据北京顺义消息,北京铭镓半导体有限公司(以下简称“铭镓半导体”)在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破,已领先于国际同类产品标准。
铭镓半导体董事长陈政委表示,半绝缘型(010)铁掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延,目前国际可做到25毫米×25毫米尺寸,而铭镓半导体可以做到40毫米×25毫米尺寸,可稳定生产多炉且累计一定库存。导电型(001)锡掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延,目前国际上可达到4英寸,铭镓半导体已实现大尺寸衬底工艺突破,并将逐步稳定工艺供货。
据官网介绍,铭镓半导体致力于研发和生产新型半导体人工晶体材料,包括第四代半导体材料氧化镓、高频磷化铟晶体和大尺寸掺杂光学晶体。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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