三星表示10nm良率很高,将推出6nm

发布时间:2017-03-17  

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来源:内容来自 快科技和36Kr ,谢谢。

三星半导体业务这几年的进步有目共睹,新工艺进展神速而且表现优秀,Exynos系列处理器也是大杀四方。

三星电子今天宣布,10nm FinFET工艺自从2016年10月底率先投产以来,按照预期取得了稳定的高良品率,满足了客户需求——这显然是在驳斥业内有关10nm良率不佳的传闻。

三星透露,迄今为止,已经出货了超过7万块采用第一代10nm LPE(Low Power Earlr)工艺制造的晶圆。

三星自家的Exynos 8895,以及高通的骁龙835,都采用这种工艺制造。

另外,三星还宣布增加8nm、6nm工艺,它们分别是10nm、7nm的改进版,官方宣称“可比现有工艺提供更好的灵活性、性能、功耗优势”,满足不同客户需求,带来更强的成本竞争优势。

三星将在5月24日举办美国三星代工论坛,披露8nm、6nm的更多技术细节。

台积电16/12/10/7/5nm,三星16/10/8/7/6nm……Intel你作何感想?

斥巨资扩建10nm和7nm生产线

星的掌门人虽然锒铛入狱,但是三星公司的发展却一刻也没有耽搁。

过去,李健熙两番触刑,最后也都安然无恙。虽然这一次李在镕摊上的事比他老爹要严重一些,而太子也没有他“父皇”当年的位份,然而三星的庞大体量和经济地位,李氏家族树大根深的影响力,加之东方政治框架中“灵活办事”的官僚风气,李在镕入狱如果不是走一个过场的话,恐怕也并不影响他对三星的控制。

入年以来,三星不断在为将要重磅推出的新机S8铺垫造势。2月,三星宣布5G射频IC商业化准备就绪,作为一个落后的5G追赶者,拼命保持住自己竞争者的资格。

前几日,三星刚刚宣布在美国投资3亿美元,不逆大势,示好特朗普政府。日前的MWC2017上,三星电脑也小刷了一把存在感,展出了Galaxy Book和Galaxy Tab S3、智能眼镜Monitorless等新品。

今日又曝出,三星在半导体的赛道下砸下重金,斥资8.5万亿韩元(513.5亿人民币)扩建10nm和7nm生产线。

具体来看,对于急需扩建的用于骁龙835生产的10nm生产线,三星将一次性投入2.5万亿韩元(151亿人民币),扩建其旗下的17号生产线。扩建之后,这一生产线最早在今年2季度就能增加1.8万片的产能。

因为没能抢下苹果A11处理器的订单,所以10nm的扩建规模并不如之前传言的那么大。目前采用三星10nm产品,只有高通的骁龙835和自家的Exynos 8895。

至于7nm工艺,由于17号线无法提供足够的空间,三星计划新建工厂,投资额高达6万亿(362.5亿人民币)。新设备每月将生产3万芯片组。建设7nm生产线,需要极紫外光刻系统(EUV)。三星已经订购了8套用于生产的极紫外光刻系统(EUV),每一套的成本就高达2500亿韩元(15.08亿人民币)。

10nm生产线在今年下半年就将完成全部投资,而更先进的7nm生产线,投资全部完成则是在2019年年初。

10nm和7nm是现在半导体巨头争夺的主要制程。三星目前最主要的对手是台积电,然而,在10nm工艺上,三星和台积电都被曝出良品率低的问题。英特尔也因为量产技术不成熟迟迟不肯上马10nm工艺。

在7nm工艺方面,三星、英特尔、台积电等都在研发,并投入巨资。格罗方德也决定跳过10nm工艺,直接押注7nm制程。

台积电先前预估10纳米年底量产、7纳米最快 2018 年第一季生产。

去年10月,三星宣布其10nm工艺正式量产,采用该工艺生产出高通的骁龙835芯片,领先于台积电,并且制造出了10nm SRAM缓存。

不过,在7nm的争夺上,三星现在略慢于台积电。之前台积电宣布已经开始测试7nm工艺,三星也不甘落后,宣布今年要测试7纳米FinFET工艺制程。

谁能抢先落地7nm工艺,就意味着更多的订单。此次大举投资,三星或意在加快 7 nm量产时程,抢回 10nm流失掉的苹果处理器订单。

三星与台积电的此番争夺,战火将一直烧到明年。这一站谁胜谁负,我们拭目以待吧。

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