据媒体报道，联电加速布局8英寸晶圆第三代半导体制造领域，自行购置蚀刻、薄膜新机台，预计下半年将进驻8英寸AB厂。

在2021年年底，业界便有消息表明，联电早已低调布局第三代半导体领域。其主要通过转投资联颖光电切入，锁定6英寸氮化镓；并与比利时微电子研究中心（IMEC）合作，进行技术研发合作。

据悉，联颖光电为联电子公司，主要提供6英寸氮化镓晶圆代工服务，生产CMOS 制程的二极管、MOSFET 以及滤波器等。多年前联电将旗下6英寸厂转给联颖光电。在2021年下半年开始，联颖光电业绩持续上升。市场也传出联颖打算办理现金增资、扩展产能的消息。

联电首席财务官刘启东对此回应称，集团在第三代半导体的发展上，仍以联颖为主，联电则进行研发，不过确实有在合作，但细节不便透露。联电强调，在6英寸氮化镓领域站稳脚步之后，也将展开碳化硅（SiC）布局，并朝8英寸晶圆发展。联颖第三代半导体制程将以CMOS制程做转换，未来有机会将伺机寻求生产扩充的空间。

据TrendForce集邦咨询研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。而GaN适合高频率应用，包括通讯装置，以及用于手机、平板、笔电的快充。预估GaN功率半导体至2025年可达13.2亿美元。

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