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全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！;9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。 英飞凌表示，公司......
福州新区两个GaN项目签约;近日，福州新区集中签约38个重点项目，总投资超220亿元，其中2个项目涉及氮化镓，包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。 资料显示，芯睿半导体氮化镓晶圆......
成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓功率器件。 受惠于高、低压GaN产品出货量大幅增长，英诺......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机;三菱电机公司于7月30日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.（以下简称“NCT”），一家开发和销售氧化镓晶圆......
机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。根据客户端的系统验证结果，世界先进公司提供的氮化镓晶圆于快充市场的应用上，针对65W以上的快充产品，其系......
国外大厂合作进军此领域，尤其是氮化镓晶圆。魏哲家当初表示，氮化镓拥有高效能、高电压等特性，适合用在高频半导体，而台积电在氮化镓制程技术上已有所进展，符合客户要求，看好未来氮化镓应用前景。如今，小批......
积的优势不言而喻，但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地，规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。 随着终端产品对氮化镓......
赛科科技有限公司成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片制造的企业。公司成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓......
看好氮化镓市场，德州仪器拟扩大日本福岛工厂产能; 【导读】德州仪器(TI)日本负责人Samuel Vicari日前接受日经新闻专访，透露将扩大在日氮化镓晶圆......
三菱电机投资Novel Crystal Technology，加速开发氧化镓功率半导体;加速研究开发性能卓越的功率半导体为实现低碳社会做出贡献三菱电机集团近日（2023年7月28日）宣布，已投资日本氧化镓晶圆......
制造能力等方面均处于绝对优势。 我国在自主替代大趋势下，目前在氮化镓产业链各环节均有所涉足，在政策支持下已在技术与生产方面取得进步，产业结构相对聚焦中游，多家国内企业已拥有氮化镓晶圆......
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单......
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单......
厂商芯联集成披露了2024年上半年业绩电话说明会相关内容。会上，芯联集成表示，其将增加氮化镓产品线，来满足新应用的需求。 值得一提的是，英飞凌近日宣布已成功开发出全球首款12英寸功率氮化镓晶圆。英飞......
中心和汽车应用提供8英寸氮化镓晶圆代工服务。 随着世界范围消费电子、电动汽车领域的技术升级和需求增长，功率半导体的价格一直在上涨。因此，行业寄希望于碳化硅、氮化镓......
是为了满足汽车领域对功率半导体的需求。 报导引用知情人士的说法指出，三星电子近期在韩国、美国举办的“2023三星晶圆代工论坛”活动宣布，将在2025年起，为消费级、资料中心和汽车应用提供8寸氮化镓晶圆代工服务。 据悉，氮化镓......
毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管，且性能良好。 这为实现300毫米硅基氮化镓(GaN-on-silicon)晶圆开辟一条可行的路径。 今年，Intel在硅和氮化镓......
资本等跟投。据介绍，本轮融资资金将主要用于吴越半导体氮化镓自支撑衬底的研发与扩产。 公开资料显示，吴越半导体成立于2019年3月，是一家半导体研发与设计服务商，致力于半导体晶体、晶圆、芯片......
共封装器件生产线。该项目建成并实现量产后，可年产氮化镓共封装器件2亿颗、氮化镓晶圆6万片，年产值可达到12亿元。 报道显示，去年11月，灿科半导体功率器件项目签约落地徐州高新区电子信息产业园内，由广......
年产4万片！碳化硅基氮化镓晶圆厂，出货; 【导读】瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进......
元以上，复合年增长率为17%。 在行业竞争的角度，2020年恩智浦在美国亚利桑那州开设了世界上第一家6英寸碳化硅基氮化镓晶圆厂。这一举措将进一步加速碳化硅基氮化镓从4"到6"的演变。 在代......
科技介绍称，GaN系统公司是业界领先且备受好评的氮化镓功率晶体管开发商，其产品已经涉足汽车领域。然而，氮化镓晶体管在汽车应用中仍有很大的潜力，相比硅晶体管它的体积更小，性能更高效、使用更经济。 图片......
和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
(GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓......
提供6英寸氮化镓晶圆代工服务，生产CMOS 制程的二极管、MOSFET 以及滤波器等。多年前联电将旗下6英寸厂转给联颖光电。在2021年下半年开始，联颖光电业绩持续上升。市场......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
(GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓......
​Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
国际最高水平。此外，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。浙大杭州科创中心也首次采用新技术路线成功制备2......
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
(eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型(D－Mode)与增强型(E－Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally......
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
，目前已经成功制备直径2英寸（50.8mm）的氧化镓晶圆。 国际首创！浙大开发新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆 浙江大学杭州国际科创中心介绍称，使用......
续加大研发投入，确保产品市场竞争优势，同时推崇合作共赢，助力全球氮化镓产业繁荣发展。 （来源：） 作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，目前英诺赛科已经发展成为全球功率半导体革命的领导者，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓......
行设备搬入仪式，进入量产准备阶段。同年11月通线试产，短短几个月时间，项目进展快速，于近日宣布开启大规模量产。 项目预计2021年实现产能可达6000片/月，全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比; 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化镓......
研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。 英诺赛科的主要产品涵盖从低压到高压（30V......
业务开发部门负责人Kenji Fujito说：“氮化镓能否得到广泛应用，关键在于电动汽车是否采用它。”为此，需要开发大直径基板。 氮化镓半导体器件是通过在基板上生长氮化镓晶......
引用知情人士的说法指出，三星电子在韩国、美国举办的“2023三星晶圆代工论坛”活动宣布，将在2025年起，为消费级、资料中心和汽车应用提供8寸氮化镓晶圆代工服务。 9月，东科......
中心和汽车应用提供8寸氮化镓晶圆代工服务。 9月，东科半导体与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。该研发中心将瞄准国家和产业发展全局的创新需求，以第三代半导体氮化镓......
万片。彭建华还表示，2025年公司将具备年产16.8万片车规级碳化硅MOS的生产能力。此外，Fab1还负责生产氮化镓晶圆，目前月产能为4000片。 Fab2的8英寸碳化硅晶圆生产线将于2024......
汽车电动化带来的需求增加，SiC裸片有望成为长期市场驱动力，硅片也有望摆脱产量调整的影响。此外，我们还可以期待GaN晶圆直径的增加以及氧化镓晶圆开始量产等附加内容，预计2035年市场规模将扩大至10,763亿日元，是......
器件量产线。 随后，为了满足快速增长的电力需求，2020年9月，英诺科技在苏州开设了新工厂。 2021年6月，英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓芯片生产线正式量产。  目前，英诺赛科拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆......
半导体材料外延生长、芯片加工、封装测试等全链条中试平台。平台建成后具备8吋硅晶圆和氮化镓晶圆加工能力，2-8吋氮化镓基材料外延生长能力，其中晶圆加工产能为8吋5000片/月，材料外延生长总产能为4吋4000片......
，目前已成功制备直径2英寸（50.8 mm）的氧化镓晶圆。 浙大杭州科创中心消息显示，使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势，一是使用这种方法生长出的氧化镓晶圆......
厂占地55亩，第一期投资为3.8亿元，建筑面积1.3万平方米，设计产能为年产3寸氮化镓晶圆6000片，其技术力量和生产规模位于国际前列。 能讯半导体采用了整合设计与制造（IDM）的商业模式，率先在中国开展了第三代半导体氮化镓......
芯片研发与制造的IDM企业，拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆厂和先进的氮化镓制程工艺。目前英诺赛科已经发布和销售多款氮化镓功率器件，覆盖30V到700V电压范围，产品的各项性能指标均达到国际先进水平，已经......
您对我们的电机驱动方案感兴趣， 英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆......

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