2个半导体项目签约

据“丽水经济技术开发区”报道，近日，丽水经开区与东旭集团签约，落地建设高端光电半导体材料项目，总投资110亿元。

报道指出，该项目运用了目前国内光电半导体材料生产中最先进的“国家科技进步一等奖、中国专利金奖”等技术工艺，打破了国外对我国半导体高端设备市场长期垄断的局面，有效缓解我国部分显示材料和装备制造领域的“卡脖子”问题，有力保障了产业链供应链的安全稳定...详情请点击

3月31日，石家庄国有资本投资运营集团有限责任公司在河北产业投资引导基金管理有限公司等单位的大力支持下，完成了正定（一般指正定县，隶属于河北省石家庄市）12英寸特色工艺半导体芯片项目的投资签约，该项目建成后将成为华北地区首个12英寸功率半导体生产线。

据石家庄发布公众号消息，该项目总投资约80亿元，分为两期建设。一期达产后产能为3万片/月，二期达产后总产能为7万片/月，预计营业收入超40亿元，新增就业2000余人，带动相关产业投资800亿元以上...详情请点击

华为公布芯片堆叠封装相关专利

国家知识产权局官网消息，4月5日华为技术有限公司公开了一项芯片相关专利。该项名为"一种芯片堆叠封装及终端设备"的专利，涉及半导体技术领域，其能够在保证供电需求的同时，解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题。

专利文件图显示，该芯片堆叠封装 (01) 包括设置于第一走线结构 (10) 和第二走线结构 (20) 之间的第一芯片 (101) 和第二芯片 (102)；所述第一芯片 (101) 的有源面 (S1) 面向所述第二芯片 (102) 的有源面 (S2)；第一芯片 (101) 的有源面 (S1) 包括第一交叠区域 (A1) 和第一非交叠区域 (C1)，第二芯片 (102) 的有源面 (S2) 包括第二交叠区域 (A2) 和第二非交叠区域 (C2)；第一交叠区域 (A1) 与第二交叠区域 (A2) 交叠，第一交叠区域 (A1) 和第二交叠区域 (A2) 连接；第一非交叠区域 (C1) 与第二走线结构 (20) 连接；第二非交叠区域 (C2) 与第一走线结构 (10) 连接...详情请点击

5家半导体企业IPO新进展

4月7日，英集芯和拓荆科技在上交所首次公开发行股票并在科创板上市发行公告。

英集芯本次发行数量4200万股占发行后总股本比例10%，保荐机构为华泰联合证券。该公司拟募集资金超4亿元，扣除发行费用后将用于电源管理芯片开发和产业化项目、快充芯片开发和产业化项目等。

拓荆科技本次发行股份数量为3,161.9800万股，占发行后总股本比例25.00%，保荐机构为招商证券。该公司募集资金逾10亿元，用于高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技术研发与改进，以及ALD设备研发与产业化等项目。

4月6日，华海清科科创板IPO已提交注册，保荐机构为国泰君安，计划募集资金约10亿元，用于高端半导体装备（化学机械抛光机）产业化项目、高端半导体装备研发项目等。

同日，海光信息科创板IPO已提交注册，中信证券为其保荐机构，拟募资91.48亿元用于扣除发行费用后，将投资于新一代海光通用处理器研发、新一代海光协处理器研发等项目。

4月4日，思特威科创板IPO注册生效。思特威此次拟通过IPO募集资金28.20亿元，用于研发中心设备与系统建设项目、思特威（昆山）电子科技有限公司图像传感器芯片测试项目等...详情请点击

国产化半导体产业链再添“利器”

近日，中国长城旗下郑州轨道交通信息技术研究院（以下简称“郑州轨交院”）在研制半导体激光隐形晶圆切割设备的经验和基础上，推出了支持超薄晶圆全切工艺的全自动12寸晶圆激光开槽设备。

据官方介绍，该设备除了具备常规激光开槽功能之外，还支持5nm DBG工艺、120微米以下超薄wafer全切割功能、晶圆厂IGBT工艺端相关制程和TAIKO超薄环切等各种高精端工艺，为国产化半导体产业链再添“利器”。

据介绍，郑州轨交院的研发团队与国内著名高校的知名专家攻克技术难题，取得了国产开槽设备在5nm先进制程以及超薄工艺（处理器等产品）的重大突破，在晶圆加工稳定性、激光使用效率、产品切割质量等方面均达到了新的高度...详情请点击

AMD收购Pensando Systems

4月5日，AMD宣布以约19亿美元收购云服务提供商Pensando Systems，以继续扩大其数据中心业务。该收购预计将在第二季度完成。

通过这次收购案，AMD正式进军DPU领域。结合之前AMD以500亿美元完成对全球第一大FPGA设计商赛灵思的收购，现在AMD的业务已完整涵盖CPU、GPU、FPGA、DPU，整个云端的布局已基本完善。

收购完成后，Pensando首席执行官PremJain和Pensando团队将加入AMD数据中心解决方案集团，该集团由AMD高级副总裁兼总经理ForrestNorrod领导。Pensando将继续专注于执行其产品和技术路线图，现在将扩大规模，以加快业务并解决更广泛客户日益增长的市场机会...详情请点击

天岳先进扭亏为盈

近期，“国内碳化硅第一股”天岳先进发布上市以来的首份年报。2021年，该公司实现营收4.94亿元，同比增长16.25%；归母净利润8995.15万元，实现扭亏为盈，较上年同期增加7.31亿元。

天岳先进年报透露，2021年公司销售衬底约 57000 片。近年来为满足日益增长的市场需求，抢占产业高地，公司积极优化产能布局。天岳先进已在山东济南、济宁建立碳化硅衬底生产基地，主要生产半绝缘型衬底；上海临港项目定位为6英寸导电型碳化硅衬底生产基地。随着临港项目的建设，预期产能将得到持续提升。

据悉，天岳先进计划在上海临港新片区建设碳化硅衬底生产基地，满足不断扩大的碳化硅半导体衬底材料的需求。目前，该项目已被上海市发改委列入《2021年上海市重大建设项目清单》...详情请点击

封面图片来源：拍信网