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再努力出货,供应客户是长江存储(复购)、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩,每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。 现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%,基本......
再努力出货,供应客户是长江存储(复购)、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩,每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。 现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%,基本......
俄罗斯:2024年将制造350nm光刻机;根据俄罗斯媒体报道指出,俄罗斯本身正在研发生产芯片的光刻机。其工业和贸易部副部长Vasily Shpak在接受媒体访问时指出,2024年将开始生产350纳米光刻机......
成本几十万,俄罗斯也要自研“光刻机”?;据俄罗斯cnews报道,圣彼得堡创建了一个国内光刻综合体,在其中包括了一个在基板上进行无掩模图像采集和硅等离子化学蚀刻的设备。开发人员声称,第一台用于无掩模纳米光刻......
3.5 版本,甚至在许多情况下提供了优于 ChatGPT 4.0 的回答。 据俄罗斯cnews报道,圣彼得堡创建了一个光刻综合体,该综合体包括用于无掩模纳米光刻......
于蚀刻生产无掩模芯片,这将有助于俄罗斯在微电子领域技术领域获得主动权。 该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和等离子体化学蚀刻的设备,其中一种工具的成本为500万卢布(约36.7万元人民币),另一......
有助于在微电子领域技术领域获得主动权。本文引用地址:该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和等离子体化学蚀刻的设备,其中一种工具的成本为500万卢布(约36.7万元人民币),另一种工具的成本未知。 开发人员介绍,传统光刻......
国产光刻机工厂落地雄安?中国电子院澄清;近期,一则“7纳米光刻机实现国产化”消息在业界刷屏,消息指出清华大学EUV项目实现了光刻机国产化,并表示该项目已在雄安新区落地。 对此,9月18日中......
功率远比EUV光刻机低,一台EUV光刻机一年要用1000万度电,但这种NIL技术能耗减少90%,且制造成本比EUV光刻机低40%。 缺点是目前精度不够,远远达不到7nm、5nm的级别,大约还处于28......
联动”,先进工艺产能、核心芯片能级、关键设备和基础材料配套支撑能力不断提升,14纳米先进工艺规模实现量产,90纳米光刻机、5纳米刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等实现突破。 吴金......
线宽,双线间距低至约50纳米的超分辨光刻。未来将这一技术工程化应用到光刻机上,能够突破光学衍射极限对投射电路尺寸的限制从而实现超分辨光刻,有望使国产集成电路光刻机......
危言耸听。但是也不必担心,因为只有工艺制程达到7纳米及以下时才会使用EUV光刻机。   对于这样的现状,首先心态要放正确。西方继续压制中国半导体业的进步,这个政策在相当长时间内还会持续下去。然而......
原因可能就是上海微电子光有技术不行,没有配套的产业链帮助提供组件。 提到荷兰ASML,相信大家都不陌生,作为全球顶尖的光刻机制造商。ASML仍旧是迄今为止,全球唯一一家具备EUV光刻机量产能力的设备供应商。 但是......
和大日本印刷等公司则规划在 2025 年将该技术实用化。[1] 在本文中,你将了解到:纳米压印光刻能绕开光刻机吗,纳米压印光刻对比光刻机有哪些优劣势,纳米压印光刻是国产的另一种出路吗。 付斌 | 作者 李拓......
专家组都说了:‘该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限,建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过国外相关知识产权壁垒。’这里......
成本几十万元,俄罗斯自研光刻机又突破了?;假期期间,俄媒CNews报道称,圣彼得堡已开发出两个用于生产微电子纳米结构的装置,可能解决俄罗斯在微电子领域方向的主权问题,包括两个设备,一个是在基板上进行无掩模的光刻......
大UBC大学等高校科研机构合作建设了光刻材料研发实验室,成功研发出世界最先进的193纳米光刻胶单体并实现规模化生产,成为中国唯一的高端光刻胶单体材料研发和规模化生产企业。 此外,为助......
可绕过EUV量产5nm!佳能CEO:纳米压印设备无法卖到中国; 11月6日消息,据彭博社报道,佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10......
,2纳米的精细可想而知。 未来,只有他的EUV光刻机能够帮助芯片接续微缩,因此这些设备纵使卖到上亿欧元,都能被客户所接受。 今天是《半导体行业观察》为您......
左右的第一代产品,其物镜的NA数孔径是0.33。根据ASML表示,第2代的EUV光刻机目前已经进入开发阶段。 据了解,首代EUV光刻机量产的型号为NXE:3400B,其产能为每小时125PWH......
%,40/45纳米技术的收入贡献比例为15.0%,FinFET/28纳米的收入贡献比例为15.1%。 从占比变化来看,FinFET/28纳米占比正迅速提升,产能在逐步释放。中芯......
称如果该项目继续推进,中芯国际、华虹等中国半导体企业可以继续使用荷兰的设备生产 28 纳米及更成熟工艺的芯片。 消息称该特别版 DUV 光刻机基于 Twinscan NXT: 1980Di 光刻系统改造,而......
生产导入EUV(极紫外光)设备,其DRAM芯片产品皆采用DUV(深紫外光)光刻机制造。 近期,媒体报道美光计划于2024年开始在其10纳米级的1γ制程技术上进行EUV光刻技术的试生产,预计......
成电路芯片制造中最复杂和关键的工艺步骤。光刻机的曝光分辨率与波长直接相关,半个多世纪以来,光刻机光源的波长不断缩小,芯片工业界公认的新一代主流光刻技术是采用波长为13.5纳米光源的EUV(极紫外光源)光刻......
技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》(以下简称“《目录》”)。 该《目录》列表中提到和氟化氪光刻机氟化氩(ArF)光刻机。其中氟化氪光刻机光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm......
区总裁沈波接受媒体采访时透露,到2023年底,ASML在中国的光刻机加上量测的机台装机量接近1400台。 沈波表示,去年ASML全球净销售额达212亿欧元,预计2023财年,公司全球销售额增长30%,将达270......
开消息显示,英特尔目前已获得ASML的先进光刻机,极紫外 (EUV) 光刻机。 据悉4月上旬,英特尔在位于爱尔兰Leixlip的Fab 34工厂,完成了首台极紫外(EUV)光刻机的安装,Fab 34......
体设备厂佳能就与存储芯片大厂铠侠,以及光罩等半导体零组件制造商大日本印刷株式会社(DNP)合作,在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发基于纳米压印(NIL) 的量产技术,可以不使用EUV光刻机,就能......
出了全球首个采用全栅极(GAA)技术的3纳米半导体芯片制程技术后,三星一直在努力确保能采购更多EUV光刻机,目标是使该公司能在2024年上半年进入第二代3纳米制程技术,2025年进入2纳米制程技术,并在2027年进入1.4......
提高精准度。但相对研发困难度也会增加。台积电表示,光源还可以继续用193纳米,但换个介质试试,不再以空气当介质。于是ASML尝试以水为介质,光源通过水会产生折射,使193纳米光源实际效果可能比157......
全球唯一一家能够供应7nm及以下先进制程所需的EUV光刻机厂商。1988年至今,ASML在中国大陆的全方位光刻解决方案下的装机量已超过1000台,相应员工数量也超过了1500人。 数据显示,在2021年,中国......
俄罗斯媒体:中国在微芯片竞争中逐渐赶上;俄罗斯《消息报》8月7日文章,原题:重大成就:中国在微芯片竞争中逐渐赶上 据中国媒体报道,上海微电子有望年底前推出28纳米浸没式光刻机。尽管中国的新光刻机......
技术助力高阶制程芯片生产 正是在计算光刻等先进技术助力下,摩尔定律得以不断延续,芯片也不断变小,先进制程芯片得以不断生产。目前晶圆代工厂商已经开始量产3纳米芯片,而在计算光刻助力下,2纳米......
掩模版、晶圆代工全方位服务的综合性企业。 目前,晶合集成可提供28-150纳米的光刻掩模版服务,将于今年四季度正式量产,服务范围包括光刻掩模版设计、制造、测试及认证等,计划为晶合客户提供4万片......
亿欧元,毛利率为48.6%,净利润达36亿欧元。 EUV光刻机是当前顶尖芯片制造的关键设备,主要用于生产7纳米及更先进制程的芯片。2020年,ASML共销售31台EUV,较前一年增加5台,创收45......
EUV光刻机争夺战打响,国产光刻技术难题有何解?;近日,荷兰的光刻机制造商阿斯麦(ASML)发布2020年度财报,全年净销售额达到140亿欧元,毛利率达到48.6%。ASML同时宣布实现第100套极紫外光刻......
于下半年开始试产,2025年二季度小量生产。 英特尔方面,去年年底ASML已将全球首台高数值孔径 High NA EUV EXE:5200交付给了英特尔,助力后者生产2nm芯片。随后英特尔开启了光刻机......
后者生产2nm芯片。随后英特尔开启了光刻机调试工作,并且进展顺利。 今年2月英特尔和ASML技术支持团队联合宣布已打开EXE:5000光刻机的光源,并使光线到达抗蚀剂。业界表示,这是光刻机......
纳米及更先进制程,必须借助光刻设备转印半导体电路图案。追逐先进制程的芯片制造厂商中,台积电和三星均已引入光刻机。目前,台积电和三星已进入5nm工艺的量产阶段,台积电代工的产品包括苹果A14、M1、华为......
大陆厂商当前的主要的任务仍然是提升自身实力。 另一方面,半导体竞争力的提升要立足于全产业链实力的提升。目前,中国大陆半导体制造的短板集中在设备与材料领域,包括光刻机和光刻胶等。28纳米作为成熟节点,绝大......
有报道称三星也购买了ASML公司的量产型EUV光刻机,目的是在2017年加速7nm工艺量产。 EUV是新一代半导体工艺突破的关键,但进展一直比较缓慢,至少比三星、TSMC两家的嘴炮慢得多——早前......
工艺的扩产开始了。因为南部的高雄台积电计划设立的是生产7纳米28纳米制程的晶圆,其中以28nm为主,2022年开始,2024年量产。 可能有网友会不解,台积电扩主28nm有什么奇怪的?大家不都在扩产么?但只......
据台积电的规划,High-NA EUV光刻机将导入其A14节点(1.4纳米)的制程当中,而该制程也预计于2027年进入量产......
EUV光刻机设备,用于7nm、5nm、4nm等先进制程,且9月台积电还将开始量产最新的3纳米制程,这些都需要EUV光刻机设备协助。有市场消息表示,因首代3纳米制程客户可能仅剩苹果,使台......
。Rapidus的目标是在2027年在日本国内量产2nm制程芯片,目前正寻求产业链的合作。 2nm关键设备EUV,厂商“抢疯了” 随着EUV光刻机在7nm以下制程的重要性日益增强,半导......
中包含了三万多个由蔡司提供的组件。 三星电子此前指出,其目标是引领3nm以下的微制造工艺技术,今年计划采用EUV光刻技术量产第六代10纳米DRAM芯片。未来,三星电子积极寻求到2025年实现2nm芯片商业化,到2027年实......
2025-2026年期间迎来大规模的量产应用。 IMEC总裁兼首席执行官Luc Van den hove表示,High-NA EUV是光学光刻领域的下一个里程碑,有望在一次曝光中对间距为20纳米......
成像与芯片设计差距,从而使光刻效果达到预期状态。 据光刻机龙头ASML介绍,计算光刻将算法模型与光刻机、测试晶圆的数据相结合,从而生成一个和最终曝光图案完全不同的掩模版设计,但这正是ASML想要达到的,因为......
光刻机。 如果目标是阻止中国扩大其14纳米工艺技术大规模量产,那么必须阻止所有可以实现节点上最小金属间距64纳米的工具,理论上,连KrF光刻机......
士将购入价值4.8万亿韩元的EUV光刻机设备。 报道指出,SK海力士在一份监管文件中称,这笔交易是为了实现下一代工艺芯片量产的目标。 SK海力士是全球知名的存储器厂商,2021年2月1日,SK......

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;怡合瑞丰科技发展有限公司;;注册于香港,代理美国ABM公司的光刻机及其他半导体设备。可以为客户提供先进的凸点制造等封装工艺与设备
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