【导读】据台媒DIGITIMES报道,三星电子将在其3nm工艺中采用透光率超过90%的最新EUV薄膜(pellicle)以提高良率,这些薄膜将来自韩国公司S&S Tech。
据台媒DIGITIMES报道,三星电子将在其3nm工艺中采用透光率超过90%的最新EUV薄膜(pellicle)以提高良率,这些薄膜将来自韩国公司S&S Tech。
光掩膜板材料(Blankmask)公司S&S Tech在2021年生产成功开发出了透光率达90%的半导体EUV薄膜,一举成为除了ASML之外另一家成功开发出了透光率超过90%的EUV薄膜的公司。ChosunBiz报道,据业内人士透露,S&S Tech最早将于2023年上半年进入透光率超过90%的EUV薄膜的批量生产。S&S Tech的目标是应三星要求——将比率提高到94%。
在三星投资的半导体材料和设备供应商中,S&S Tech获得了最多的投资资金。2020年7月,三星通过注资658亿韩元(5200万美元)获得了S&S Tech的8%的股份。
据悉,薄膜在EUV工艺时代起着至关重要的作用,可以防止EUV受污染而导致良率性能不佳。
三星将采用透光率超过90%的薄膜,以尽量减少光源的损失并稳定其3nm芯片的生产良率。
据报道,目前还没有一家晶圆代工厂采用透光率超过90%的薄膜。目前,主要的EUV薄膜供应商包括荷兰的ASML、日本的三井化学、同属韩国公司的S&S Tech和FST。三星现在投资S&S Tech和FST,以开发自用EUV薄膜。
根据接受Business Next采访的专门从事半导体的分析师和专家估计,目前台积电的3nm良率可能低至60%至70%,也可能高达75%至80%。与此同时,金融分析师Dan Nystedt也在推特上表示,台积电目前的3nm良率与5nm良率在其生产初期相似,据媒体报道,其良率可能高达80%。
(来源:集微网)
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