资讯
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
会与氧化物发生反应，并且它的稳定性非常好。栅介质材料采用SiO2，因为SiO2可以与硅衬底形成非常理想的Si-SiO2界面。如图1.13（a）所示，是最初铝栅的MOS管结构图。
图1.13铝栅......
STM32的GPIO功能框图讲解(2023-02-23)
提到的双MOS 管结构电路的输入信号， 是由GPIO“ 输出数据寄存器GPIOx_ODR”提供的，因此我们通过修改输出数据寄存器的值就可以修改GPIO 引脚的输出电平。而“置位/复位......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
彻底弄清MOS管 （NMOS为例;来自专栏芯片基础课
说来惭愧，大二学了一遍模电数电，考研专业课又学了一遍模电数电，但拿到如下这张mos管结构图，让我立马说出：【这是什么型mos管，标准......
单片机IO口设计技巧(2023-01-09)
时将该IO与VSS或VDD相连；
（2）使能内部上拉电阻时，则可以不接或者在PCB设计时将该IO与VDD相连。
02：输入口
请将上拉电阻使能，不能使IO高阻态。
内部上拉电阻是MOS管结构，使能......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。
N沟道增强型MOS管结构示意图
当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
达到了40kW，在这样的结构下，采用1,200V的碳化硅MOS管，它的系统拓扑会更加简单，与硅基相比其器件数量将减少50%，损耗下降50%以上，效率约提升2%，峰值可以达到97%，这是......
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析(2023-03-08)
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析;T3ster 是Mentor Graphics 公司研发的瞬态热测试仪，基于国际标准的静态实验方法JESD51-1，测量IGBT、MOS 管、功率二极管、三极......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
1948年：结型晶体管的构想
威廉·肖克利（William Shockley）基于对P-N结效应的理论理解，构想了一种改进的晶体管结构......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
良导体的介面电场很小，不过对于高频讯号而言仍然会造成障碍，好比超过10GHz电波用的天线材料或导线及接头等都是要特别制作的。
重要课题：通道的形成
按照不同的晶体管结构，就会有不同的通道形成方式，我们......
T3Ster的瞬态热测试技术2大亮点(2023-03-22)
化来得到结温的变化。
2，无需对被测器件进行破坏和拆卸动作， 只需找到器件的二极管结电压特性测试其热特性，基于高保真度和不失真的测试方法才能得到器件和材料最真实的热参数。
（二）封装器件的热测量和全热流路径结构......
常用的电平转换方案分享(2024-03-19)
有上面那个限流电阻的存在是会影响速度的，所以速度只能在100K以内。
5.MOS管与二极管结合转换电平
这个方案是我经过测试最终选定并使用在项目中的。如下图所示。我们分析一下，当左侧TX低电平的时候，右侧......
(2023.12.25)半导体周要闻－莫大康(2023-12-26)
采购金额分别为3.03亿元、3.34亿元、7.12亿元和4.51亿元，占当期采购总额的比例分别为80.4%、69.02%、77.25%与86.62%。
3. 下一代晶体管结构小荷已露尖尖角
在刚......
豪赌先进制程，三星快台积电一步？(2022-06-29)
豪赌先进制程，三星快台积电一步？;6月28日消息，《韩国日报》报道三星将于6月30日开始量产3纳米芯片。
2021年三星在年度晶圆代工论坛（SFF）上，介绍了其基于GAA 晶体管结构的3纳米......
力拼台积电，三星宣布3纳米GAA成功流片(2021-06-30)
Design Platform加速准备，有效达成3纳米制程技术承诺，证明关键联盟的重要性和优点。
新思科技数位设计部总经理Shankar Krishnamoorthy也表示，GAA晶体管结构......
TE Connectivity推出Mini AMP-in Board-in端子(2023-09-01)
便的组装，其双喷管结构可在焊接期间将触点稳定在PCB中。这些端子的工作温度为范围-40°C至105°C。mini AMP-in board-in端子非常适合用于空调、空气......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为晶体管。
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由管......
三星：3纳米制程代工市场2026年将达242亿美元规模(2022-12-12 12:17)
以提升性能，率先实现量产的三星使用了环栅（GAA）晶体管结构的MBCFET，较FinFET性能功耗有明显改善。......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
采用了氧气氛围退火和氮（N）离子注入工艺制备了器件的电流阻挡层，并配合栅槽刻蚀工艺研制出了不需P型掺杂技术的氧化镓垂直沟槽场效应晶体管结构。
图1(a)氧化镓垂直槽栅场效应晶体管结构示意图；(b......
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代(2024-04-01)
垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠 DRAM（Stacked DRAM）。
相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大......
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代(2024-04-02 09:16)
垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠 DRAM（Stacked DRAM）。相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
挽输出模式很是类似。只是输出的高低电平的来源，不是让CPU直接写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。）
什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-23 15:34)
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”;采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善非常适用于汽车LED前照......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-24)
trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。
●采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
输出的高低电平的来源，不是让CPU直接写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
也从平面晶体管发展到鳍式场效应晶体管（FinFET），然后发展到GAA，以克服一些限制，例如短通道效应，即源极和漏极之间的距离缩短导致漏电流。
作为行业的领先者，三星从21世纪初开始研究GAA晶体管结构，并于......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
与分析
什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽......
三星：3纳米制程代工市场2026年将达242亿美元规模(2022-12-13)
圆代工市场中占据最大份额的是5纳米和7纳米工艺，市场规模369亿美元，未来其份额将逐步由3纳米所取代。他还介绍称，3纳米节点需要新的器件结构以提升性能，率先实现量产的三星使用了环栅（GAA）晶体管结构......
三星计划下周正式量产3nm制程芯片，或将领先台积电(2022-06-24)
三星计划下周正式量产3nm制程芯片，或将领先台积电;据外媒消息显示，三星预计将于下周正式投入量产3nm制程芯片。
据悉，该芯片基于栅极全方位（GAA）晶体管结构。有报道称，三星3nm制程......
C51单片机的IO口介绍(下)(2024-03-15)
指使用两个三极管或者MOS管交替地将信号推到正和负极性，实现放大的效果
推挽输出的电路结构
在这个结构中，两个MOS管配合，实现推挽输出，最大的特点就是输出电流够大（大约20mA）
在这里，T1 MOS......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
之外，还可以复用位外设功能引脚(比如串口)，这部分在【STM32】STM32端口复用和重映射(AFIO辅助功能时钟) 中有详细的介绍。
GPIO基本结构
每个GPIO内部都有这样的一个电路结构，这个结构......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
1、什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
无刷电机的结构和驱动电路(2023-09-07)
无刷电机的结构和驱动电路;无刷电机是指无电刷和机械换向器的电机。
我们知道，一般的有刷电机的定子是永磁体，转子是电磁铁。转子转动时，通过电刷来自动切换转子电磁铁的中的电流方向，使得......
东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2020-03-30)
相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝......
开漏输出和推挽输出(2024-02-23)
开漏输出和推挽输出;概述
在STM32或者GD32中，普通的输出GPIO输出方式主要是开漏输出和推挽输出，下面我们开始讲解这2种模式的区别。
下图是GPIO内部的结构示意图。
在上图中，P......
三星：3nm 代工市场 2026 年将达 242 亿美元规模(2022-12-12)
以提升性能，率先实现量产 工艺的三星使用了环栅（GAA）晶体管结构的 MBCFET 技术，较 FinFET 性能功耗有明显改善。
“就 FinFET 而言，性能随着引脚数量的增加而提高，但功......
REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用(2024-04-22)
的MOS。MOS管推荐使用瑞森半导体低压MOS系列，选型如下：
DC-AC逆变电路（全桥PWM控制）
DC-AC逆变电路的主回路采用的是全桥式结构，和开关管并联的二极管起到保护作用。MOS管推......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
器件能否真正普及的关键。
2、碳化硅MOS的结构
碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)的N+源区和P阱掺杂均采用离子注入掺杂，并在1700°C的温度下进行退火和激活。另一个关键工艺是碳化硅MOS栅氧......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
输出的高低电平的来源，不是让CPU直接写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
1、什么是推挽结构和推挽电路？推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或 MOS 管分别受两互补信号的控制，总是......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
1、什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
1、什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
RS瑞森半导体在PC电源上的应用(2023-02-14)
开关MOS管关断时，MOS管会承受两倍于输入电压的应力，因此在该类拓扑应用中推荐瑞森半导体800V、900V的超高压MOS管，以应对电压变化带来的冲击。
双管正激，它是非常稳定的拓扑结构，工作......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
TMOS，关键点是沟槽角，对于 DMOS，关键点是单元的中心。由于势垒高度较小，与 Si 器件相比，SiC MOS 结构在给定电场下表现出更高的 Fowler-Nordheim 电流注入。因此，界面......
台积电 2 纳米制程工厂已规划增至三个，有望 2025 年量产(2023-08-09)
，据台湾地区“中央社”消息，台积电规划 2 纳米制程将于 2025 年量产，采用纳米片晶体管结构。同时，台积电在 2 纳米发展出背面电轨解决方案，适用于高效能运算相关应用，目标在 2025 年下......
台积电2纳米制程工厂已规划增至三个 有望2025年量产(2023-08-09)
，据台湾地区“中央社”消息，台积电规划 2 纳米制程将于 2025 年量产，采用纳米片晶体管结构。同时，台积电在 2 纳米发展出背面电轨解决方案，适用于高效能运算相关应用，目标在 2025 年下......
基于STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案(2023-09-11)
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后级LLC转换部分，各主要功率器件的分布如下,结构非常紧凑：
12--高压MOS STW70N65DM6
13--谐振电感
14--谐振电容
15--主变压器
16--次级同步整流低压MOS
17......
到底什么是I/O的驱动能力？(2023-02-02)
动能力有差异呢？
要回答以上问题，我们需要先了解一下MCU内部的I/O结构。
(本图来源于STM32F103参考手册）
当输出高电平1时，I/O内部VDD经过PMOS流向I/O引脚，如下图红色箭头所示：
这时......
欧姆龙推出G3VM MOS FET继电器模块系列(2022-12-17)
欧姆龙推出G3VM MOS FET继电器模块系列;
【导读】拥有超200种型号丰富封装种类、接点结构和功能的欧姆龙推出G3VM MOS FET继电器模块系列，其VSON 4引脚......
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-16外球笼润滑硅脂HT-11-18内球笼润滑硅脂HT-26导电脂HT-73-32双管结构胶(取代乐泰产品)产品特点：1、具有透明、低味、快速固化、防水、防油、防酸等特点。2、可粘接或修补各种金属、塑料
;联勤科技有限公司;;公司主要生产功率MOS,低 中 高压都有,特殊MOS可定做.
;深圳泛辉科技;;希格玛高压MOS管 cool mos 现有型号：4N60 4N65 10N60（常规/cool mos） TO-220封装 本公司最新推出高压MOS管.用于代替IR,FSC,ST