在新能源、5G基站的需求持续推动下，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体产业迎来了投资热潮。而近期，不少国际国内企业都披露了最新扩产计划及项目进展情况。

1国际企业忙扩产

近期，一众国际知名厂商扩产计划相继曝光，建厂、扩产消息不断。

据外媒TheElec报道，SK Siltron计划与RFHIC和Yes Power Technix成立一家合资企业，开发碳化硅和氮化镓半导体，该计划正在等待母公司SK公司批准。资料显示，SK Siltron是韩国唯一一家半导体硅晶圆制造商，目前，其在韩国、美国生产SiC晶圆，也在开发GaN晶圆。而RFHIC主营GaN射频芯片，Yes Power Technix则主营SiC电源管理IC。

日媒近日报道，日立功率半导体公司计划投资超1000亿日元，将用于电动汽车和电器等产品的功率半导体产能提高至3倍。报道指出，到2027年，日立功率半导体公司将提高临海和山梨工厂以及一家承包工厂的产量。

除了SK Siltron和日立功率半导体有扩产计划外，Wolfspeed和安森美也在此前宣布了相关投资规划。

其中Wolfspeed计划建造世界上最大的碳化硅材料工厂；安森美也表示在今年将碳化硅衬底产能扩充4倍，该厂将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加5倍。

此外，碳化硅（SiC）外延片大厂昭和电工宣布，8英寸碳化硅外延片样品已开始出货，该外延片使用昭和电工自产碳化硅单晶衬底制备。

2国内产能即将陆续释放

国际大厂忙于扩产之际，不少国内厂商也紧随其后，披露了项目研发的最新进展。

天岳先进最新披露的调研纪要显示，公司位于上海临港的上海天岳碳化硅半导体材料项目已经成功封顶。天岳先进表示，公司将继续加快临港项目产能建设，预计导电型衬底大批量供货在上海工厂投产后将陆续释放。另外，目前公司已通过车规级IATF16949体系的认证，并加快推动相应产品的客户认证工作。

芯导科技董事长、总经理欧新华近日在业绩会上表示，公司第三代半导体650V GaN HEMT产品已在多家客户的项目中进行测试和验证，预计今年可实现量产；配合公司第三代半导体650V GaN HEMT器件的高整合度驱动器芯片，也已处于客户端测试阶段，预计将于今年批量投产。

晶盛机电在互动平台表示，公司已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体，并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证。

宏光半导体公司与协鑫集团于近日订立战略合作框架协议，旨在加强在第三代半导体氮化镓器件、快充电池等领域的生产研发能力。根据协议，双方拟于氮化镓功率芯片在新能源领域的应用开展密切合作，其中包括共同开发基于硅基功率芯片及第三代半导体之应用产品等。

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