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铭镓半导体预计2023年底完成扩产计划，将建成氧化镓完整产业线;据北京顺义消息， 8月1日，顺义科创集团与北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）签订承租合同，将腾退的989平方米老厂房变身为氧化镓......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日，从顺义科创集团获悉，入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓......
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破;据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！;近期，北京铭镓半导体有限公司（以下简称：铭镓半导体）使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓......
富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体等。此外，除中电科46所，上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓......
院士团队研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应，实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管，功率优值高达13.2GW/cm2，是截止目前氧化镓半导体......
技术来源于中科院上海光机所技术研发团队，主要从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作。 03北京铭镓半导体 铭镓半导体成立于2020年，是国内专业从事氧化镓......
统解决方案和工艺设备。铭镓半导体成立于2020年，已实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司之一。 消息称，此次集中签约标志着顺义区第三代半导体......
研发进展捷报频传 目前，我国从事氧化镓相关业务的企业包括北京镓族科技、杭州富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体等。此外，除中电科46所，上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京......
研发进展捷报频传 目前，我国从事氧化镓相关业务的企业包括北京镓族科技、杭州富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体等。此外，除中电科46所，上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京......
晶体生长的各项需求，还集成了多项自主创新技术。 今年以来，镓仁半导体持续在氧化镓技术方面取得突破。4月，镓仁半导体推出了2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸（010......
，媒体报道中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。去年12月，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓......
杨德仁院士团队自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓（β-Ga2O3）单晶衬底。 今年4月，镓仁半导体推出了新产品2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸（010）氧化镓......
高频滤波芯片生产线，首批产线实现每年400kk产能，企业产值10亿元左右。 资料显示，晶旭半导体致力于氧化镓基通讯射频滤波器晶圆材料及芯片的研发生产和服务，具备氧化镓半导体外延装备、工艺......
产业，并取得了一系列成果。 去年2月，中国电科46所成功制备出6英寸氧化镓单晶，技术达到了国际一流水平。           同年10月，北京铭镓半导体有限公司实现了4英寸氧化镓......
拥有完全自主知识产权，而且使用该技术制备的 2 英寸氧化镓晶圆是全球首次。 2022 年 12 月，铭镓半导体实现了 4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料 4......
造国际高端功率芯片生产制造商，力争做到国际领先技术、中国本土制造。 据了解，昌龙智芯未来将与铭镓半导体展开紧密的产业协同合作，以顺义区为起点，形成从装备到材料、芯片、封装检测及下游应用的产业链布局，组成国内第一条氧化镓......
单晶制备较难实现，我国大尺寸氧化镓半导体材料的产出仅限于高校或者实验室，距离真正规模化、商业化量产还需要一定时间。 在资本青睐、科研人员重视下，氧化镓正逐渐成为半导体......
还有诸多技术瓶颈待突破。比如，由于高熔点、高温分解以及易开裂等特性，大尺寸氧化镓单晶制备较难实现，我国大尺寸氧化镓半导体材料的产出仅限于高校或者实验室，距离真正规模化、商业化量产还需要一定时间。 在资......
国际最高水平。此外，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。浙大杭州科创中心也首次采用新技术路线成功制备2......
，北京铭镓半导体有限公司实现了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，推出多规格氧化镓单晶衬底并首发4英寸(100)面单晶衬底参数。 今年3月，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体......
传统的Si等半导体材料逐步接近物理极限，氧化镓作为新一代功率半导体材料，其禁带宽带大、击穿场强高，有望在未来功率器件领域发挥重要的作用。 另外，氧化镓半导体材料能够采用熔体法生长，未来......
百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工，进入试生产阶段;据盘锦高新技术产业开发区消息，目前，辽宁百思特达半导体科技有限公司（以下简称“百思特达”）的氮化镓半导体芯片项目已经进入产品试生产阶段。 消息......
等科研机构研究较多。企业方面，据不完全统计，2022年以来多家上市公司纷纷披露氧化镓相关业务研发情况，涉及公司包括中航机电、新湖中宝、中钢国际、蓝晓科技、南大广电、阿石创等。而初创企业方面，以杭州富加镓业、北京铭镓半导体......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成，将增加10条氮化镓外延生产线;据盘锦日报报道，5月9日，盘锦高新技术产业开发区的氮化镓半导体芯片项目现场，工程施工人员正在接通水电气，辽宁百思特达半导体......
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。 据悉，菏泽市牡丹区砷化镓半导体......
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展;高功率氧化镓肖特基二极管 如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决，PN结相......
技术，并开始在日本会津工厂进行大规模生产。”Mohammad Yunus进一步指出，到2030年，德州仪器内部氮化镓制造率将增长到95%以上，同时还可以从多个德州仪器工厂采购，确保公司整个氮化镓半导体......
这家企业突破一专业领域芯片研制及试产;据南光谷消息，9月28日，位于大桥智能制造产业园的武汉鑫威源电子科技有限公司（以下简称“鑫威源”）在高性能氮化镓半导体激光器芯片方面取得重大技术突破，同时氮化镓半导体......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展;近日，第68届IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM,国际电子器件大会)在美......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线投产;据北部之窗消息，3月22日，飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线举行投产仪式。这意味着国内首条氮化镓半导体......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展;IT之家 12 月 12 日消息，据中国科大发布，第 68 届 IEEE International Electron Devices Meeting......
会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。 产业效率革命: 先有效率才有规模和低成本 当前，逻辑半导体......
料产业以及物流产业等领域进行全方位合作。 根据协议，双方将合作建设以氮化镓半导体为核心的第三代半导体产业基地、以金属铜为原料向下游延伸建设5G新材料产业基地，同时搭建金属和新材料等大宗商品交易平台，建设......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产; “我宣布，飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产。”3月22日，市长张壮在广西飓芯科技投产仪式上宣布。这意味着，国内首条氮化镓半导体......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用全球领先的氮化镓......
是结构，还是集成程度，厂商都已做到极致，作为对制程敏感度更低的功率IC，材料成为成倍加强功率半导体的神兵利器。所以厂商才不遗余力地投入在SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等第三代半导体和Ga2O3（氧化镓......
提高器件的效率。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）这两种材料尤为重要。这两种材料并不新鲜，但迄今为止，对它们的需求一直受到成本，产能以及可靠性的担忧。不过，这种情况正在开始改变。越来越多的碳化硅和氮化镓半导体......
于设计和制造用于高压功率转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体。Transphorm拥有庞大的功率氮化镓知识产权组合，持有或取得授权的专利超过1000项，生产了业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压氮化镓半导体器件。得益......
Micsig光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试;地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室 测试对象：氮化镓半桥快充 测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要......
光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试;测试背景 地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室 测试对象：氮化镓半桥快充 测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要......
计划购买更多设备来提升开发和原型设计能力，向大规模200mm硅基氮化镓半导体制造迈进。作为投资的一部分，格芯计划实施新的能力，以减少格芯及其客户面临镓供应链限制的风险，同时提高美国制造氮化镓芯片的开发速度、供应......
年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从......
山市政府消息显示，东科氮化镓半导体项目一期工程全部结构封顶。 据悉，东科半导体主要从事高频高效绿色电源IC和大功率电源IC的设计、生产、制造和销售，提供AC-DC电源管理系列、SR同步整流系列、触摸......
年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从......
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。 北京通美：规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产  招股说明书显示，北京通美此次拟募集资金11.67亿元，扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓半导体......
第三代半导体项目遍地开花;近日，多个项目迎来最新进展。其中，重投天科项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。本文引用地址：总投资32.7亿元，重投天科项目在深圳宝安启用 据滨......
.html 关于Transphorm Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓......
和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体......

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;浙江博杰电子;;浙江博杰电子有限公司是专业从事磁敏、光电、新型元器件研究、开发、生产和销售的高新技术企业。 浙江博杰电子有限公司是由浙江建杰控股集团有限公司和中科院半导体研究所共同组建。公司以中科院半导体
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;泉州市程光激光设备有限公司;;全国（福建/泉州/厦门/蒲田）程光激光打标机 福建，泉州，福州、厦门、宁德、莆田、漳州、龙岩、三明、南平（半导体激光打标机，二氧化碳（CO2）激光打标机，光纤
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兆龙； 【氮化镓】： 英诺赛科、GaN systems； 【单片机】： GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。