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清华大学科研团队新成果：有望为EUV光刻光源提供新技术路线;2月25日，清华大学工程物理系教授唐传祥研究组与来自亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心（HZB）以及德国联邦物理技术研究院（PTB）的合......
ASML登上全球半导体曝光设备龙头，两个转折点都与台积电有关;外媒报导，半导体制程一家独大的极紫外光曝光设备（EUV）厂商艾司摩尔（ASML），几乎成为各半导体制造商发展不可或缺的伙伴，尤其10纳米......
光源技术突破，EUV量产指日可待; 来源：内容来自eettaiwan，谢谢。 在日前于美国举行的西部光电展(Photonics West)上，业界多家厂商探讨了极紫外光(EUV)微影......
产量。 Fouquet表示，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。 到......
此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。 在传统光学系统中，例如照相机、望远镜和传统的紫外线光刻技术，光圈......
产量。 Fouquet表示，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。 到2030......
，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。 到2030年，使用High......
ASML首席技术官：明年交付首台High-NA EUV光刻机;据外媒Bits & Chips报道，ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示，目前......
此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。在传统光学系统中，例如照相机、望远镜和传统的紫外线光刻技术，光圈......
激光器拥有将极紫外光刻（EUV）光源效率提高约10倍的能力，或有望取代当前EUV工具中使用的二氧化碳激光器，以更......
中使用的薄膜透光率（99.3%）还低。 当EUV光罩掩膜在250瓦光源下操作时，每平方公分会产生的5瓦热量，导致温度高达680℃以上，因此除了降低光源衰退外，还必须解决光罩掩膜在EUV过程......
国产光刻机获重大突破，ASML如何应对？;      中国科学院院士、中国科学院党组书记白春礼于4月13日访问长春光机所，调研EUV光源等技术，高度肯定光电关键核心技术攻关成果。国产......
八倍pattern去扩展光刻是很有问题的。这事你会面临很多问题，最大的挑战则是cut。 在过去的几年，ASML已经推出过几个版本的EUV光刻机，但目前来说，这些光刻机都是只能用于研究，ASML也将其光源......
电路上可容纳的电晶体数量每隔18~24 个月会增加一倍的目标变得窒碍难行，极紫外光（EUV）微影就被视为摩尔定律能持续往下走的关键。 EUV先前因光源强度与生产量未达经济效益，迟迟未能量产。据目......
一领域的主要制造商。 Lasertec公司的经营企划室室长三泽祐太朗指出：“随着微缩化的发展，在步入2纳米制程时，DUV的感光度可能会不够充分。”采用EUV光源的检测设备的需求有望进一步增长。 EUV......
机的升级就势必与分辨率水平相关联。 光刻机演进过程是随着光源改进和工艺创新而不断发展的。EUV 作为 7nm 及更先进制程芯片的基础，采用了更加成熟化的极紫外光源，同时......
机分辨率=k1*λ/NA”中，可以得知，NA越大，光刻机分辨率就越高，制程就越先进。但NA孔径并没有那样容易提升，所以光刻机就选择了改变光源，用13.5nm的EUV光源取代193nm的DUV光源，就能......
，部分制程将首度导入极紫外光（EUV）微影制程，这是半导体产业期待已久的“救世主”技术。 目前半导体制程的主流光源是氩氟雷射，波长为 193 纳米，当晶体管尺度已微缩到几十纳米时，就像......
荷兰的ASML在EUV相关设备市场上垄断了核心光刻机，但日本在DUV光刻设备中的实力也不容忽视。Gigaphoton是日本最大工程机械企业小松旗下的半导体企业，在光刻设备的DUV光源......
-NA光刻机？ 从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上舞台，为制造更小、更精......
半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。 相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干......
ultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。 相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干光经照明系统分割成的多个子光束具有固定的相位关系，当这......
和台积电分别注资503million和1.5 billion欧元，希望加速公司的EUV研发；在2012年底，为了解决EUV的光源问题，公司收购了美国的光源生产商Cymer；2016年11月份ASML以10亿欧......
指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。High-NA EUV 需要更高的光源......
易制造。 据悉，俄罗斯的自主光刻机采用11.2nm的激光光源，而非ASML标准的13.5nm。这种波长将与现有的EUV设备不兼容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可......
5月在IMEC ITF World演讲表示，长远来说，Hyper-NA EUV需改进光源系统，须采Hyper-NA基础，同时还需将所有系统生产效率提升到每小时400~500片晶......
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%; 【导读】近日据半导体业界透露，三星的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业......
目前最前沿的EUV光刻胶（<13.5nm波长）。通常来讲，波长越短加工分辨率越佳，能制造的芯片工艺越先进，技术难度也越高。 其中， g线、 i线光刻胶分别适用于436nm、365nm的波长光源......
下节点制程的先进制程技术的良率表现至关重要。 另外，光罩保护膜也是一种需要定期更换的消耗品，而由于EUV光刻设备的光源波长较短，因此护膜需要较薄厚度来增加透光率。 之前，硅已......
影响到半导体各个分支领域的技术发展方向。7纳米制造工艺引入EUV（极紫外光设备）设备，必须要为EUV制造工艺匹配相应的光刻胶。“光刻最重要的就是三光，即光刻机、光源和光刻胶，这三光都做好，光刻就没有什么特别的地方，”Brewer......
，Gigaphoton还将介绍EUV光源的研发进展。  * 如果您希望在您的材料中引用这些论文，请联系我们。 关于GIGAPHOTON  GIGAPHOTON公司成立于2000年，作为一家半导体光刻光源的供应商，自成......
份。 据悉，薄膜在EUV工艺时代起着至关重要的作用，可以防止EUV受污染而导致良率性能不佳。 三星将采用透光率超过90%的薄膜，以尽量减少光源的损失并稳定其3nm芯片......
NXE:3800E 而言，其光学原件同之前的 3600D 机型相同，仅是配备了更高效的 EUV 光源，所以其吞吐量收益主要来自每次曝光之间的晶圆移动加速。与 3600D 相比，3800E 的载......
制程生产以及最先进的极紫外光（EUV）设备。 公开资料显示，EUV制程采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源的光刻，相较于将蚀刻液喷洒在半导体表面，利用蚀刻液与半导体基底化学反应的DUV......
国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清;近期，一则“7纳米光刻机实现国产化”消息在业界刷屏，消息指出清华大学EUV项目实现了光刻机国产化，并表示该项目已在雄安新区落地。 对此，9月18日中......
用途准分子激光机以及极紫外光刻(EUV)的开发商和制造商，也是次世代光刻光源的极端远紫外光源（EUV）的开发者并实现量产。近年来，日本GIGAPHOTON株式......
蚀刻等其他工艺将图案深入基材中。 NIL的魅力在于潜在低成本获得高分辨率图案的潜力。通过绕过复杂的光学或光源，从理论上讲，这种方法可以比其他平版印刷形式更简单、更便宜。 NIL与EUV：技术比较 要理解NIL的重......
护膜是一种需要定期更换的消耗品，而由于EUV微影曝光设备的光源波长较短，因此护膜需要较薄厚度来增加透光率。之前，硅已被用于制造光罩护膜，但石墨烯会是一种更好的材料，因为石墨烯制造的光罩护膜比硅更薄、更透......
一方面采用可见光进行光刻，可以穿透普通的材料，工作环境要求不高，摆脱EUV光源需要真空环境、光刻能量不足的羁绊。 与动辄几千万美元的主流光刻机乃至一亿美元售价的EUV光刻机相比，超分......
另辟蹊径？俄罗斯拟自研“比ASML便宜”的EUV光刻机;综合CNews、Tom′s Hardware报道，俄罗斯科学院微结构物理研究所（IPM RAS）宣布了一项名为“高性能X射线......
全球唯一量产EUV光刻机的厂商，包括台积电、三星、英特尔的先进制程都要依赖EUV光刻机来生产。现阶段，每台光刻机的单价将近1.5亿美元。不过，ASML的EUV光刻机目前出货的是使用光源波长在13.5nm......
Aperture Thulium ) 激光技术，与当前行业标准二氧化碳 (CO2) 激光器相比可将EUV光源效率提高约10 倍，未来有望取而代之。 ps.Petawatt(PW)是一......
纳米或以下的超微制造工艺至关重要。它是一种需要定期更换的消耗品。 由于EUV设备的光源波长较短，因此薄膜需要较薄以增加透光率。此前，硅已被用于制造薄膜，但石墨烯是一种更好的材料，因为......
紫外光微影（EUV）技术，产业界已打破前一代微影技术的尺寸限制，但产量仍是一个问题；EUV可使用较少层数的光罩，使成本达到理想的水准，但EUV功耗极大，为此，台积电已取得350W照明光源技术突破，将可支援5纳米......
华为公布EUV光刻新专利！;公开消息显示，近日，华为公布了一项新专利，展示了一种《反射镜、光刻装置及其控制方法》， 专利申请号为CN202110524685.X。 据悉，该专......
周围的处理和计量工具。 据介绍，0.55NA EUV扫描仪和基础设施的准备工作始于2018年，在此之前，ASML和ZEISS（蔡司）已经能够开发High NA EUV扫描仪专用解决方案，涉及光源、光学......
的精密反射镜系统供应商，精密反射镜系统是EUV机器最关键的光学部件之一，而ASML于2013年收购的总部位于圣地亚哥的Cymer是EUV光源的唯一供应商。 尽管......
大幅增加。 所谓i线也就是光源来自波长365nm的水银灯，和EUV光刻机使用的13.5nm波长激光等离子体光源区别明显。 按照的说法，除芯片精细化以外，封装......
一台3亿欧元！ASML CEO：High-NA EUV将于2024年出货; 综合韩联社、koreatimes报道显示，全球光刻机龙头大厂首席执行官温宁克(Peter Wennink)于今......
韩元。其中，将设立SK海力士产线中的第一条EUV技术产线。因EUV光源ArF更短，更适合进行半导体电路微缩设计，提高芯片性能及生产效能。 全球市场研究机构TrendForce集邦咨询资料显示，存储......

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