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看好氮化镓市场，德州仪器拟扩大日本福岛工厂产能(2023-02-15)
看好氮化镓市场，德州仪器拟扩大日本福岛工厂产能;
【导读】德州仪器(TI)日本负责人Samuel Vicari日前接受日经新闻专访，透露将扩大在日氮化镓晶圆产......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸相单晶衬底生长技术的产业化公司。
总体来看，我国仍以数十家科研院所为主要研发力量，此外，部分企业（铭镓半导体、镓族科技、富加......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
的晶面具有特异性，使得制作的功率器件具有较好的性能；
二是由于采用了熔体法新路线，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。
经检测，科创中心采用新技术路线研制出的这批氧化镓晶圆......
半导体四家企业IPO迎来最新进展(2024-06-18)
赛科表示，公司是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。英诺赛科的产品包括分立器件（覆盖15V至1,200V）、集成电路、晶圆及模块，应用......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。
北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。
北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
制造能力等方面均处于绝对优势。
我国在自主替代大趋势下，目前在氮化镓产业链各环节均有所涉足，在政策支持下已在技术与生产方面取得进步，产业结构相对聚焦中游，多家国内企业已拥有氮化镓晶圆......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
国际最高水平。此外，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。浙大杭州科创中心也首次采用新技术路线成功制备2......
成功导入ASML光刻机，英诺赛科今年有望进入氮化镓厂商全球前三(2021-12-09)
成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓功率器件。
受惠于高、低压GaN产品出货量大幅增长，英诺......
三星进军氮化镓市场：2025年提供8英寸GaN代工服务(2023-07-09)
中心和汽车应用提供8英寸氮化镓晶圆代工服务。
随着世界范围消费电子、电动汽车领域的技术升级和需求增长，功率半导体的价格一直在上涨。因此，行业寄希望于碳化硅、氮化镓......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业诞生！英诺赛科苏州一期产线正式投产(2021-06-08)
赛科成立于2017年，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高科技企业，采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，产品涵盖30-900V功率半导体器件、IC......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
有限公司（以下简称：富加镓业）官微消息，富加镓业6英寸氧化镓单晶及外延片生长线于9月10日在杭州富阳开工建设。
资料显示，富加镓业成立于2019年12月，致力于超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产(2023-03-24 14:10)
国内首条氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产;
“我宣布，飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产。”3月22日，市长张壮在广西飓芯科技投产仪式上宣布。这意味着，国内首条氮化镓......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
方面的研发进展也频传捷报。
北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！(2024-09-13)
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！;9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。
英飞凌表示，公司......
蒋尚义回归后首次亮相；华天科技募资51亿发力这几大项目(2021-01-24)
KrF光刻机的协议，用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。
资料显示，英诺赛科科技有限公司成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片制造的企业。公司成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线投产(2023-03-24)
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线投产;据北部之窗消息，3月22日，飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线举行投产仪式。这意味着国内首条氮化镓......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。
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4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
据晶片测试分析，其结......
ASML/AIXTRON等明星伙伴加持，英诺赛科为何能进入行业前三？(2022-02-17)
，市占率打入全球前三
英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。
2017年11月，英诺科技在珠海率先建立了8英寸硅基氮化镓......
这个项目将新添一条氮化镓共封装器件生产线 年产值可达到12亿元(2021-08-20)
共封装器件生产线。该项目建成并实现量产后，可年产氮化镓共封装器件2亿颗、氮化镓晶圆6万片，年产值可达到12亿元。
报道显示，去年11月，灿科半导体功率器件项目签约落地徐州高新区电子信息产业园内，由广东致能科技......
广州第三代半导体创新中心中试线通线(2023-09-26)
大学广州第三代半导体创新中心（下称“创新中心”）中试线正式通线。广州第三代半导体创新中心是广州开发区与西安电子科技大学携手共建的科研平台。项目建成后，将具备6-8英寸氮化镓晶圆生长、工艺制备、封测......
广东微纳院半导体微纳加工中试平台通线(2024-07-15)
半导体材料外延生长、芯片加工、封装测试等全链条中试平台。平台建成后具备8吋硅晶圆和氮化镓晶圆加工能力，2-8吋氮化镓基材料外延生长能力，其中晶圆加工产能为8吋5000片/月，材料外延生长总产能为4吋4000片......
GaN市场“钱途”光明，又一半导体大厂强势入局8英寸赛道(2023-07-10)
是为了满足汽车领域对功率半导体的需求。
报导引用知情人士的说法指出，三星电子近期在韩国、美国举办的“2023三星晶圆代工论坛”活动宣布，将在2025年起，为消费级、资料中心和汽车应用提供8寸氮化镓晶圆代工服务。
据悉，氮化镓......
重点发展氮化镓，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用(2023-11-23)
的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。
英诺赛科的主要产品涵盖从低压到高压（30V......
2024年度中国第三代半导体技术十大进展揭晓(2024-11-22 17:57)
国产碳化硅MOSFET的电驱系统通过汽车企业验证，应用数量超千台。
（十）氮化镓基蓝光激光器关键技术取得产业化突破
氮化镓基蓝光激光器关键技术取得产业化突破：氮化镓......
福州新区两个GaN项目签约(2024-01-29)
福州新区两个GaN项目签约;近日，福州新区集中签约38个重点项目，总投资超220亿元，其中2个项目涉及氮化镓，包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。
资料显示，芯睿半导体氮化镓晶圆......
从消费到汽车/工业等领域，氮化镓进一步撬动市场！(2023-03-15)
现月生产2500片的产能。
据介绍，百思特达是2019年兴隆台区和盘锦高新区共同引进的高新技术产业项目，该公司主要研发生产氮化镓晶圆及氮化镓基芯片系列产品。
2019年11月，百思特达氮化镓......
从消费到汽车/工业等领域，氮化镓进一步撬动市场(2023-03-15)
外延片处于试生产和产品认证阶段，正式投产后，可实现月生产2500片的产能。
据介绍，百思特达是2019年兴隆台区和盘锦高新区共同引进的高新技术产业项目，该公司主要研发生产氮化镓晶圆及氮化镓基芯片系列产品。
2019年11月......
第四代半导体氧化镓，浙大杭州科创中心新技术路线制备2英寸晶圆(2022-05-09)
制造出直径4英寸级别的大尺寸氧化镓晶圆，进一步助力国内氧化镓材料的产业发展。
封面图片来源：拍信网......
晶瑞股份之后，这家公司与ASML签署了批量购买协议(2021-01-22)
有限公司成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片制造的企业。公司成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓......
半导体企业转型之路！赛微电子收购瑞典当地半导体生产制造园区(2023-03-17)
在损害上市公司及全体股东利益的情形。
半导体企业转型之路
赛微电子前身耐威科技成立于2008年，于2015年在深圳证券交易所创业板挂牌上市，主要从事导航业务和航空电子业务。
上市......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
在自主替代大趋势下，目前在氮化镓产业链各环节均有所涉足，在政策支持下已在技术与生产方面取得进步，产业结构相对聚焦中游，多家国内企业已拥有氮化镓晶圆制造能力。
此外，5G通讯的革命性转变重塑了射频技术产业......
EPC的GaN商业化策略：从细分市场到全面布局，以点到面逐个击破(2024-09-13)
示着该技术正逐渐走向成熟，GaN产业链企业正通过并购来完善自己的产业化能力；
在技术发展方面，近日英飞凌宣布成功研发出全球首款12英寸(300毫米)功率GaN晶圆技术，这标志着氮化镓......
英诺赛科回应英飞凌专利侵权指控：反对非正常竞争！(2024-08-06)
续加大研发投入，确保产品市场竞争优势，同时推崇合作共赢，助力全球氮化镓产业繁荣发展。
（来源：）
作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，目前英诺赛科已经发展成为全球功率半导体革命的领导者，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓......
名企招聘|中国第一家氮化镓电子材料与器件工厂—能讯半导体(2017-07-05)
期投资为3.8亿元，建筑面积1.3万平方米，设计产能为年产3寸氮化镓晶圆6000片，其技术力量和生产规模位于国际前列。
能讯半导体采用了整合设计与制造（IDM）的商业模式，率先在中国开展了第三代半导体氮化镓高能效功率半导体材料与器件的研发与产业化......
名企招聘|能讯半导体2017最新招聘信息(2017-05-03)
厂占地55亩，第一期投资为3.8亿元，建筑面积1.3万平方米，设计产能为年产3寸氮化镓晶圆6000片，其技术力量和生产规模位于国际前列。 能讯半导体采用了整合设计与制造（IDM）的商业模式，率先在中国开展了第三代半导体氮化镓高能效功率半导体材料与器件的研发与产业化......
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？(2021-12-16)
自支撑衬底的开发、生产和销售。
2020年2月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，项目建成投产后，可填补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓......
世界先进宣布0.35微米650V氮化镓制程迈入量产(2022-11-24)
机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。根据客户端的系统验证结果，世界先进公司提供的氮化镓晶圆于快充市场的应用上，针对65W以上的快充产品，其系......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日，从顺义科创集团获悉，入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓......
这个氮化镓功率半导体项目迎新进展(2024-09-20)
厂商芯联集成披露了2024年上半年业绩电话说明会相关内容。会上，芯联集成表示，其将增加氮化镓产品线，来满足新应用的需求。
值得一提的是，英飞凌近日宣布已成功开发出全球首款12英寸功率氮化镓晶圆。英飞......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆......
第三代半导体发展利好，国内产业项目多点开花(2021-06-18)
发布指出，英诺赛科一期项目正式开启大规模量产，预计2021年实现产能可达6000片/月。项目全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片......
看好化合物半导体领域 传台积电扩大氮化镓生产(2021-02-24)
国外大厂合作进军此领域，尤其是氮化镓晶圆。魏哲家当初表示，氮化镓拥有高效能、高电压等特性，适合用在高频半导体，而台积电在氮化镓制程技术上已有所进展，符合客户要求，看好未来氮化镓应用前景。如今，小批......
三菱电机首条12英寸产线安装调试完成！(2023-09-07)
模块营收占比将会提升到30%以上。
在新的领域，三菱电机也在加速布局。今年7月底，三菱电机宣布其已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology，今后将加快研究开发高性能低损耗氧化镓......
英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%(2023-03-10)
积的优势不言而喻，但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地，规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。
随着终端产品对氮化镓......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
比之前的半导体材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电阻，在低能耗的同时产生更高的效率。
除此之外，氧化镓在成本较低的同时也具有良好的化学特性和热稳定性，再加上其制备方法相对便捷，因此在工业产业化......
汽车电驱龙头纬湃科技与GaN系统公司达成战略合作，加快氮化镓技术发展(2021-11-27)
更亲民。本次通过与纬湃科技达成战略合作是公司进军全球汽车市场的绝佳机会。
纬湃科技指出，要使氮化镓技术成功运用于汽车上，未来仍亟待双方展开密切的技术协作。然而，这项技术开发的前景是巨大的: 基于氮化镓晶......
6万片/月，深圳这条8英寸碳化硅产线年底通线(2024-10-18)
万片。彭建华还表示，2025年公司将具备年产16.8万片车规级碳化硅MOS的生产能力。此外，Fab1还负责生产氮化镓晶圆，目前月产能为4000片。
Fab2的8英寸碳化硅晶圆生产线将于2024......
誉鸿锦半导体GaN技术发布会，携Super IDM模式推动产业效率革命(2023-10-17)
终通过全流程IDM集成的方式减少过程中的时间成本和经济成本的损耗。最终实现匹敌于硅器件的产业链效率和成本。
为此誉鸿锦半导体在创立之初，就组建产业奠基人级的技术团队，其首席科学家邵春林博士为现场观众分享自己作为中国最早开展氮化镓技术研发和产业化......
相关企业
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;耐威科技有限公司;;电子产品
;北京耐威科技有限公司;;ITT连接器
度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过
尤为突出 。 主要的客户群则涵盖晶圆产业、光电产业（LED、STN、TFT-LCD、BACKLIGHT、etc）、印刷电路板产业、 铭牌印刷产业等等。本行成立至今，秉承"专业质量，服务至上"为宗旨，凭籍
尤为突出 。 主要的客户群则涵盖晶圆产业、光电产业（LED、STN、TFT-LCD、BACKLIGHT、etc）、印刷电路板产业、 铭牌印刷产业等等。本行成立至今，秉承"专业质量，服务至上"为宗
在价格还是品质方面,我行均给予极大优惠。我行在除微尘和消除静电领域，专业尤为突出 。 主要的客户群则涵盖晶圆产业、光电产业（LED、STN、TFT-LCD、BACKLIGHT、etc）、PCB产业、FPC产业
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
;北京耐威科技股份有限公司营销部;;北京耐威科技股份有限公司专注于卫星导航定位产品、惯性导航产品及组合导航定位产品的研发、生产与销售。 公司的高精度卫星导航定位产品主要包括高精度GNSS主板、软件
;北京耐威时代科技有限公司武汉办事处;;北京耐威时代科技有限公司武汉办事处是惯导、GPS等产品专业生产加工的有限责任公司,公司总部设在北京,北京耐威时代科技有限公司武汉办事处拥有完整、科学