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钽涂层，与实验晶锭。 聚能创芯&聚能晶源 本次展会上，聚能创芯&聚能晶源联合展示了8英寸硅基氮化镓外延片、GaN功率器件及相应的GaN应用方案，为目前需求旺盛的GaN快充......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成，将增加10条氮化镓外延生产线;据盘锦日报报道，5月9日，盘锦高新技术产业开发区的氮化镓半导体芯片项目现场，工程施工人员正在接通水电气，辽宁......
片生产线正式建成并投入使用。 据介绍，中科重仪生产的氮化镓外延片，氮化镓层厚度约5μm表面无裂纹，翘曲度小于100μm。HEMT结构室温下，方块电阻为465Ω/sq，二维电子气（2DEG）浓度约8×1013cm-2......
进行产品试生产。 据悉，氮化镓半导体芯片项目的建成达产，可为百思特达增加10条氮化镓外延生产线，实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。 封面图片来源：拍信网......
将依托先导公司省级制造业创新中心的研发任务，开展氮化镓和碳化硅器件研发与中试，形成宽禁带半导体从外延生长-晶圆制造-芯片封测全链式中试平台，面对新能源、消费电子、5G通讯、航空航天、国防装备等高新技术产业领域，打造......
研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。 英诺赛科的主要产品涵盖从低压到高压（30V......
源汽车市场大有可为 资料显示，百识电子成立于2019年8月，专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片，包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC，针对高压、高功率以及射频微波等应用市场提供碳化硅及氮化镓外延......
全球外延生长设备市场将在 2026 年达到 11 亿美元;半导体市场趋势研究公司 Yole Développement 预测，全球外延生长设备市场规模将从2020年的6.9亿美元增长到2026年的......
的氮化镓外延片是一种复合（Al，In，Ga）N多层结构，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在硅或碳化硅衬底上外延生长。所得到的GaN/Si和GaN/SiC外延片被用于制造电子器件，与现......
-diamond异质集成方法受到广泛关注。目前实现该异质集成结构主要有外延生长和键合两种方法，相较于外延生长存在热应力、热损伤和低界面热导层等问题，键合技术因具有高热导、低热应力的优势，作为......
，百川街西，南荡田巷北，总建筑面积23443.27平方米。项目聚焦第三代半导体材料——氮化镓外延片的研发生产，预期项目建成后，将成为国内规模最大的氮化镓电力电子材料和微显示材料生产基地。 据苏......
电力电子材料、射频材料和微显示材料的生产基地。 消息显示，晶湛半导体致力于为高端光电、电力电子、微波射频等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，是园区自主培育的第三代半导体氮化镓外延......
半导体拟在苏州工业园区自建厂房和办公楼，进行半导体材料—氮化镓外延片的产业化生产，预计年产氮化镓外延片24万片，其中，6英寸和8英寸氮化镓外延片年产能均为12万片，用于......
年产能24万片，苏州一氮化镓外延片材料项目开工在即;近日，苏州工业园区管理委员会公示了苏州晶湛半导体有限公司新建氮化镓外延片生产扩建项目环境影响报告书。 △Source：苏州......
年产新增1万片氮化镓外延片，晶湛半导体项目获新进展;7月29日，苏州独墅湖科教创新区发布了晶湛半导体氮化镓外延片年产新增10000片项目环境影响评价第一次公示。 根据公示，晶湛......
赛科成立于2017年，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高科技企业，采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，产品涵盖30-900V功率半导体器件、IC......
中科半导体氮化镓外延片及单晶衬底材料研发生产项目落户赣州经开区;近日，据赣州经济技术开发区招商引资消息，8月17日上午，赣州经开区举行2021年第9批招商引资项目线上集中签约仪式，此次签约共有6个项......
材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片。 2014年底，晶湛半导体率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料填补了国内氮化镓产业的空白。 2021年9月，晶湛......
化合物芯片工艺服务能力的柔性中试平台。 同时，先进光子器件工程创新平台将有效解决第三代化合物半导体芯片制造的外延生长与制程等关键问题，为光电芯片、功率器件、射频器件等芯片设计企业、高校、科研院所提供外延生长......
福州新区两个GaN项目签约;近日，福州新区集中签约38个重点项目，总投资超220亿元，其中2个项目涉及氮化镓，包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。 资料显示，芯睿半导体氮化镓......
来源：温州网 报道显示，本次青科基金所投资的项目中，芯生代和星耀激光均属于科技成果转化。其中，芯生代首席科学家钟蓉博士团队掌握了第三代半导体氮化镓外延片及功率芯片制造的技术，目前......
Transphorm获得National Security Technology Accelerator价值1500万美元的合同;ECLIPSE项目旨在建立先进氮化镓外延片材料的生产和供应机制；标志......
（多晶、单晶、晶片、外延片等多种形态）、锗外延生长衬底等。 公告原文如下 根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国......
在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。 目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓激光器结构设计、外延生长、芯片制造、封装......
公司实现了低成本α-氧化镓材料的突破，2018年实现了α-氧化镓外延材料的量产。据称2022年量产600V 10A SBD、2023年将年产10万颗器件供给丰田新能源车。 我国来看，中电科46所于2014......
平台及测试分析平台。 根据此前资料，广州第三代半导体创新中心建设项目于2020年底签约落地广州黄埔，将聚焦大尺寸氮化镓材料外延生长、氮化镓微波毫米波器件与集成电路、氮化镓......
司将推动这些产品的开发和上市。 由于QST®基板的设计具有与GaN相同的热膨胀系数(CTE)，因此可以抑制GaN外延层的翘曲和裂纹，从而实现大直径、高质量的厚GaN外延生长。利用这些特性，该产......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片;近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一......
目建成后，将具备4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化镓外延材料生长到器件研制的全套工艺流程能力，有助于芜湖市解决半导体产业在知识产权培育和转化、特殊工艺与特色产品定制、中试......
阻率。 近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中，然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配，导致......
项目正式开工建设，该项目占地125亩，总投资15亿元，其中一期投资3亿元；去年5月，项目一期正式建成，预计增加10条氮化镓外延生产线，实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。 博康......
，百思特达氮化镓项目正式开工建设，该项目占地125亩，总投资15亿元，其中一期投资3亿元；去年5月，项目一期正式建成，预计增加10条氮化镓外延生产线，实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓......
产业第一梯队的国产半导体企业代表，是硅基氮化镓领域全球龙头，生产基地主要位于珠海和苏州两地。 目前，英诺赛科通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓......
光伏电池、锗基砷化镓和高比能量储能电池等，拥有从砷化镓薄膜外延生长到薄膜电池组件覆盖生产全过程的全部关键技术的知识产权。 消息显示，截至目前，德融科技已在宜兴建设总投资20亿元的柔性薄膜砷化镓......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破;近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3......
体报道西安邮电大学在超宽禁带半导体研究上取得重要进展，该校电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。 2月，中国电科46所宣布成功制备出我国首颗6......
电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。 2月，中国电科46所宣布成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺......
宜兴德融科技有限公司成立于2015年，是一家研发和生产航空航天飞行器电源系统核心器件的高科技企业，主要产品包括柔性薄膜砷化镓光伏电池、锗基砷化镓和高比能量储能电池等，拥有从砷化镓薄膜外延生长......
融资将用于建设江苏能华微电子在长三角地区的第二家FAB（制造车间）。 据官网介绍，江苏能华微电子成立于2010年，是一家专业设计、研发、生产、制造和销售高性能氮化镓外延、晶圆、器件及模块的高科技公司。2017年，该公......
物晶格匹配的过渡金属硫化物为缓冲层，构筑人工生长界面，实现了非晶玻璃晶圆上的单晶薄膜制备，并实现了紫外发光器件的制备。该项工作以非晶衬底这一极端情况，验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性。 刃位错是氮化......
建成达产后有望形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。 该项目建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6......
研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。 产能方面，英诺赛科采用IDM全产业链模式，现拥有两座8......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破;近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3异质外延薄膜的大面积生长......
、砷化镓、铟镓砷等；锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。 此举也引发了海外芯片厂商囤货，因为没有这些是半导体生产的关键材料，没有将没办法生产芯片。 据韩国媒体报道称，数据显示，韩国......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~; 据业内消息，本周西安一高校半导体研究团队宣布在半导体材料研究上取得突破! 该研究成功在 8 英寸硅片中制备出高质量的氧化镓外延......
担上级研发项目10项，完成4款电路芯片设计，在氮化镓单晶、氮化镓外延片等方面取得重要突破，部分指标国际领先，累计申请专利260多件；组建省人才攻关联合体，集聚以院士为引领的40多位高层次领军人才，核心......
化硅（SiC）以外，其他所有新兴宽带隙半导体必须生长在另一种材料盘中，比如氮化镓通常依靠复杂的工艺在硅、碳化硅、蓝宝石基底上生长，由于基底的晶体结构明显不同于氮化镓的晶体结构，这种差异会造成基底和氮化镓......
防、航天和高技术研究具有重要意义。 1.半导体照明（LED） LED行业属于技术推动的成长行业，核心技术为氮化镓(GaN)/砷化镓(GaAs)/碳化硅(SiC)等化合物半导体的MOCVD外延层生长......
中指出，镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。 此举也引发了海外厂商囤货，因为没有这些是生产的关键材料，没有将没办法生产。 与铜......
片成本占整个流片成本的一半，未来公司将开发自有的氮化镓外延片来控制芯片成本，同时优化外延良率,形成公司核心技术。同时公司也会不断优化器件结构和工艺设计来提升产品的性能,并降低器件成本。另外在应用层面，公司产品丰富，可利......

相关企业

湘能华磊光电股份有限公司
照明等 , 华磊光电之Green LEDs ，已符合各种应用之需求。此外华磊光电将Green LEDs相关产品与应用端接轨，与应用厂商协力开发更多的 LED 应用产品。 3.华磊光电积极以产学合作模式开发高质量氮化镓外延
武汉联创力科技有限公司
能光滑表面缺陷分析仪；        5、微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件； 6、半导体材料，氮化镓外延片、裸片，二维半导体材料等；
广东亚一半导体应用科技有限公司
的无尘标准车间3000多平方米，配备先进的全自动生产、检测设备。主要从事LED光电领域的外延生长、芯片备制、LED封装及应用产品核心技术的研发、技术服务及产品生产、销售。
epc
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
中电上海蓝光科技有限公司
;中电上海蓝光科技有限公司;;上海蓝光科技有限公司是彩虹集团公司控股的二级子公司。成立于2000年4月，是国内首家从事氮化镓基LED外延片、芯片研发和产业化生产的企业，是国家“863”计划
深圳市瑞光科技有限公司
度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过
山东佛都半导体照明有限公司
片生产及芯片封装，装配外延片生产线（MOCVD）20条，芯片生产线12条，芯片封装生产线14条，共投资7亿元；第三期是在第一期和第二期的基础上，根据企业发展的需要，生产半导体照明材料，装配砷化镓、氮化镓
新纳晶光电有限公司（深圳办事处）
有多年的研究和产业化经验，目前在LED相关技术领域拥有二十多项核心专利，可以独立进行LED器件结构设计、外延生长、芯片工艺、器件封装、LED灯具的开发，未来将打造出一条“图形衬底－外延－芯片－封装－灯具组装”的完
东莞中和光电有限公司
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
triquint-semiconductor
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN