产能增加400%,一半导体工厂投产

发布时间:2024-10-30  

近日,半导体大厂德州仪器 (TI)宣布,公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。

随着会津工厂投产,加上其位于德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造工厂,德州仪器的GaN功率半导体产能将提升至原来的四倍。

德州仪器技术和制造高级副总裁Mohammad Yunus表示:“德州仪器已成功认证了8英寸(200mm)氮化镓技术,并开始在日本会津工厂进行大规模生产。”Mohammad Yunus进一步指出,到2030年,德州仪器内部氮化镓制造率将增长到95%以上,同时还可以从多个德州仪器工厂采购,确保公司整个氮化镓半导体产品组合的供应。”

作为硅的替代材料,氮化镓在能效、开关速度、电源解决方案的尺寸和重量、整体系统成本以及高温高压条件下的性能等方面都具有优势。GaN芯片可提供更高的功率密度,或在更小的空间内提供功率,从而实现笔记本电脑和手机的电源适配器等应用,或用于供暖和空调系统和家用电器的更小、更节能的电机。

近年来,随着消费电子持续发展,加上服务器、AI、工业、太阳能等产业快速发展,氮化镓已在消费电子(如电源适配器)和工业如数据中心电源和太阳能逆变器已得到广泛采用。

有观点认为,氮化镓功率芯片将成为第二次电力电子学革命的催化剂。业界估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化镓功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40%的能源浪费,相当于节省了100兆瓦时太阳能和1.25亿吨二氧化碳排放量。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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