Trench shielded Gate MOS优点

发布时间: 2024-12-12 11:34:53
来源: 电路一点通
随着时间的推移,MOS技术和晶圆结构发生了巨大的变化。从技术角度来看,平面栅(Planar Gate)、沟槽栅(Trench Gate)结构已成为高性能离散功率MOS的主流。沟槽栅(Trench Gate)结构可以显著降低沟道电阻(Rchannel)和JFET电阻(RJFET),沟槽栅结构能提供最短的Drain到Source电流路径, 减少Rdson的能力。
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