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再建一座新厂，先进封装迎来最强风口！(2024-06-24)
技术SoW，三星、SK 海力士推进移动内存堆叠封装技术量产等等。本文将针对行业最新先进封装技术进行科普。
一
最新动态，日月光半导体新建一座先进封装厂
日月......
TSMC将建造两倍于今天最大芯片的庞大芯片 — 这些芯片将使用数千瓦的功率(2024-04-28)
的硅中间层的3.3倍大的中间层。因此，逻辑、八个HBM3/HBM3E内存堆叠、I/O和其他芯片组件最多可以占用2831平方毫米。最大的基板尺寸为80×80毫米。AMD的Instinct MI300X和Nvidia......
SSD容量“狂飙”！(2023-04-04)
技术是开发高容量产品的关键，三星已经有能力批量生产32Die堆叠封装（32 die-stack packaging）。
无独有偶，另一家存储相关厂商Pure Storage也在积极探索更高容量SSD。今年3月初，该公......
台积电升级 CoWoS 封装技术，计划 2027 推出 12 个 HBM4E 堆(2024-04-28)
Reticle，大约为 858 平方毫米）是 3.3 倍。
封装技术继任者可以封装逻辑电路、8 个 HBM3 / HBM3E 内存堆栈、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以达到 2831 平方......
寸是光掩模（Photomask，也称 Reticle，大约为 858 平方毫米）是 3.3 倍。
CoWoS 封装技术继任者可以封装逻辑电路、8 个 HBM3 / HBM3E 内存堆栈、I / O 和其......
台积电升级CoWoS技术：实现120x120mm超大封装！(2024-04-28)
平方毫米）是 3.3 倍。
CoWoS 封装技术继任者可以封装逻辑电路、8 个 HBM3 / HBM3E 内存堆栈、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以达到 2831 平方......
又2项，华为再公开芯片相关专利(2022-05-09)
又2项，华为再公开芯片相关专利;继4月5日公开“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利后，华为技术有限公司近日又公开了2项芯片相关的发明专利。
△Source：国家知识产权局网站截图
5月6日......
华为公布两项芯片堆叠专利(2022-05-09)
公开了申请的2项芯片相关专利——“一种多芯片堆叠封装及制作方法”和“芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备”，申请公布号分别为CN114450785A和CN114450786A。
图源：国家......
为什么先进封装和摄像头模组都需要好胶水来保证良率与性能？(2023-01-07)
也需要粘合填充材料的韧性更好。汉高最新推出的LOCTITE ABLESTIK ATB 100MD8 非导电芯片粘接薄膜专为堆叠封装芯片而设计，可以有效加固薄型晶圆堆叠封装，这款......
三星：未来十年单颗SSD的容量可达1PB(2023-03-25)
产品的数据存储能力正在不断提高，这种演变发生在物理缩放技术、逻辑缩放技术、32DIE堆叠封装三个领域。
其中，物理缩放技术包括三种技术，分别为横向/垂直收缩（一种减少每个存储单元大小的方法）、垂直堆叠技术（一种......
三星：未来十年单颗SSD的容量可达1PB(2023-03-26)
演变发生在物理缩放技术、逻辑缩放技术、32DIE堆叠封装三个领域。
其中，物理缩放技术包括三种技术，分别为横向/垂直收缩（一种减少每个存储单元大小的方法）、垂直堆叠技术（一种添加更多WL堆栈的方法，从而增加内存......
佰维推出 LPDDR5 + UFS3.1 集成产品 uMCP，可节约 55％ 手(2023-10-11)
通过将 LPDDR5 和 UFS3.1 二合一多芯片堆叠封装，可节约 55％主板空间，助力简化手机主板的电路设计，为提高电池容量、主板其他零部件布局腾出空间。
IT之家从佰维官方获悉，uMCP 产品......
先进封装迎来最强风口；内闪存产品合约价预测；集成电路基金落地(2024-07-01)
、SK 海力士推进移动内存堆叠封装技术量产等等。本文将针对行业最新先进封装技术进行科普...详情请点击
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内闪存产品合约价预测
根据全球市场研究机构TrendForce集邦......
三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用(2024-08-06 10:22)
经特殊说明，本文中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。[1] 四层堆叠封装，每层均由两片LPDDR DRAM芯片组成[2] 用于保护半导体电路免受高温、冲击......
三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用(2024-08-06 10:22)
经特殊说明，本文中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。[1] 四层堆叠封装，每层均由两片LPDDR DRAM芯片组成[2] 用于保护半导体电路免受高温、冲击......
江波龙旗下FORESEE MCP系列重构智能移动终端存储组合(2022-05-10)
能等多个维度，这也让终端厂商对存储器的需求不断发生变化。比如，折叠屏手机采用柔性电路板（FPC），更小更薄的电路板体积要求走线设计更加灵活，同时也要求闪存芯片在集成度上有更大的突破，这也是堆叠封装......
美光公布技术路线图；盛美上海再签大单；NAND Flash wafer价格跌幅预测(2022-05-16)
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华为再公开2项芯片相关专利
继4月5日公开“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利后，华为技术有限公司近日又公开了2项芯片相关的发明专利。
5月6日，国家......
积极自救，华为又公开一项芯片堆叠封装专利(2022-04-06)
积极自救，华为又公开一项芯片堆叠封装专利;据国家专利局专利信息显示，华为技术有限公司公开了一项芯片相关专利，公开号 CN114287057A。
截图自国家专利局（下同）
专利摘要显示，这是一种芯片堆叠封装......
华为公开芯片堆叠封装相关专利(2022-04-06)
华为公开芯片堆叠封装相关专利;国家知识产权局官网消息，4月5日华为技术有限公司公开了一项芯片相关专利。该项名为"一种芯片堆叠封装及终端设备"的专利，涉及半导体技术领域，其能......
卓胜微：3D堆叠封装正在验证导入(2024-09-10)
卓胜微：3D堆叠封装正在验证导入;近日，卓胜微在投资者平台透露称，公司正在建设高端先进模组技术能力，通过3D堆叠封装形式实现更好的性能和面积优势，产品已经进入验证阶段。
卓胜微表示，为满......
日月光半导体推出扇出型堆叠封装(FOPoP)实现低延迟高带宽优势的解决方案(2023-03-16)
日月光半导体推出扇出型堆叠封装(FOPoP)实现低延迟高带宽优势的解决方案;
【导读】日月光半导体宣布最先进的扇出型堆叠封装(Fan-Out-Package-on-Package......
HBM黄金风口，你赶上了吗？(2024-05-23)
)。通过使用晶圆上芯片(CoW)技术，该方法将能够将存储器或逻辑直接堆叠在晶圆上系统之上。据了解，台积电的CoW-SoW专注于将晶圆级处理器与HBM4内存集成。这些下一代内存堆栈将采用2048位接......
HBM 4 迎来有史以来最大变化(2023-09-14)
援引首尔经济报道称，还有另一个重大变化即将到来，而且这一变化将是巨大的：下一代 HBM4 内存堆栈将采用 2048 位内存接口 。
将接口宽度从每堆栈 1024 位增加到每堆栈 2048 位将......
HBM4堆叠连接接口将提升至2048位元，大幅提升传输性能(2023-09-18)
生产具有数千个硅通孔(TSV) 的内存堆叠变得更加困难。但相关消息指出，三星和SK海力士都有信心将新型内存芯片达成100%的良率生产。
免责声明：本文......
汉高携粘合剂技术创新解决方案亮相2021 SEMICON China(2021-03-22)
。
存储器件技术——专为堆叠封装设计
作为半导体行业三大支柱之一，存储器是半导体元器件中重要的组成部分，在电子产品向着轻、薄、短、小的设计趋势和发展过程中起到了十分关键的作用。为了增加储存器芯片功能的同时不增大封装......
有选择的后摩尔堆叠时代(2023-10-08)
。
AMD CEO 苏姿丰说过下一步就是直接将 DRAM 堆叠至 CPU 上。这里的堆叠并非硅中介层互联、存储单元垂直堆叠在一起的 2.5D 封装方案，也就是如今常见的 HBM 统一内存方案，AMD 提出的是直接将计算单元与存储单元垂直堆叠......
台积电准备生产HBM4基础芯片：采用N12FFC+和N5制程技术(2024-05-21)
栈链接接口标准，将从原本就已经很宽的1024比特，进一步转向倍增到超宽的2048比特，这使得HBM4内存堆栈链接将不再像往常一样，芯片供应商将需要采用比现在更先进的封装方法，来容纳堆栈链接接口超宽的内存......
先进封装技术：在半导体制造中赢得一席之地(2024-03-28)
介质键合和嵌入式金属形成互连；存储器厂商正在探索这种方法。
先进封装市场受终端应用驱动
自2010年代中期以来，扇出式晶圆级封装一直占据主导地位，市场份额约为60%。扇出封装比堆叠封装成本更低，而且......
FORESEE NAND－based MCP助力物联网、可穿戴市场(2020-11-19)
戴设备和物联网应用。
产品优势
· Flash和LPDDR堆叠封装，节省PCB空间
nMCP是基于不同存储技术与工艺，在同一基板上的设计统一，堆叠技术在提升存储集成度的同时，既保......
FORESEE NAND－based MCP助力物联网、可穿戴市场(2020-11-19)
戴设备和物联网应用。
产品优势
· Flash和LPDDR堆叠封装，节省PCB空间
nMCP是基于不同存储技术与工艺，在同一基板上的设计统一，堆叠技术在提升存储集成度的同时，既保......
国内又一先进封测项目开工(2024-10-11)
等技术需求，包括扇出封装、WLCSP、fcBGA/CSP、SiP和 2.5D/3D堆叠封装，以及异构和小芯片等。在此之下，产业链相关环节的厂商正在加速布局产能，包括上述提到的通富微电，以及......
美光量产12层HBM3E 36GB芯片，产品正在进行客户验证(2024-09-11)
美光量产12层HBM3E 36GB芯片，产品正在进行客户验证;
【导读】美光推出适用于下一代人工智能（AI）GPU的量产版12层HBM3E芯片，内存堆栈容量高达36GB，速度超过9.2Gb......
BGA SSD家族系列，小尺寸、大容量、高可靠、应用广！(2021-12-29)
总拥有成本(TCO)：佰维E009融合公司存储介质特性研究、自研固件算法、存储器设计仿真、多芯片堆叠封装、自研芯片测试设备与测试算法等核心技术，并依托自有封测厂，实现产品全生命周期管理，保证......
华为公布芯片堆叠封装相关专利；国产化半导体产业链再添“利器”(2022-04-11)
华为公布芯片堆叠封装相关专利；国产化半导体产业链再添“利器”;2个半导体项目签约
据“丽水经济技术开发区”报道，近日，丽水经开区与东旭集团签约，落地建设高端光电半导体材料项目，总投资110亿元......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-05)
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！;闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂对于层数的追求永不止步，根据......
中科智芯晶圆级先进封装等项目签约(2024-06-12)
，计划用地40亩。项目主要建设晶圆级先进封装，包括超薄芯片制备、凸点、芯片规模封装、扇出型封装、系统集成封装、三维堆叠封装等。
新能源及车规级电控模块生产项目，该项目位于杭绍临空示范区，是由......
都在说RAM和ROM 可你真的懂这些储存原件么？(2016-10-12)
为了新标准互不相让
除了容量，读写速度也是制约使用体验的因素之一，想必所有人都尝到过游戏、应用加载过慢的痛苦，但是随着各家厂商提出新的标准规格，近年来小到不起眼的手机内存也迎来了突飞猛进的发展。现在的内存......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-06)
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！;
【导读】闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂......
半导体巨头押注先进封装！(2023-03-28)
2020年实现了I-Cube（2.5D）及X-Cube（3D）等堆叠封装技术的创新。
三星计划，在2024年量产可处理比普通凸块更多数据的X-Cube（u-Bump）封装技术，并预计2026年推出比X......
Q1全球智能手机内存TOP3厂商包下85%市场：三星独占46%(2022-07-18)
Q1全球智能手机内存TOP3厂商包下85%市场：三星独占46%;市场研究机构Strategy Analytics发布的研究报告《2022年Q1智能手机内存市场份额：三星占46%》显示，2022年Q1......
青岛半导体高端封测项目主厂房顺利封顶(2020-12-25)
产设备安装和投产打下良好基础，实现了当年签约、当年落地、当年开工、当年封顶。
据报道，富士康半导体高端封测项目由富士康科技集团和融合控股集团有限公司共同投资，将运用世界领先的扇出型封装和晶圆键合堆叠封装技术，封装......
江波龙亮相ELEXCON2024深圳电子展，首次提出PTM商业模式(2024-08-29 08:45)
储产品。产品片采用先进的高层数堆叠、多芯片堆叠封装工艺和测试流程，实现了极小的体积，可适应不同PCB空间，为穿戴设备内部结构设计提供灵活的选择，广泛应用于智能手表、AR/VR等穿戴设备。想见不如相见，欢迎......
5G时代封测端如何打破“三明治”格局？(2020-04-01)
晶圆代工业公认的NO.1，有深厚的晶圆级技术积累。从市场角度来讲，它们做inFO主要是为了顺应其重点客户的要求，专攻的是晶圆级3D堆叠封装技术。
据《国际电子商情》了解，该重点客户已经多次要求TSMC将芯......
3D NAND，1000层竞争加速！(2024-04-08)
时代的到来，在三星、铠侠、SK海力士等存储厂商的不断推动下，NAND Flash闪存堆叠层数不断被刷新。
目前，各大厂商的NAND闪存堆叠层数均已突破200层，并持续向更高层数的NAND Flash迈进......
3D NAND，1000层竞争加速(2024-04-09)
士等存储厂商的不断推动下，闪存堆叠层数不断被刷新。
目前，各大厂商的NAND闪存堆叠层数均已突破200层，并持续向更高层数的迈进，其中三星和更是将目标瞄准1000层。根据此前的消息，三星计划在2024年推出第九代3D......
传台积电将为苹果M5芯片扩大SoIC产能 预计2025年量产(2024-07-15)
晶圆恐怕只能制造一颗芯片，但这对晶圆代工厂的良率及产能是重大挑战。以台积电为首的生态，试图通过SoIC立体堆叠封装技术，来避免单颗芯片面积持续扩大带来的弊端，且能够满足SoC芯片对于晶体管数量、接口数、传输......
AMD Victor Peng：AI对电力的渴求凸显3D堆叠封装的重要性(2024-09-02)
AMD Victor Peng：AI对电力的渴求凸显3D堆叠封装的重要性;作者：Julian
摩尔定律可能已经显现疲态，但仍有调整空间和操作余地
在本周召开的Hot Chips大会上，AMD总裁......
AMD Victor Peng：AI对电力的渴求凸显3D堆叠封装的重要性(2024-09-04 11:25)
AMD Victor Peng：AI对电力的渴求凸显3D堆叠封装的重要性;作者：Julian摩尔定律可能已经显现疲态，但仍有调整空间和操作余地在本周召开的Hot Chips大会上，AMD总裁......
Intel 18A工艺下代至强首次亮相：生死攸关的一战(2024-09-26)
制造(等效于1.8nm)，这也是该工艺的首个大规模量产产品。
同时，基底模块采用Intel 3-T工艺，也就是Intel 3的升级版，添加了TSV硅通孔技术的3D堆叠封装......
基于FreeRTOS的STM32F103系统—Heap_4内存管理机制介绍(2024-06-14)
多解释。
//内存堆大小，并字节对齐
static const size_t xHeapStructSize = ( sizeof( BlockLink_t ) + ( ( size_t......
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