第四代半导体是指以氧化镓、氮化铝、锑化镓、锑化铟为代表的半导体材料，具备体积小、能耗低、功能强的特点，能在苛刻的环境条件下更好地运用在光电器件、电力电子器件中。

近年，得益于人工智能等新兴技术的推动，第四代半导体材料概念应运而生，并凭借上述优势被业界看好，未来有望替代以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料。

我国正大力布局第四代半导体材料，国内企业积极开展第四代半导体技术研究，并在氧化镓领域取得了一定成果。

1月9日，镓仁半导体宣布公司在氧化镓晶体生长领域取得新进展，通过对自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行迭代优化升级，采用垂直布里奇曼（VB）法成功生长出4英寸氧化镓单晶，这是国内首次实现该项技术突破。

据悉，镓仁半导体采用了细籽晶诱导+锥面放肩技术来生长4英寸氧化镓单晶，相较于无籽晶自发成核和等径籽晶技术，更容易确保晶体质量。其中，籽晶与晶体轴向平行于[010]晶向，可加工4英寸(010)面衬底。在此之前，镓仁半导体经历了从等径籽晶生长2英寸单晶到细籽晶诱导+锥面放肩技术生长2英寸单晶的研发过程，最终确定了细籽晶诱导+锥面放肩的路线，并实现了4英寸单晶生长的突破。

镓仁半导体已推出晶圆级(010)氧化镓单晶衬底产品，该公司介绍，在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先，（010）衬底热导率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）衬底具有较快的外延生长速率，外延匹配度好，是外延优选晶面。

除了镓仁半导体之外，此前媒体还报道了杭州富加镓业公司在氧化镓技术专利上取得了突破，该公司成功申请了一项名为“一种氧化镓晶体的生长控制方法及生长装置”的专利，核心是针对氧化镓晶体生长过程中的多个控制参数进行优化和自动化设置。

专利摘要内容显示，具体的控制参数包括引晶控制参数、缩径控制参数、放肩控制参数和等径控制参数。这些参数的好坏直接影响到晶体的质量、成品率和稳定性。

通过引晶控制参数，富加镓业能够有效调节生长炉内的气氛和温度，保证晶体的初步生长事宜。接着，缩径控制和放肩控制能够在不同生长阶段继续优化晶体的形状和直径，最终实现晶体在直径上的一致性。这一技术的应用，不仅减少了人工操作的介入，也有效降低了生产过程中的误差，从而提升了生产的稳定性与一致性。

国内在氧化镓技术方面已经取得了较为明显的突破，并在产业化方面取得了积极进展。业界认为，在政策利好，企业大力布局，以及AI、5G通信、新能源汽车、物联网等新兴领域的推动下，以氧化镓为代表的第四代半导体市场规模未来将逐渐扩大。