资讯

上海微电子推出新一代先进封装光刻机,首台将于年内交付;据上海微电子装备集团消息,9月18日,上微举行新产品发布会,宣布推出新一代大视场高分辨率先进封装光刻机。 图片来源:上海......
据时代的需求在不断扩大应用范围。今后,佳能将继续扩充半导体光刻机的产品阵容和可选功能,以支持各种尺寸和材料的晶圆以及下一代封装工艺。此外,在尖端领域为满足电路图案进一步微细化的需求,佳能......
设备广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造领域。在半导体后道封装光刻机领域,上海微电子颇具优势。官方信息显示,2009年12月,公司首台先进封装光刻机......
高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术,可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求,可用于200/300毫米线的大规模工业生产。 SSB500系列步进投影光刻机适用于晶圆级封装......
双重曝光。 集邦咨询的报告显示,阿斯麦将在2024年生产10台新一代High-NA 光刻机,其中英特尔就定了多达6台。因High-NA EUV光刻机与标准EUV光刻机差异不小,提升......
用小芯片技术设计的芯片,采用的是不同的架构,依赖的是芯片制造的后道环节。传统方法现在依赖的是ASML的光刻机和台积电的制造技术,而小芯片技术则不然,所依赖的是先进封装光刻机和先进封装技术。 上面......
。其中,封装光刻机对于光刻精度和控制精度的要求都比制造用光刻机要低。世界上只有少数厂家掌握尖端技术。 公开资料显示,英唐智控成立于2001年,是国......
光刻机出货的影响也相对是有限的。 更何况,国内厂商在先进光刻机方面取得了诸多突破,目前已经拿下了国内八成光刻机市场,以及全球四成的封装光刻机市场。 由此可以看出,ASML不放......
高端市场要变天?佳能宣布发售新一代i线步进式光刻机; 12月7日,日本宣布将于2023年1月上旬发售面向后道工艺的新产品——i线步进式光刻机“FPA-5520iV LF2 Option......
硅晶圆的微缩化制程发展,但复杂的工艺和高昂的成本使微缩化的发展接近于极限。在这种情况下,作为进一步提高性能的方法,新一代封装技术正在引起人们的关注。 其方法就是将具有不同功能的多个芯片,如CPU和存储器等,高密......
ASML新一代EUV光刻机,一台售价近27亿元;据路透社报道,半导体设备巨头ASML正在着手研发价值4亿美元(约合人民币26.75亿元)的新旗舰光刻机,有望2023年上半年完成原型机,最早2025......
进一步提升性能、降低功耗和成本,也能够加速2nm芯片的到来。 值得注意的是,三星在5/4nm时代因良率不佳导致订单落后于台积电后,希望通过下一代的产品技术革新扭转局面。这种背景下获得了新一代EUV光刻机......
等多个型号的极紫外光刻机之后,所研发的新一代产品,将沿用EXE系列的命名,已有TWINSCAN EXE:5000和TWINSCAN EXE:5200两个型号。 阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机,数值......
下代EUV光刻机要来了 炬光科技:是ASML核心供应商的重要供应商;1月25日消息,针对投资提问ASML的新一代光刻机EXE:5200是否使用了炬光科技的产品,炬光科技回应称公司是ASML公司......
连ASML都发出了警告称,中国能够制造出一切他们所需要的产品。 而在芯片制造后道,封装环节部分中企也同样取得了突破,不仅发布了自己的原生小芯片技术标准,还实现了4nm芯片的封测技术,并且推出的国产封装光刻机......
制程所使用的设备就是ASML新一代EUV光刻机设备。 值得一提的是,有消息称,台积电此前已经向ASML采购新一代的高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机EXE:5000。如今,三星出访欧洲与ASML洽谈......
新一代的EUV光刻机更是夸张,功率达到了100万瓦,是上一代的10倍左右,每天耗电3万度,而台积电去年就差不多80台EUV光刻机了,耗电量可想而知。 据统计,台积电2021年耗......
体制造行业是一个高耗电及高耗水的产业,一个重要原因就是光刻机新一代的EUV光刻机更是夸张,功率达到了100万瓦,是上一代的10倍左右,每天耗电3万度,而台积电去年就差不多80台EUV光刻机了,耗电......
ASML今年发货第一台高NA EUV光刻机:成本逼近30亿元;EUV光刻技术的推进相当困难,光刻机龙头ASML也是举步维艰,一点点改进。ASML宣布,将在今年底发货第一台支持高NA(数值孔径)的......
值孔径(High NA)的新一代EUV光刻机方面,第一台设备正在客户工厂内进行晶圆合格性测试,第二台已在二季度发运给客户,目前正在组装中,进展顺利。 ASML表示,总体而言,High NA EUV......
ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机就成为了各家争夺的香饽饽。 英特尔此前曾对外表示,其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特......
代工厂商头疼?Hyper-NA EUV售价或超7.24亿美元 据悉,目前EUV光刻机的售价约为1.81亿美元每台,新一代的High-NA EUV倍增至2.9至3.62亿美元一台,Hyper-NA EUV光刻机......
尼康推出新一代步进式光刻机“NSR-2205iL1”,2024 年夏季上市;9 月 6 日消息,尼康宣布推出新一代具有 5 倍缩小投影倍率的 i-line 步进式光刻机“NSR-2205iL1......
半导体工业在硅基板上整合光接收元件、光调变器、光波导和电子电路等元件的技术。负责转换光讯号和电讯号的光收发器,和集成电路芯片的混合,已逐渐转变为近封装光学元件和共封装光学元件。最终的光电融合是3D共封装光学,即三维整合。可以......
日在韩国首尔召开的一场新闻发布会上表示,ASML新一代的High-NA EUV光刻机将于2024年开始发货,每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。 在今天的新闻发布会上,温宁......
赖将更甚。 另外,ASML定于明年中旬交付最新一代EUV光刻机TWINSCAN NXE:3600D,生产效率提升18%、机器匹配套准精度改进为1.1nm,单台价格或高于老款的1.2亿欧元(约合9.5亿元......
只有这样才能得到所需要的曝光图案。 当下,台积电和EDA供应商新思正在将全新的NVIDIA cuLitho计算光刻技术软件库整合到最新一代NVIDIA Hopper架构GPU的软件、制造工艺和系统中。光刻机......
东京电子将向ASML提供面向新一代EUV的设备;根据日经中文网的消息,东京电子6月8日发布消息称,将向ASML和IMEC联合运营的实验室提供新一代设备,该设备将和ASML生产的EUV光刻......
佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品;佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品 通过100X100mm超大视场曝光 实现大型高密度布线封装的量产 佳能将于2023年1......
晶圆代工布局2nm芯片,瞄准High-NA EUV光刻机;韩国三星日前与荷兰半导体设备商ASML签署了价值1万亿韩元(约7.55亿美元)的协议,两家公司将在韩国投资建造半导体芯片研究工厂,并将在该研究工厂开发新一代......
EUV有望在未来几年成为主流。 随着半导体制程工艺演变,工艺推进的成本也越来越高,如今能负担起最新制程研发的基本只剩四家:GlobalFoundries,Intel,三星和台积电。这几家公司采购新一代光刻机......
也卖不动了,台积电被曝砍单40%订单。 EUV光刻机是7nm以下工艺必不可少的核心设备,全球只有荷兰ASML公司能够生产,售价高达10亿,下一代EUV光刻机会更会涨价到25亿以上,但是......
EUV系统每小时可光刻超过185个晶圆,与已在大批量制造中使用的EUV系统相比还有所增加。ASML还制定了到2025年将新一代High-NA EUV系统(EXE:5200)的生产效率提高到每小时220......
在半导体制造的前道工艺中实现电路的微细化十分重要,在后道工艺的高密度封装也备受关注,而实现高密度的先进封装则对精细布线提出了更高要求。同时,近年来半导体光刻机得到广泛应用,这一背景下,半导体器件性能的提升,需要......
21年来首次!佳能扩产光刻机设备!;据日经新闻报道,佳能计划投资500亿日元提高光刻机产量,将其在日本的半导体制造设备产量翻一番。 报道称,佳能将在日本东部栃木县新建一座半导体设备厂,目标......
芯片之后,表示将目标定在2nm芯片。三星计划2025年实现应用在移动领域2nm工艺的量产,于2026和2027分别扩展到HPC及汽车电子。据媒体9月报道,三星正准备确保下一代EUV光刻机High-NA......
足高性能计算等先进芯片需求。而3/2nm工艺的实现则需要依赖于ASML新一代的高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机EXE:5000系列。 但是,High NA EUV光刻......
软件等规模化应用,探索光刻机整机测试平台建设。填补核心材料产业空白环节,实现光刻胶、溅射靶材和专用气体等材料国产化突破。加速先进封装工艺和测试能力落地,满足国产CPU、显示驱动和5G射频......
台的一系列半导体出口措施保持一致。 外媒消息称,在具体的执行层面,即是禁止向中国出售DUV浸润式光刻机,其先进程度比EUV光刻机落后一代,是制造7nm以上制程芯片的必备硬件。 据了解,在半......
工艺的平均 EUV 曝光层数量仅为 20 层; 而在预计于 2027 年量产的 SF1.4 制程中,EUV 曝光层的数量有望超越 30 层。 ▲ ASML 新一代 0.33NA EUV 光刻机......
的制程节点受益。 Twinscan NXE:3800E光刻机的价格并不便宜,机器的复杂性和功能是以巨大的成本为代价,每台大概在1.8亿美元。不过比起新一代High-NA EUV光刻机的报价,显然还是要低很多。此前有报道称,业界......
体设备也随之受益。据公开信息显示,半导体设备是用于生产各类型集成电路与半导体分立器件的专用设备,主要包含前道工艺设备(晶圆制造)和后道工艺设备(封装测试)两大类。 前道工艺设备(晶圆制造)用于晶圆制造环节,设备产品包括光刻机......
积电决议放缓扩产进度,确保产能不会过度闲置造成成本压力。 先前彭博社报导,ASML EUV光刻机设备生产一天需3万度电,一年耗电约1,000万度,而新一代EUV光刻机设备每部耗电约1百万瓦,约为前几代设备10倍......
尼康推出新一代步进式光刻机“NSR-2205iL1”,2024 年夏季上市;IT之家 9 月 6 日消息,宣布推出新一代具有 5 倍缩小投影倍率的 i-line 步进式“NSR-2205iL1......
器件、化合物半导体等行业需要的芯片,这些芯片主要应用于航空航天、移动通讯、新能源汽车、消费电子、AI人工智能等。 ABM Inc.公司介绍 ABM Inc.是一家在光刻机领域具有显著影响力的公司,专注于半导体前道制造和先进封装的光刻机......
经济萧条,短期内半导体产业并不容易,但从长远来看,将持续保持增长,预计今后10年间年均增长率将达9%。 关于新一代半导体设备Hi-NA EUV光刻机将于2024年首次出货事宜,维尼克表示,预计价格将在3-3.5......
的最新款EUV曝光机,以用于研发工作。Rapidus应该可以利用与imec的合作关系,获得ASML的最新一代光刻机的相关技术,并填补上述差距。 但是,另一个问题是Rapidus能否获得光刻机......
构集成工艺的发展空间及其对半导体产业链的影响—布局先进封装的技术积累、潜在应用场景以及待攻克的难点赵晓马,合伙人,灼识咨询 封装篇 展望下一代封装:异构集成如何助力性能、成本......
EUV 光刻机耗能巨大,3 年后台积电将吃掉中国台湾 12% 电力;据彭博社报道,ASML 新一代 EUV 光刻机每台耗电约 1 百万瓦,约为前几代设备的 10 倍,依赖该设备生产芯片的三星、台积......
三井化学将量产光刻薄膜新品,支持ASML下一代光刻机;日前,日本三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线,开始量产半导体最尖端的零部件产品(保护......

相关企业

;怡合瑞丰科技发展有限公司;;注册于香港,代理美国ABM公司的光刻机及其他半导体设备。可以为客户提供先进的凸点制造等封装工艺与设备
;深圳市万易达科技有限公司;;深圳市万易达科技有限公司 (封装光电事业部)是1W LED、3W LED1、5W LED、10W LED、3W RGB LED、5050 SMD LED、3528
;苏州汶颢芯片科技有限公司;;苏州汶颢芯片科技有限公司主营微流控芯片、光刻胶、光刻机、注射泵、烘 箱、干燥箱、培养箱、烧结箱、消毒箱、试验箱、水槽、油槽、马弗炉、振(震)筛机、破碎机等。公司
;深圳市新一代电子设备有限公司;;深圳市新一代电子设备有限公司是一家集生产加工、招商代理的有限责任公司,SMT设备、波峰焊、回流焊、半自动印刷机、锡膏搅拌机、二手贴片机、出板接驳台、进板
军工人严谨科学之作风,赋企业几十年积淀新内涵,使企业得到快速成长稳步发展。公司自有厂房土地产权。拥有普通,超精平面磨床。超精内外磨床,工具磨床,数显铣床,线切割机,激光切割机,激光刻度机,新一代淬火机,镀
中央半导体公司成立于1974年,主要提供多种超小型贴片封装和低功耗 的分立半导体器件。将推出一系列超小封装二极管,晶体管,肖特基整流器,新一代小信号场效应管低,全新400V晶闸管 (SCR)。Central还将
刻字机等。激光雕刻机主要有激光雕刻机、激光切割机、激光裁床、激光打标机、激光刀模切割机、激光雕版机、激光刻章机等。每一种机器我们都有不同尺寸的机型可供选择。 公司产品涵盖了木工、石材、广告、工艺礼品、建筑
打标机,流水号,日期,编号,,电脑雕刻机, 金属标牌参数刻字机,标牌打标机,标牌压印机,铭牌雕刻机,铝合金标牌雕刻机, 电动雕刻笔|电动刻字笔|金属刻字|刻字机|金属雕刻机|激光刻字|激光打
;袁琳;;深圳市新一代电子设备有限公司是一家集生产加工、招商代理的有限责任公司,SMT设备、波峰焊、回流焊、半自动印刷机、锡膏搅拌机、二手贴片机、出板接驳台、进板接驳台、SMT来料加工是深圳市新一代
;枣 庄伟业新一代三面翻;;