技术咨询
代买器件
商务客服
研发客服近日，浙江大学杭州国际科创中心（以下简称“科创中心”）先进半导体研究院在首席科学家杨德仁院士的带领下，利用全新的熔体法技术路线研制氧化镓体块单晶以及晶圆，目前已成功制备直径2英寸（50.8 mm）的氧化镓晶圆。
浙大杭州科创中心消息显示，使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势，一是使用这种方法生长出的氧化镓晶圆的晶面具有特异性，使得制作的功率器件具有较好的性能；二是由于采用了熔体法新路线，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。
此外，该团队计划在2年内制造出直径4英寸级别的大尺寸氧化镓晶圆，进一步助力国内氧化镓材料的产业发展。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关文章
铭镓半导体预计2023年底完成扩产计划，将建成氧化镓完整产业线(2022-08-04)
铭镓半导体预计2023年底完成扩产计划，将建成氧化镓完整产业线;据北京顺义消息， 8月1日，顺义科创集团与北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）签订承租合同，将腾退的989平方米老厂房变身为氧化镓......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日，从顺义科创集团获悉，入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓......
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破(2024-06-06)
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破;据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！;近期，北京铭镓半导体有限公司（以下简称：铭镓半导体）使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体等。此外，除中电科46所，上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓......
抢占竞争制高点？国内氧化镓功率器件研发取得重要进展(2022-08-31)
院士团队研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应，实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管，功率优值高达13.2GW/cm2，是截止目前氧化镓半导体......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
技术来源于中科院上海光机所技术研发团队，主要从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作。
03北京铭镓半导体
铭镓半导体成立于2020年，是国内专业从事氧化镓......
铭镓半导体扩产项目、特思迪半导体二期等项目签约北京(2023-05-29)
统解决方案和工艺设备。铭镓半导体成立于2020年，已实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司之一。
消息称，此次集中签约标志着顺义区第三代半导体......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
研发进展捷报频传
目前，我国从事氧化镓相关业务的企业包括北京镓族科技、杭州富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体等。此外，除中电科46所，上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
研发进展捷报频传
目前，我国从事氧化镓相关业务的企业包括北京镓族科技、杭州富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体等。此外，除中电科46所，上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京......