ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型

发布时间:2024-03-27  

3 月 27 日消息,据荷兰媒体 Bits&Chips 报道,L 官方确认新款 0.33NA EUV ——NXE:3800E 引入了部分 EUV 的技术,运行效率得以提升。

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根据IT之家之前报道,NXE:3800E 已于本月完成安装,可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量,相较以往机型的 160 片提升近 22%。

下一代光刻技术 (高数值孔径) EUV 采用了更宽的光锥,这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽,会导致影响晶圆吞吐量的光损失。因此 L 提高了光学系统的放大倍率,从而将光线入射角调整回合适大小。

但在掩膜尺寸不变的情况下,增加光学系统放大倍率本身也会因为曝光场的减少影响晶圆吞吐量。因此 L 仅在一个方向上将放大倍数从 4 倍提升至 8 倍,这使得曝光场仅用减小一半。

而为了进一步降低曝光时间,提升吞吐量,有必要提升光刻机载物台的运动速率。ASML 工程师就此开发了同时兼容现有 0.33NA 数值孔径系统的新款快速载物台运动系统。

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▲ 图源 ASML 官方

对于 NXE:3800E 而言,其光学原件同之前的 3600D 机型相同,仅是配备了更高效的 EUV 光源,所以其吞吐量收益主要来自每次曝光之间的晶圆移动加速。与 3600D 相比,3800E 的载物台移动速度提升至 2 倍,曝光步骤总时长也大约减少了一半。

更快的运行速度也带来了能效的提升,ASML 的发言人表示,NXE:3800E 整体节省了约 20%~25% 的能源。

文章来源于:电子产品世界    原文链接
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