资讯
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
会与氧化物发生反应，并且它的稳定性非常好。栅介质材料采用SiO2，因为SiO2可以与硅衬底形成非常理想的Si-SiO2界面。如图1.13（a）所示，是最初铝栅的MOS管结构图。
图1.13铝栅......
STM32-GPIO详解(2024-07-17)
出高阻态时，由上拉电阻和电源向外输出5伏电平，如下图所示。
3、输出数据寄存器
前面提到的双MOS管结构电路的输入信号，是由GPIO“输出数据寄存器“GPIOx_ODR”提供的，因此......
STM32的GPIO功能框图讲解(2023-02-23)
提到的双MOS 管结构电路的输入信号， 是由GPIO“ 输出数据寄存器GPIOx_ODR”提供的，因此我们通过修改输出数据寄存器的值就可以修改GPIO 引脚的输出电平。而“置位/复位......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
彻底弄清MOS管 （NMOS为例;来自专栏芯片基础课
说来惭愧，大二学了一遍模电数电，考研专业课又学了一遍模电数电，但拿到如下这张mos管结构图，让我立马说出：【这是什么型mos管，标准......
为什么PWM驱动芯片用图腾柱(2024-10-12 12:40:02)
能力会更强劲。
图9：MOS管结构的互补推挽
以上互补推挽电路的输入信号幅值必须和推挽供电电压一致，比如推挽供电电压为12V，那么输入的PWM信号的幅值也必须是12V。如果......
单片机IO口设计技巧(2023-01-09)
时将该IO与VSS或VDD相连；
（2）使能内部上拉电阻时，则可以不接或者在PCB设计时将该IO与VDD相连。
02：输入口
请将上拉电阻使能，不能使IO高阻态。
内部上拉电阻是MOS管结构，使能......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
MOS管结构原理：以N-MOS为例，a：P型半导体做衬底;b：上边扩散两个N型区，c：覆盖SiO2绝缘层;在N区上腐蚀两个孔，然后金属化的方法在绝缘层和两个孔内做成三个电极：G(栅极)、D(漏极......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。
N沟道增强型MOS管结构示意图
当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
商城
MOS管从结构上主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层
二氧化硅绝缘层
，
因此......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
达到了40kW，在这样的结构下，采用1,200V的碳化硅MOS管，它的系统拓扑会更加简单，与硅基相比其器件数量将减少50%，损耗下降50%以上，效率约提升2%，峰值可以达到97%，这是......
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析(2023-03-08)
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析;T3ster 是Mentor Graphics 公司研发的瞬态热测试仪，基于国际标准的静态实验方法JESD51-1，测量IGBT、MOS 管、功率二极管、三极......
整理常见电子元器件的等效电路(2024-10-08 16:05:06)
晶闸管等效电路
下图所示是普通晶闸管结构示意图和等效电路。
从等效电路中可以看出，普通晶闸管相当于两只三极管进行一定方式的连接后的电路。
双向......
STM32 GPIO的工作模式(2024-07-17)
需要实现DAC模拟输出，那么也需要将管脚配置成复用功能，但是此时作为“模拟输出”功能，DAC的模拟信号输出就不经过双MOS管结构了，在GPIO结构框图的右下角处，模拟信号直接输出到引脚。
用于......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
1948年：结型晶体管的构想
威廉·肖克利（William Shockley）基于对P-N结效应的理论理解，构想了一种改进的晶体管结构......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
良导体的介面电场很小，不过对于高频讯号而言仍然会造成障碍，好比超过10GHz电波用的天线材料或导线及接头等都是要特别制作的。
重要课题：通道的形成
按照不同的晶体管结构，就会有不同的通道形成方式，我们......
T3Ster的瞬态热测试技术2大亮点(2023-03-22)
化来得到结温的变化。
2，无需对被测器件进行破坏和拆卸动作， 只需找到器件的二极管结电压特性测试其热特性，基于高保真度和不失真的测试方法才能得到器件和材料最真实的热参数。
（二）封装器件的热测量和全热流路径结构......
常用的电平转换方案分享(2024-03-19)
有上面那个限流电阻的存在是会影响速度的，所以速度只能在100K以内。
5.MOS管与二极管结合转换电平
这个方案是我经过测试最终选定并使用在项目中的。如下图所示。我们分析一下，当左侧TX低电平的时候，右侧......
反激开关电压和正激开关电源的区别(2024-12-21 11:24:24)
反激开关电压和正激开关电源的区别;
在市面常见的电源有反激开关电源和正激开关电源，又分有单管和双管结构。
它们之间各有优缺点，都有一定的占有量，它们最大的区别是功率不同，反激......
(2023.12.25)半导体周要闻－莫大康(2023-12-26)
采购金额分别为3.03亿元、3.34亿元、7.12亿元和4.51亿元，占当期采购总额的比例分别为80.4%、69.02%、77.25%与86.62%。
3. 下一代晶体管结构小荷已露尖尖角
在刚......
豪赌先进制程，三星快台积电一步？(2022-06-29)
豪赌先进制程，三星快台积电一步？;6月28日消息，《韩国日报》报道三星将于6月30日开始量产3纳米芯片。
2021年三星在年度晶圆代工论坛（SFF）上，介绍了其基于GAA 晶体管结构的3纳米......
这座12英寸晶圆厂，获超526亿增资(2024-09-26)
半导体行业将于2024年进入2nm时代，2028年量产1nm，2030年引入CFET的晶体管结构量产0.7nm，2036年量产2DFET晶体管结构的0.2nm。
其中，台积......
这座12英寸晶圆厂，获超526亿增资(2024-09-26)
半导体行业将于2024年进入2nm时代，2028年量产1nm，2030年引入CFET的晶体管结构量产0.7nm，2036年量产2DFET晶体管结构的0.2nm。
其中，台积......
力拼台积电，三星宣布3纳米GAA成功流片(2021-06-30)
Design Platform加速准备，有效达成3纳米制程技术承诺，证明关键联盟的重要性和优点。
新思科技数位设计部总经理Shankar Krishnamoorthy也表示，GAA晶体管结构......
TE Connectivity推出Mini AMP-in Board-in端子(2023-09-01)
便的组装，其双喷管结构可在焊接期间将触点稳定在PCB中。这些端子的工作温度为范围-40°C至105°C。mini AMP-in board-in端子非常适合用于空调、空气......
三星：3纳米制程代工市场2026年将达242亿美元规模(2022-12-12 12:17)
以提升性能，率先实现量产的三星使用了环栅（GAA）晶体管结构的MBCFET，较FinFET性能功耗有明显改善。......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为晶体管。
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由管......
Trench shielded Gate MOS优点(2024-12-12 11:34:53)
Trench shielded Gate MOS优点;
随着时间的推移，MOS技术和晶圆结构发生了巨大的变化。从技术角度来看，平面栅(Planar
Gate)、沟槽栅(Trench......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
采用了氧气氛围退火和氮（N）离子注入工艺制备了器件的电流阻挡层，并配合栅槽刻蚀工艺研制出了不需P型掺杂技术的氧化镓垂直沟槽场效应晶体管结构。
图1(a)氧化镓垂直槽栅场效应晶体管结构示意图；(b......
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代(2024-04-01)
垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠 DRAM（Stacked DRAM）。
相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大......
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代(2024-04-02 09:16)
垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠 DRAM（Stacked DRAM）。相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
也从平面晶体管发展到鳍式场效应晶体管（FinFET），然后发展到GAA，以克服一些限制，例如短通道效应，即源极和漏极之间的距离缩短导致漏电流。
作为行业的领先者，三星从21世纪初开始研究GAA晶体管结构，并于......
三星：3纳米制程代工市场2026年将达242亿美元规模(2022-12-13)
圆代工市场中占据最大份额的是5纳米和7纳米工艺，市场规模369亿美元，未来其份额将逐步由3纳米所取代。他还介绍称，3纳米节点需要新的器件结构以提升性能，率先实现量产的三星使用了环栅（GAA）晶体管结构......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
挽输出模式很是类似。只是输出的高低电平的来源，不是让CPU直接写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。）
什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
详细的介绍。
GPIO基本结构
每个GPIO内部都有这样的一个电路结构，这个结构......
三星计划下周正式量产3nm制程芯片，或将领先台积电(2022-06-24)
三星计划下周正式量产3nm制程芯片，或将领先台积电;据外媒消息显示，三星预计将于下周正式投入量产3nm制程芯片。
据悉，该芯片基于栅极全方位（GAA）晶体管结构。有报道称，三星3nm制程......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-23 15:34)
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”;采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善非常适用于汽车LED前照......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-24)
trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。
●采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
输出的高低电平的来源，不是让CPU直接写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
与分析
什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
C51单片机的IO口介绍(下)(2024-03-15)
指使用两个三极管或者MOS管交替地将信号推到正和负极性，实现放大的效果
推挽输出的电路结构
在这个结构中，两个MOS管配合，实现推挽输出，最大的特点就是输出电流够大（大约20mA）
在这里，T1 MOS......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
之外，还可以复用位外设功能引脚(比如串口)，这部分在【STM32】STM32端口复用和重映射(AFIO辅助功能时钟) 中有详细的介绍。
GPIO基本结构
每个GPIO内部都有这样的一个电路结构，这个结构......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽......
大牛多年研发电源问题汇总（受益匪浅）！(2024-11-14 22:46:54)
接信号地等等很多的细节要求。
问题十三：
电源的元器件你懂多少？
MOS管结电容多大，对哪......
Rapidus本月接收EUV光刻机，对2nm量产有信心(2024-12-16)
潜在客户洽谈中。
Rapidus合作伙伴IBM日前于IEEE IEDM 2024国际电子元件会议，展示合作的多阈值电压GAA晶体管成果，有望用于Rapidus 2纳米。 IBM表示，先进制程升级至2纳米后，晶体管结构......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
1、什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
无刷电机的结构和驱动电路(2023-09-07)
无刷电机的结构和驱动电路;无刷电机是指无电刷和机械换向器的电机。
我们知道，一般的有刷电机的定子是永磁体，转子是电磁铁。转子转动时，通过电刷来自动切换转子电磁铁的中的电流方向，使得......
曝iPhone 17全系首发3nm A19系列芯片：无缘台积电2nm(2024-11-19)
上引入台积电2nm制程。
资料显示，台积电2nm(N2)工艺最快会在2025年推出，无论是在密度还是在能效方面，它都将成为半导体行业最先进的技术。
N2技术采用领先的纳米片晶体管结构，将提......
直流电动机的工作原理简述 直流电机工作原理图 直流电机有几种类型(2024-07-12)
套 8—止推轴承 9—后端盖
**11—制动轮 12—风罩 13—锁紧螺母 **
CLASSIFICATION
按工作电源种类划分：
直流电机和交流电机。
按结构和工作原理可划分：
直流电动机、异步......
三星：3nm 代工市场 2026 年将达 242 亿美元规模(2022-12-12)
以提升性能，率先实现量产 工艺的三星使用了环栅（GAA）晶体管结构的 MBCFET 技术，较 FinFET 性能功耗有明显改善。
“就 FinFET 而言，性能随着引脚数量的增加而提高，但功......
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理13953166129 红外线辐射器由高品质的石英管制成，配有镀金反射器，保证了最高的效率。 章丘富特独特的孪管结构保证了更高的辐射密度和更好的机械稳定性。 这种红外线辐射器分为短波，中波
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驱动。 TSF4N65T/F（SVD4N60D）是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用信安电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构
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;深圳泛辉科技;;希格玛高压MOS管 cool mos 现有型号：4N60 4N65 10N60（常规/cool mos） TO-220封装 本公司最新推出高压MOS管.用于代替IR,FSC,ST