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上海微电子推出新一代先进封装光刻机，首台将于年内交付;据上海微电子装备集团消息，9月18日，上微举行新产品发布会，宣布推出新一代大视场高分辨率先进封装光刻机。 图片来源：上海......
据时代的需求在不断扩大应用范围。今后，佳能将继续扩充半导体光刻机的产品阵容和可选功能，以支持各种尺寸和材料的晶圆以及下一代封装工艺。此外，在尖端领域为满足电路图案进一步微细化的需求，佳能......
设备广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造领域。在半导体后道封装光刻机领域，上海微电子颇具优势。官方信息显示，2009年12月，公司首台先进封装光刻机......
高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求，可用于200/300毫米线的大规模工业生产。 SSB500系列步进投影光刻机适用于晶圆级封装......
用小芯片技术设计的芯片，采用的是不同的架构，依赖的是芯片制造的后道环节。传统方法现在依赖的是ASML的光刻机和台积电的制造技术，而小芯片技术则不然，所依赖的是先进封装光刻机和先进封装技术。 上面......
双重曝光。 集邦咨询的报告显示，阿斯麦将在2024年生产10台新一代High-NA 光刻机，其中英特尔就定了多达6台。因High-NA EUV光刻机与标准EUV光刻机差异不小，提升......
。其中，封装光刻机对于光刻精度和控制精度的要求都比制造用光刻机要低。世界上只有少数厂家掌握尖端技术。 公开资料显示，英唐智控成立于2001年，是国......
光刻机出货的影响也相对是有限的。 更何况，国内厂商在先进光刻机方面取得了诸多突破，目前已经拿下了国内八成光刻机市场，以及全球四成的封装光刻机市场。 由此可以看出，ASML不放......
硅晶圆的微缩化制程发展，但复杂的工艺和高昂的成本使微缩化的发展接近于极限。在这种情况下，作为进一步提高性能的方法，新一代封装技术正在引起人们的关注。 其方法就是将具有不同功能的多个芯片，如CPU和存储器等，高密......
高端市场要变天?佳能宣布发售新一代i线步进式光刻机; 12月7日，日本宣布将于2023年1月上旬发售面向后道工艺的新产品——i线步进式光刻机“FPA-5520iV LF2 Option......
ASML新一代EUV光刻机，一台售价近27亿元;据路透社报道，半导体设备巨头ASML正在着手研发价值4亿美元（约合人民币26.75亿元）的新旗舰光刻机，有望2023年上半年完成原型机，最早2025......
进一步提升性能、降低功耗和成本，也能够加速2nm芯片的到来。 值得注意的是，三星在5/4nm时代因良率不佳导致订单落后于台积电后，希望通过下一代的产品技术革新扭转局面。这种背景下获得了新一代EUV光刻机......
等多个型号的极紫外光刻机之后，所研发的新一代产品，将沿用EXE系列的命名，已有TWINSCAN EXE:5000和TWINSCAN EXE:5200两个型号。 阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，数值......
连ASML都发出了警告称，中国能够制造出一切他们所需要的产品。 而在芯片制造后道，封装环节部分中企也同样取得了突破，不仅发布了自己的原生小芯片技术标准，还实现了4nm芯片的封测技术，并且推出的国产封装光刻机......
下代EUV光刻机要来了 炬光科技：是ASML核心供应商的重要供应商;1月25日消息，针对投资提问ASML的新一代光刻机EXE:5200是否使用了炬光科技的产品，炬光科技回应称公司是ASML公司......
制程所使用的设备就是ASML新一代EUV光刻机设备。 值得一提的是，有消息称，台积电此前已经向ASML采购新一代的高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机EXE:5000。如今，三星出访欧洲与ASML洽谈......
，新一代的EUV光刻机更是夸张，功率达到了100万瓦，是上一代的10倍左右，每天耗电3万度，而台积电去年就差不多80台EUV光刻机了，耗电量可想而知。 据统计，台积电2021年耗......
体制造行业是一个高耗电及高耗水的产业，一个重要原因就是光刻机，新一代的EUV光刻机更是夸张，功率达到了100万瓦，是上一代的10倍左右，每天耗电3万度，而台积电去年就差不多80台EUV光刻机了，耗电......
半导体工业在硅基板上整合光接收元件、光调变器、光波导和电子电路等元件的技术。负责转换光讯号和电讯号的光收发器，和集成电路芯片的混合，已逐渐转变为近封装光学元件和共封装光学元件。最终的光电融合是3D共封装光学，即三维整合。可以......
ASML今年发货第一台高NA EUV光刻机：成本逼近30亿元;EUV光刻技术的推进相当困难，光刻机龙头ASML也是举步维艰，一点点改进。ASML宣布，将在今年底发货第一台支持高NA(数值孔径)的......
ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机就成为了各家争夺的香饽饽。 英特尔此前曾对外表示，其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特......
尼康推出新一代步进式光刻机“NSR-2205iL1”，2024 年夏季上市;9 月 6 日消息，尼康宣布推出新一代具有 5 倍缩小投影倍率的 i-line 步进式光刻机“NSR-2205iL1......
日在韩国首尔召开的一场新闻发布会上表示，ASML新一代的High-NA EUV光刻机将于2024年开始发货，每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。 在今天的新闻发布会上，温宁......
赖将更甚。 另外，ASML定于明年中旬交付最新一代EUV光刻机TWINSCAN NXE:3600D，生产效率提升18%、机器匹配套准精度改进为1.1nm，单台价格或高于老款的1.2亿欧元（约合9.5亿元......
只有这样才能得到所需要的曝光图案。 当下，台积电和EDA供应商新思正在将全新的NVIDIA cuLitho计算光刻技术软件库整合到最新一代NVIDIA Hopper架构GPU的软件、制造工艺和系统中。光刻机......
佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品;佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品 通过100X100mm超大视场曝光 实现大型高密度布线封装的量产 佳能将于2023年1......
东京电子将向ASML提供面向新一代EUV的设备;根据日经中文网的消息，东京电子6月8日发布消息称，将向ASML和IMEC联合运营的实验室提供新一代设备，该设备将和ASML生产的EUV光刻......
在半导体制造的前道工艺中实现电路的微细化十分重要，在后道工艺的高密度封装也备受关注，而实现高密度的先进封装则对精细布线提出了更高要求。同时，近年来半导体光刻机得到广泛应用，这一背景下，半导体器件性能的提升，需要......
晶圆代工布局2nm芯片，瞄准High-NA EUV光刻机;韩国三星日前与荷兰半导体设备商ASML签署了价值1万亿韩元（约7.55亿美元）的协议，两家公司将在韩国投资建造半导体芯片研究工厂，并将在该研究工厂开发新一代......
EUV有望在未来几年成为主流。 随着半导体制程工艺演变，工艺推进的成本也越来越高，如今能负担起最新制程研发的基本只剩四家：GlobalFoundries，Intel，三星和台积电。这几家公司采购新一代光刻机......
也卖不动了，台积电被曝砍单40%订单。 EUV光刻机是7nm以下工艺必不可少的核心设备，全球只有荷兰ASML公司能够生产，售价高达10亿，下一代EUV光刻机会更会涨价到25亿以上，但是......
21年来首次！佳能扩产光刻机设备！;据日经新闻报道，佳能计划投资500亿日元提高光刻机产量，将其在日本的半导体制造设备产量翻一番。 报道称，佳能将在日本东部栃木县新建一座半导体设备厂，目标......
芯片之后，表示将目标定在2nm芯片。三星计划2025年实现应用在移动领域2nm工艺的量产，于2026和2027分别扩展到HPC及汽车电子。据媒体9月报道，三星正准备确保下一代EUV光刻机High-NA......
足高性能计算等先进芯片需求。而3/2nm工艺的实现则需要依赖于ASML新一代的高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机EXE:5000系列。 但是，High NA EUV光刻......
台的一系列半导体出口措施保持一致。 外媒消息称，在具体的执行层面，即是禁止向中国出售DUV浸润式光刻机，其先进程度比EUV光刻机落后一代，是制造7nm以上制程芯片的必备硬件。 据了解，在半......
软件等规模化应用，探索光刻机整机测试平台建设。填补核心材料产业空白环节，实现光刻胶、溅射靶材和专用气体等材料国产化突破。加速先进封装工艺和测试能力落地，满足国产CPU、显示驱动和5G射频......
的制程节点受益。 Twinscan NXE:3800E光刻机的价格并不便宜，机器的复杂性和功能是以巨大的成本为代价，每台大概在1.8亿美元。不过比起新一代High-NA EUV光刻机的报价，显然还是要低很多。此前有报道称，业界......
经济萧条，短期内半导体产业并不容易，但从长远来看，将持续保持增长，预计今后10年间年均增长率将达9%。 关于新一代半导体设备Hi-NA EUV光刻机将于2024年首次出货事宜，维尼克表示，预计价格将在3-3.5......
积电决议放缓扩产进度，确保产能不会过度闲置造成成本压力。 先前彭博社报导，ASML EUV光刻机设备生产一天需3万度电，一年耗电约1,000万度，而新一代EUV光刻机设备每部耗电约1百万瓦，约为前几代设备10倍......
尼康推出新一代步进式光刻机“NSR-2205iL1”，2024 年夏季上市;IT之家 9 月 6 日消息，宣布推出新一代具有 5 倍缩小投影倍率的 i-line 步进式“NSR-2205iL1......
构集成工艺的发展空间及其对半导体产业链的影响—布局先进封装的技术积累、潜在应用场景以及待攻克的难点赵晓马，合伙人，灼识咨询 封装篇 展望下一代封装：异构集成如何助力性能、成本......
的最新款EUV曝光机，以用于研发工作。Rapidus应该可以利用与imec的合作关系，获得ASML的最新一代光刻机的相关技术，并填补上述差距。 但是，另一个问题是Rapidus能否获得光刻机......
EUV 光刻机耗能巨大，3 年后台积电将吃掉中国台湾 12% 电力;据彭博社报道，ASML 新一代 EUV 光刻机每台耗电约 1 百万瓦，约为前几代设备的 10 倍，依赖该设备生产芯片的三星、台积......
佳能 3D 技术 i 线光刻机将实现大型高密度布线封装的量产;芯片制造的核心设备则是光刻机。光刻机通过发光将光掩膜上的图形投射在硅片上，制作成芯片。随着芯片精密程度越来越高，光刻机......
佳能 3D 技术 i 线光刻机将实现大型高密度布线封装的量产;芯片制造的核心设备则是光刻机。光刻机通过发光将光掩膜上的图形投射在硅片上，制作成芯片。随着芯片精密程度越来越高，光刻机......
左右的第一代产品，其物镜的NA数孔径是0.33。根据ASML表示，第2代的EUV光刻机目前已经进入开发阶段。 据了解，首代EUV光刻机量产的型号为NXE：3400B，其产能为每小时125PWH......
ASML宣布与比利时微电子研究中心合作 加速推进新一代光刻机;比利时微电子研究中心 (IMEC) 、阿斯麦 (ASML) 共同宣布，双方将在开发先进高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻......
下一代EUV光刻机什么样？ASML来解答; 【导读】近日，ASML发布了2022年第四季度及全年财报，并且披露了未来的技术发展路线，其中ASML在下一代EUV光刻机——High NA......
，可执行晶圆级封装光刻工艺的关键步骤，如光刻胶和Polyimide涂布、软烤；可利用创新性方法和精准的涂胶控制，实现精确的阻挡边缘清除效果。 涂胶......
ASML下代EUV光刻机年底问世：1nm工艺; 据报道，在工艺进入7nm节点之后，EUV光刻机是少不了的关键设备，目前只有能制造，单台售价10亿人民币，今年底还会迎来下一代EUV光刻机，价格......

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