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在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
级踩在较高的电压上（24V），所以MOS管G极电压应该比源极高12V时才能够导通（Vgs=36V）,这里利用电容两端电压不能突变的特性，半桥驱动芯片内部电路将MOS管栅极抬升至36V，此时MOS栅源电压满足导通条件......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。
下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图：
NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
的压降（体二极管的压降是比MOS的导通压降大很多的），同时也要关注体二极管的过电流能力。
当满足MOS管的导通条件时，MOS管的D极和S极会导通，这个时候体二极管是截止状态，因为MOS管的导通内阻极小，一般......
12V转220V逆变器电路，不过就几个元件？(2024-10-28 10:39:17)
灯。
假设此时刚刚通上电源，在通电源的一瞬间，对三极管Q1来说，集电极也就是原理图中的A点是和电源正极相连，同样对于B点也就是基极是隔着一个大功率电阻和电源正极相连，所以他满足三极管导通条件......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
极电位均被拉低到0V。
Q2的体二极管率先导通，Q2的S极电平为VCC-0.7V，因为G极电平为0，所以满足开通条件，Q2完全导通......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
出，P沟道的MOS管时,S极进入D极流出，应用在这个电路中时则正好相反，通过寄生二极管的导通来满足MOS管导通的电压条件，MOS管只要在G和S之间建立一个合适的电压就会完全导通，导通之后D和S之间......
3种输出过压保护电路方案解析(2024-11-13 11:08:40)
，Q2 三极管导通，此时 Q3 MOS 管导通使系统正常 输出；当输出电压高于 VDZ1+0.7V
时，Q1 三极管导通，Q2 三极管不导通，此时 Q3 MOS 管不导通使系统输出断开， 起到......
STM32单片机的八种GPIO口模式(2024-08-22)
结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽输出和开漏输出
左侧为推挽输出，可以输出高低电平。右侧为开漏输出，只能输出低电平，高电......
单片机中常见GPIO的八种工作模式详解(2024-06-19)
上下两边两个二极管用于防止引脚外部过高、过低的电压输入。当引脚电压高于VDD时，上方的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。也叫钳位二极管。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS......
常用电平转换电路汇总！~(2024-11-24 22:52:40)
Vgs = 3.3V，大于导通电压，MOS 管导通，SDA2 通过 MOS 管被拉到低电平。
当 SDA2 输出高电平时：MOS 管 Q1 的 Vgs 不变，MOS 维持......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
流
等许多应用中都是一个重要特性。在一个MOS关断和第二个MOS导通之间的“死区时间”内，体二极管会导通。虽然死区时间通常很短暂，但与这部分开关周期相关的损耗可能非常大。与体二极管导通......
STM32 GPIO的基本结构(2024-07-18)
按位寻址
推挽模式：P-MOS和N-MOS都有效，数据寄存器为1时，上管导通，下管断开，输出直接接到VDD，也就是输出高电平；
数据寄存器为0时，上管断开，下管导通，输出直接接到VSS，也就是输出低电平；这种......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
能力很多时候是不一样的。
②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算;**1. 关于的极限参数说明：**本文引用地址：
在以上图中，我们需要持续关注的参数主要有：
a. **ID（持续漏极电流）**：该参......
C51单片机的IO口介绍(下)(2024-03-15)
管可以看成PNP三极管，T2 MOS管可看成NPN三极管
输出高电平的原理：
内部输出高电平信号经过非门取反，送到两个三极管的b极，上面的PNP三极管导通，下面的NPN三极管截止，电流从VCC流过......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
;当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
1、什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
为什么PWM驱动芯片用图腾柱(2024-10-12 12:40:02)
原理
。
图3：互补推挽电路
❤如
图4，
输入信号由低电平跳变到高电平，上管导通。
图4：上管导通......
PNP与NPN两种三极管使用方法(2024-10-06 11:59:22)
压只要高于 b 级 0.7V 以上，这个三极管 e 级和 c 级之间就可以顺利导通。
同理，NPN 型三极管的导通条件是 b 极比 e 极电压高 0.7V......
几种常用的驱动电路！(2024-12-20 15:49:48)
不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。
②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
注入的少数载流子很容易通过反偏的PN结——集电结，到达集电极，形成集电极电流Ic。
三极管放大导通条件是《发射结正偏，集电结反偏》就非常容易理解了，上一......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢，就达不到想要的效果。
推挽驱动
当电源IC驱动能力不足时，可用推挽驱动。
这种......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
有大电流经过的时候就会发热 功率比较高。（一般选用 肖特基二极管导通压降比较低 也要考虑反向电压）
2.保险丝和二极管（稳压二极管）防反接
二极......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽......
栅极型推挽电路为什么不用上P下N(2024-12-21 16:16:49)
；
信号幅值关系：当满足三极管的饱和导通条件时，输入与输出的关系不大；
注意......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
1、什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
1、什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
在一个三极管或 MOS 管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或 MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
能力很多时候是不一样的，需要注意驱动能力是否足够；
②MOS管寄生电容
如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
大栅源阈值电压为2.3V。
★3.漏源导通电阻（Rds）：该电阻是MOS管导通时，漏极和源极之间的损耗内阻，将会决定电机转动时，MOS管上的发热量，因此一般越小越好。LR7843的漏源导通电阻为3.3mΩ。
★4......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
管不同。
MOS 管导通时两端能产生的压降不过数十毫伏，共地连接的比较器需要精心设计输入电压偏置电路，使共模输入电压保持在比较器的工作参数范围内。这个附加的偏置电路也会增加噪声和漂移，影响......
理清推挽、开漏、OC、OD的特点与应用(2024-11-03 23:04:17)
式资料包
推挽输出
推挽输出（Push-Pull Output）是由两个MOS或者三极管受到互补控制信号的控制，两个管子始终处在一个导通......
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定(2024-07-19)
色圈内的波形，高低电平相反，我们把这种波形称为互补PWM波形。
图1
二、添加死区原因
上图1红圈里的互补PWM输出会造成问题的，首先，半导体器件内部都有结电容的，列如MOS管，MOS管导通，需要......
STM32的GPIO功能框图讲解(2023-02-23)
结构中输入高电平时，经过反向后，上方的P-MOS 导通，下方的N-MOS 关闭，对外输出高电平；而在该结构中输入低电平时，经过反向后，N-MOS 管导通，P-MOS 关闭，对外输出低电平。当引......
三个PMOS管防倒灌电路(2024-09-13 17:47:16)
个电路：
这个电路不仅可以防倒灌，还可以实现防反接保护功能。
当电源接反时，PMOS不导通，后级电路断开。
在这里加入了一个稳压管，是为了保护MOS管。
除了上面两个电路，实际......
电源设计--DC/DC工作原理及芯片详解(2024-11-08 11:12:29)
电路分析类似。
当
PWM
驱动
MOS
管导通时，此时电感的正向伏秒为：
V......
RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动车控制器上的应用(2023-04-03)
) 方面，能抵抗高浪涌电流冲击;
4、在MOS管导通损耗方面，具有更低导通损耗，可节省电能;
5、在MOS管体二极管的反向恢复时间Trr方面，具有更低反向恢复损耗；产品性能有效提高了续航里程，节能......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
制核心输出低电平时，三极管Q1截止，电阻R3和R4对电源（V+）分压，MOS管导通并达到饱和状态。G极电压为:
2）推挽驱动电路
当电源IC驱动能力不足时可使用推挽驱动电路。推挽......
STM32-GPIO详解(2024-07-17)
输出的低电平为0伏，高电平为3.3V，如下图，它是推挽输出模式时的等效电路。
而在开漏输出模式时，上方的P-MOS完全不工作。如果我们控制输出为0，低电平，则P-MOS管完全关闭，N-MOS管导通，使输......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
二极管
构成的简单电路。通过控制占空比或者MOS管导通的时间百分比，通过闭合反馈环路来控制输出。
传递......
超详细|开关电源电路图及原理讲解(2024-03-11)
使Q2没有栅极电压不导通，RT1将会在很短的时间烧毁，以保护后级电路。
硬件笔记本
3
功率变换电路
1、MOS管的工作原理：
目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET(MOS管)，是利......
一文解析51单片机PWM双舵机控制(2023-08-10)
宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。这种方式能使电源的输出电压在工作条件......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
培!而且也有其可替代产品 BTN7970，它的驱动电流最大也能达七十几安!
其内部结构基本相同如下：
每片芯片的内部有两个 MOS 管，当 IN 输入高电平时上边的 MOS 管导通，常称为高边 MOS......
艾为推出双路LED驱动IC——AW36501DNR(2024-02-05 09:58)
两个功率管导通阻抗小和VHR电压低至400mV（TYP），整体导通损耗小，大功率1.5A应用条件下效率高达96%。
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3. 完善......
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电路板生产基地”的中心位置,距京沪铁路、京福高速、104国道仅10余公里，便捷的交通条件是企业成功的基石。 公司拥有固定资产500万元，流动资金1000万元，熟练员工300多人，高素质专业技术人员40多名，拥有
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电路板生产基地”的中心位置,距京沪铁路、京福高速、104国道仅10余公里，便捷的交通条件是企业成功的基石。 公司拥有固定资产500万元，流动资金1000万元，熟练员工300多人，高素质专业技术人员40多名，拥有
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