中微半导体设备公司在刻蚀领域和薄膜沉积领域深耕已久，并曾制造出中国第一台电解质刻蚀机。目前它推出的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米的集成电路加工制造及先进封装，芯片介质刻蚀设备占据了中芯国际 50%以上的新增采购额。

同时，中微公司是国内唯一兼具CCP与ICP两种刻蚀技术的企业。公司2021年上半年刻蚀设备收入为8.58亿元，较去年同期增长约83.79%，毛利率达到44.29%。

【编辑注：根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀(CCP)和电感性等离子体刻蚀(ICP)。CCP和ICP是等离子刻蚀设备中应用最广泛的两类设备。】

目前公司等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米的集成电路加工制造及先进封装。

半导体领域的薄膜沉积方面，中微公司的MOCVD可用于制造LED外延片、LED、OLED、MiniLED等。从2010年开始，中微公司开发用于LED外延片加工中最关键的设备MOCVD设备，目前已开发了三代 MOCVD设备，可用于蓝绿光LED、功率器件等加工，包括:第一代设备PrismoD-Blue、第二代设备Prismo A7及正在开发的第三代30英寸大尺寸设备。

上半年中微公司的MOCVD设备营收2.19亿元同比下降10.08%，但该项业务毛利率达到30.77%，较去年同期大幅提升。

其核心产品如下表所示：

表：中微半导体设备公司核心产品包括等离子体刻蚀设备及MOCVD设备等。

在客户方面，中微设备已成功进入了部分海内外主流半导体制造企业：

• 刻蚀设备的用户包括台积电、中芯国际、联华电子、华力微电子、海力士、长江存储等集成电路制造商（或半导体封测厂商）；
• MOCVD设备的客户包括三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电等LED芯片及功率器件制造商。

研报披露已在进军3nm工艺

中微公司称，目前CCP刻蚀机已在5nm器件上实现量产，并在5纳米以下器件的试生产上实现了突破性的进展。

在研项目显示中微公司目前已完成3nm刻蚀机Alpha原型机的设计、制造、测试及初步的工艺开发和评估。

用于更小器件、厚度薄的软材料的ICP刻蚀机则在高速发展阶段。

中微临港产业化基地项目开工

2004年，公司董事长尹志尧放弃美国百万年薪，带领15人小团队回国创办了中微。目前中微的设备已打入台积电、中芯国际、意法半导体等制造和封测客户。

近日，中微临港产业化基地项目开工，该项目规划总建筑面积约18万平方米，项目基础建设总投资约15亿元。项目建成后将满足中微公司集成电路设备、泛半导体设备的研发、测试和产业化需求。中微临港产业化基地计划于2022年底建成并投入使用。

图：中微公司董事长兼总经理尹志尧博士。

中微刚刚公布的上半年业绩大幅提升，同时上半年也加大了研发投入，开支2.86亿元，相较去年同期增长38.1%。公司的研发人数也从去年同期的298人增加至348人。

9月14日，中微公司董事长尹志尧先生将出席第二届中国（上海）自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛，进行《打造全方位高质量的，有国际竞争力的半导体设备公司》的主题演讲，欢迎【免费报名现场交流】。

责编：胡安