【导读】据tomshardware报道，将堆叠连结接口从1024位元增加到2048位元将是HBM内存技术有史以来最大的变化。因为自2015年以来，所有HBM堆叠连结接口都采用1024位元标准。不过，当前该讯息来自非官方的宣布，因此对真实性可能还需要做些保留。
据tomshardware报道，将堆叠连结接口从1024位元增加到2048位元将是HBM内存技术有史以来最大的变化。因为自2015年以来，所有HBM堆叠连结接口都采用1024位元标准。不过，当前该讯息来自非官方的宣布，因此对真实性可能还需要做些保留。
而目前尚不清楚存储制造商是否能够为具有2048位元接口的HBM4堆叠连结接口维持如HBM3E堆叠连结接口支持的约9GT/s的数据传输速率。但如果可以，接口位元数的增加将使最高频宽从1.15TB/s 提升到2.30TB/s。然而，现阶段也还不清楚每个堆叠内存接口的位元数增加之后，将如何影响处理器和中介层的使用问题。
报导指出，当今的大型处理器，例如英伟达的H100，就已经使用大型6144位元连结接口，以支持6个1024位元HBM3/HBM3E堆叠记忆体芯片(KGSD)。但单个内存芯片接口是否增加到2048位元，还有待观察处理器开发人员是否会继续使用相同数量的HBM4内存芯片堆叠来决定。
还有人担心，具有2048位元接口的KGSD的产量将会下降，因为生产具有数千个硅通孔(TSV) 的内存堆叠变得更加困难。但相关消息指出，三星和SK海力士都有信心将新型内存芯片达成100%的良率生产。
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