行原位测量 使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测;介绍  半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着......
为刻蚀终点探测进行原位测量; 介绍 行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀......
为刻蚀终点探测进行原位测量;介绍 本文引用地址：半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀......
刻蚀设备收入增长58.49% 中微公司2020年营收22.73亿元;3月31日消息，昨日中微公司发布其2020年年报，报告期内，中微公司实现营业收入22.73亿元，较上年增长16.76%。归属......
是探索巨大潜在解空间、加速工艺发展的同时减少硅实验成本的重要工具。本文将说明我们在高深宽比通孔钨填充工艺中，利用虚拟DOE实现了对空隙的有效控制和消除。示例中，我们使用原位沉积-刻蚀-沉积 (DED) 法进......
国产新突破，北方华创ICP刻蚀机1000腔顺利交付;近期，国产刻蚀机取得新的突破。北方华创近日宣布，公司ICP刻蚀机1000腔已经顺利交付。 北方华创自2001年成立后便开始组建团队研发刻蚀......
中微公司ICP刻蚀设备Primo nanova®系列第500台付运;3月21日，中微公司宣布，公司电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo nanova®系列第500台反......
中国研发团队在SOT-MRAM取得重要进展;当前，全世界主要半导体研发机构和企业都在SOT-MRAM刻蚀工艺上开展了大量工作，然而，SOT-MRAM的刻蚀......
中微半导体首台8英寸CCP刻蚀设备顺利付运;近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微半导体”）首台8英寸甚高频去耦合反应离子（CCP）刻蚀设备Primo AD-RIE 200顺利......
神工股份拟定增不超3亿元于集成电路刻蚀设备用硅材料扩产项目等;4月23日，神工股份披露预案，公司拟定增募集资金不超过3亿元，用于集成电路刻蚀设备用硅材料扩产项目、补充流动资金。 根据预案，本项目主要以刻蚀......
布局省内首条产线，山东有研刻蚀设备用硅材料项目通线量产;10月16日，山东有研刻蚀设备用硅材料项目通线量产，这是全省首条集成电路刻蚀设备用硅材料生产线，在填补省内技术空白同时，还将......
降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术;摘要：使用SEMulator3D®可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺，实现电阻的大幅降低 封面图： 正文： 作者：泛林集团 Semiverse......
中微公司尹志尧：公司12英寸刻蚀设备已进入5纳米芯片生产线;4月6日消息，中微公司举行了2020年度业绩说明会。会上，中微公司董事长、总经理尹志尧表示，公司的等离子体刻蚀......
韩国吉佳蓝公司将在中国无锡，建设刻蚀设备研发制造基地;据无锡日报报道，7月25日，韩国吉佳蓝公司与无锡市签署合作协议，在无锡高新区落户中国总部项目，将在无锡建设半导体刻蚀......
中微公司ICP刻蚀设备Primo nanova®第100台反应腔交付;中微公司官微消息显示，6月9日，中微公司在上海总部举办电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo nanova®第100台反......
泛林集团在芯片制造工艺的刻蚀技术和生产率上取得新突破;近日，泛林集团（Nasdaq: LRCX）发布了一项革新性的等离子刻蚀技术及系统解决方案，旨在为芯片制造商提供先进的功能和可扩展性，以满......
中微半导体诉美国半导体厂商侵犯刻蚀机商业秘密案，终审胜诉！;7月11日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布，公司在针对美国半导体设备大厂泛林集团（Lam Research......
)提起的侵犯商业秘密案中赢得二审胜诉。 在 6 月 30 日上海市高级人民法院的终审判决中，法院命令泛林集团销毁其非法获取的与中微公司等离子刻蚀机有关的一份技术文件和两张照片;法院......
中微公司：正进行高产出的ICP刻蚀设备的研发;6月1日，中微公司发布2021年5月投资者调研报告。中微公司称，公司主要盈利模式为从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED芯片、先进......
总投资10亿元，基侑电子半导体刻蚀设备生产项目正式签约;据微讯广丰消息，6月19日，半导体刻蚀设备生产项目签约仪式举行。 半导体刻蚀设备生产项目由昆山基侑电子科技有限公司（以下简称“基侑......
半导体设备，涵盖光刻、刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗和检验等。DIGITIMES Research分析师Eric Chen表示，对光刻和薄膜沉积设备的限制更有可能实施，从而影响中国先进的半导体制造。 在光......
过程中就会需要更多的蚀刻设备。 从全球刻蚀设备市场份额来看，泛林半导体、东京电子和应用材料三家企业的合计占据了全球刻蚀设备市场的90%以上。其中泛林半导体独占52%的市场份额，东京电子与应用材料分别占据20%和19%的市......
%。 图片来源：中微公司公告截图 报告指出，2021年上半年度营业收入同比增长36.82%，主要系：受益于半导体设备市场发展及公司产品竞争优势，上半年刻蚀设备收入为8.58 亿元，同比......
半导体设备上市公司万业企业携手全球产业专家共同投资成立，总投资规模达20亿元，用地面积109亩，公司研发及制造刻蚀、薄膜沉积、快速热处理等等集成电路成熟工艺的关键设备，产品范围覆盖芯片制造核心设备的多个重要品类。 据了解，自......
盛美上海推出Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备;9月4日，盛美上海宣布推出用于扇出型面板级封装（FOPLP）应用的新型Ultra C bev-p面板边缘刻蚀设备。该设备专为铜相关工艺中的边缘刻蚀......
芯片的过程十分复杂，今天我们将会介绍六个最为关键的步骤：沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。 沉积 沉积步骤从晶圆开始，晶圆是从99.99%的纯硅圆柱体（也叫“硅锭”）上切下来的，并被......
如此，应用材料公司已经准备好了覆盖范围最广泛的GAA制造产品线，包含涉及外延生长、原子层沉积和选择性材料刻蚀的全新生产步骤，以及两项全新的用于制造理想GAA氧化......
中微上半年扣非净利增超600%！;中微半导体今日披露2022年上半年财报。据公开资料，中微半导体是我国半导体制造设备厂商，主要开发离子体刻蚀设备和化学薄膜设备，在2018年年初就已宣布成功研发5nm......
握的核心技术平台基础上，公司紧贴客户需求，将跨学科知识、多实验工艺方法、多方产业链资源加以整合，形成了关键工艺部件、工艺部件和结构部件三大类主要产品，重点应用于刻蚀......
对准图形化中使用半大马士革方法 使用间隙填充和间隔层去除方案，我们提出在自对准图形化中使用半大马士革方法。间隔层去除方案需要选择性刻蚀工艺。区域选择性沉积 (ASD) 是填充LE2间隙的最佳沉积选择。图1 (a) 展示......
，我们还使用新掩膜版模拟和测试了用于提升电阻电容性能和改进制造的额外工艺。 在自对准图形化中使用方法 使用间隙填充和间隔层去除方案，我们提出在自对准图形化中使用半大马士革方法。 间隔层去除方案需要选择性刻蚀......
厂商景气度连涨两年 按照工艺流程划分，半导体设备可分为晶圆制造（前道设备）和封装、测试设备（后道设备）。 前道晶圆制造设备占据了市场80％以上的份额，设备类型主要包括薄膜沉积、光刻机、刻蚀......
电薄膜不仅仅意味着更低的介电常数 (k)，尽管这是一个重要因素。薄膜也必须在不损害其他电路元件的情况下进行沉积，还要能够在随后的热加工、刻蚀、清洗和其他步骤中存留并且不改变任何特性，它们......
，投产后年产值超1亿元。 消息显示，SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材。SiC刻蚀环对纯度要求极高，只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体，随后经精密加工而制得，主要用于半导体刻蚀......
集成的工艺假设。 流程模拟 使用SEMulator3D对3nm后段方案的半大马士革空气间隙工艺流程进行模拟。图1展示了关键的工艺步骤，其中包括M1钌刻蚀步骤、随后的空气间隙闭合、完全......
SEMulator3D对3nm后段方案的半大马士革空气间隙工艺流程进行模拟。图1展示了关键的工艺步骤，其中包括M1钌刻蚀步骤、随后的空气间隙闭合、完全自对准通孔图形化、完全自对准通孔/M2金属化、以及......

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为客户提供产品整体光学设计，模具刻蚀网点设计，模具光学处理，模具设计产能达到50套/月，模具精度+0.005mm；刻蚀精度+0.001mm，生产设备大部分为日本进口，如SUMITOMO和DEMAG等高
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