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研发客服据半导体消息，预计，在未来十年单颗的容量可达1PB（一千万亿字节）。
本文引用地址：表示，基于3D制造工艺的NAND闪存产品的数据存储能力正在不断提高，这种演变发生在物理缩放技术、逻辑缩放技术、32DIE堆叠封装三个领域。
其中，物理缩放技术包括三种技术，分别为横向/垂直收缩（一种减少每个存储单元大小的方法）、垂直堆叠技术（一种添加更多WL堆栈的方法，从而增加内存单元的数量）、电池在外围技术（一种减少硅面积的方法，把外围电路放在存储单元下面），用于提高性能和降低成本，以响应应用程序和系统处理需求的变化。
逻辑缩放技术，例如QLC技术——涉及到寻找在单个单元中存储更多比特的方法，以便可以保存更多的数据，同时保持轻便和紧凑。QLC技术可以使每个设备每个单元存储4位，相比TLC存储密度提高33%。
封装技术是开发高容量产品的关键，三星已经有能力批量生产32Die堆叠封装（32 die-stack packaging）。
三星通过上述3项技术，不断探索高容量，于2016年推出16TB的SSD，2017年推出32TB的SSD，2019年年末开发出64TB SSD，2021年开发出基于QLC的128TB原型SSD。
三星于2018年参与了智能SSD的的共同开发，并于2022年开始量产，2023年三星正与合作伙伴一起准备第二代智能SSD。
三星还预计，到2015年连接设备数将达到181ZB，这种爆发式的数据增长，需要更多、更大的数据中心。
文章来源于:电子产品世界 原文链接
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