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研发客服近日，世界先进公司（世界先进积体电路股份有限公司）宣布，其领先的八寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程（GaN-on-QST）已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证，正式进入量产，为特殊积体电路制造服务领域首家量产此技术的公司。
2018年，世界先进公司以Qromis基板技术（简称QST TM）进行八寸QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST制程开发，于今年第一季开发完成，于第四季成功量产，世界先进公司同时已和海内外整合元件制造（IDM）厂及IC设计公司展开合作。
QST基板相较于以矽（Si）作为基板，具有与氮化镓磊晶层更匹配的热膨胀系数（CTE），在制程中堆叠氮化镓的同时，也能降低翘曲（warpage）破片，更有利于实现量产。世界先进公司的0.35微米650 V GaN-on-QST制程能与公司既有的八寸矽晶圆机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。根据客户端的系统验证结果，世界先进公司提供的氮化镓晶圆于快充市场的应用上，针对65W以上的快充产品，其系统效率已达世界领先的水准。此外，基于QST基板的良好散热特性，在整体快充方案效能上，世界先进公司提供的氮化镓晶圆具有更优良的散热表现。
据了解，目前该公司拥有五座八寸晶圆厂，分别位于台湾与新加坡。2022年其八寸晶圆平均月产能约26.2万片。
此外，世界先进于11月9日公布2022年10月份营收报告。该公司发言人黄惠兰副总经理暨财务长表示，由于晶圆出货量减少，该公司10月营收较上月36.93亿元新台币减少约3.74%。1至10月份合并营收约456.76亿元新台币，与去年同期349.80亿元新台币相较增加约30.58%。
世界先进官网截图
文章来源于:国际电子商情 原文链接
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