资讯
深圳国际半导体展直击：30+三代半厂商亮相！(2023-05-19)
钽涂层，与实验晶锭。
聚能创芯&聚能晶源
本次展会上，聚能创芯&聚能晶源联合展示了8英寸硅基氮化镓外延片、GaN功率器件及相应的GaN应用方案，为目前需求旺盛的GaN快充......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
在大功率和高频率应用中具有优势，且导通电阻更低，损耗更小。
目前，中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方面都取得了一定的进展。其中，厦门大学的研究团队在氧化镓外延生长......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。
2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延生长......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成，将增加10条氮化镓外延生产线(2022-05-16)
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成，将增加10条氮化镓外延生产线;据盘锦日报报道，5月9日，盘锦高新技术产业开发区的氮化镓半导体芯片项目现场，工程施工人员正在接通水电气，辽宁......
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产(2023-12-11)
片生产线正式建成并投入使用。
据介绍，中科重仪生产的氮化镓外延片，氮化镓层厚度约5μm表面无裂纹，翘曲度小于100μm。HEMT结构室温下，方块电阻为465Ω/sq，二维电子气（2DEG）浓度约8×1013cm-2......
百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工，进入试生产阶段(2023-01-11)
进行产品试生产。
据悉，氮化镓半导体芯片项目的建成达产，可为百思特达增加10条氮化镓外延生产线，实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。
封面图片来源：拍信网......
陕西半导体先导技术中心举办中试线通电仪式，将开展氮化镓和碳化硅器件研发与中试(2021-11-19)
将依托先导公司省级制造业创新中心的研发任务，开展氮化镓和碳化硅器件研发与中试，形成宽禁带半导体从外延生长-晶圆制造-芯片封测全链式中试平台，面对新能源、消费电子、5G通讯、航空航天、国防装备等高新技术产业领域，打造......
重点发展氮化镓，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用(2023-11-23)
研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。
英诺赛科的主要产品涵盖从低压到高压（30V......
第三代半导体外延代工获青睐，这家公司完成超3亿元A轮融资(2022-03-08)
源汽车市场大有可为
资料显示，百识电子成立于2019年8月，专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片，包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC，针对高压、高功率以及射频微波等应用市场提供碳化硅及氮化镓外延......
全球外延生长设备市场将在 2026 年达到 11 亿美元(2021-11-10)
全球外延生长设备市场将在 2026 年达到 11 亿美元;半导体市场趋势研究公司 Yole Développement 预测，全球外延生长设备市场规模将从2020年的6.9亿美元增长到2026年的......
广东微纳院半导体微纳加工中试平台通线(2024-07-15)
、芯片加工、封装测试等全链条中试平台。平台建成后具备8吋硅晶圆和氮化镓晶圆加工能力，2-8吋氮化镓基材料外延生长能力，其中晶圆加工产能为8吋5000片/月，材料外延生长总产能为4吋4000片......
优化衬底助推第三代半导体实现汽车创新(2023-01-09)
的氮化镓外延片是一种复合（Al，In，Ga）N多层结构，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在硅或碳化硅衬底上外延生长。所得到的GaN/Si和GaN/SiC外延片被用于制造电子器件，与现......
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展(2022-03-15)
-diamond异质集成方法受到广泛关注。目前实现该异质集成结构主要有外延生长和键合两种方法，相较于外延生长存在热应力、热损伤和低界面热导层等问题，键合技术因具有高热导、低热应力的优势，作为......
GaN的里程碑：晶圆向300mm过渡(2024-09-09)
有多层无机薄膜，顶部是一个二氧化硅（SiO2）键合层，允许单晶硅层作为外延GaN生长的成核层。
这种技术使得可以在300mm晶圆上实现高质量、无翘曲和无裂纹的GaN外延生长，从而显著降低了器件成本。
信越......
聚焦第三代半导体材料 晶湛半导体总部大楼封顶(2022-11-10)
，百川街西，南荡田巷北，总建筑面积23443.27平方米。项目聚焦第三代半导体材料——氮化镓外延片的研发生产，预期项目建成后，将成为国内规模最大的氮化镓电力电子材料和微显示材料生产基地。
据苏......
晶湛半导体总部大楼奠基(2021-12-03)
电力电子材料、射频材料和微显示材料的生产基地。
消息显示，晶湛半导体致力于为高端光电、电力电子、微波射频等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，是园区自主培育的第三代半导体氮化镓外延......
聚焦氮化镓产业，晶湛半导体获A股公司歌尔股份投资(2022-03-03)
半导体拟在苏州工业园区自建厂房和办公楼，进行半导体材料—氮化镓外延片的产业化生产，预计年产氮化镓外延片24万片，其中，6英寸和8英寸氮化镓外延片年产能均为12万片，用于......
年产能24万片，苏州一氮化镓外延片材料项目开工在即(2021-11-04)
年产能24万片，苏州一氮化镓外延片材料项目开工在即;近日，苏州工业园区管理委员会公示了苏州晶湛半导体有限公司新建氮化镓外延片生产扩建项目环境影响报告书。
△Source：苏州......
年产新增1万片氮化镓外延片，晶湛半导体项目获新进展(2022-08-02)
年产新增1万片氮化镓外延片，晶湛半导体项目获新进展;7月29日，苏州独墅湖科教创新区发布了晶湛半导体氮化镓外延片年产新增10000片项目环境影响评价第一次公示。
根据公示，晶湛......
全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业诞生！英诺赛科苏州一期产线正式投产(2021-06-08)
赛科成立于2017年，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高科技企业，采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，产品涵盖30-900V功率半导体器件、IC......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
构和参数进行模拟仿真。
2、外延片制造流程
氮化镓外延片可在硅衬底、碳化硅衬底或蓝宝石衬底上进行生长，从成本和大批量生产考虑，外延的每一层的沉积一般采用MOCVD（金属氧化物化学气相沉积）。
图 5 氮化镓外延......
中科半导体氮化镓外延片及单晶衬底材料研发生产项目落户赣州经开区(2021-08-23)
中科半导体氮化镓外延片及单晶衬底材料研发生产项目落户赣州经开区;近日，据赣州经济技术开发区招商引资消息，8月17日上午，赣州经开区举行2021年第9批招商引资项目线上集中签约仪式，此次签约共有6个项......
多个氮化镓企业受资本热捧！晶湛半导体获歌尔微电子加持(2022-03-04)
材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片。
2014年底，晶湛半导体率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料填补了国内氮化镓产业的空白。
2021年9月，晶湛......
陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用(2023-03-31)
化合物芯片工艺服务能力的柔性中试平台。
同时，先进光子器件工程创新平台将有效解决第三代化合物半导体芯片制造的外延生长与制程等关键问题，为光电芯片、功率器件、射频器件等芯片设计企业、高校、科研院所提供外延生长......
福州新区两个GaN项目签约(2024-01-29)
福州新区两个GaN项目签约;近日，福州新区集中签约38个重点项目，总投资超220亿元，其中2个项目涉及氮化镓，包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。
资料显示，芯睿半导体氮化镓......
芯生代项目获1500万元投资 涵盖第三代半导体领域(2021-11-23)
来源：温州网
报道显示，本次青科基金所投资的项目中，芯生代和星耀激光均属于科技成果转化。其中，芯生代首席科学家钟蓉博士团队掌握了第三代半导体氮化镓外延片及功率芯片制造的技术，目前......
Transphorm获得National Security Technology Accelerator价值1500万美元的合同;ECLIPSE项目旨在建立先进氮化镓外延片材料的生产和供应机制；标志......
8月1日生效！中国对镓、锗相关物项实施出口管制(2023-07-04)
（多晶、单晶、晶片、外延片等多种形态）、锗外延生长衬底等。
公告原文如下
根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国......
这个氮化镓功率半导体项目迎新进展(2024-09-20)
、SOT-23系列、SOD系列）和精密电子元器件生产的工厂。
近期，氮化镓产线建设热度不减，8月18日，WaveLoad对外宣布，其计划明年年初量产氮化镓外延片。
WaveLoad已在......
格恩半导体规模量产氮化镓激光芯片(2023-08-29)
在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。
目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓激光器结构设计、外延生长、芯片制造、封装......
研发测试第三代半导体，深圳应科院揭牌(2024-10-12)
公司（以下简称麻省光子技术）联合举行香港首条超高真空第三代半导体氮化镓外延片中试线启动仪式。
仪式上，专注研发氮化镓外延技术的麻省光子技术宣布，该公司计划于香港科技园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延......
深圳半导体“芯”平台+1(2024-10-14)
科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司（以下简称麻省光子技术）联合举行香港首条超高真空第三代半导体氮化镓外延片中试线启动仪式。
仪式上，专注研发氮化镓外延技术的麻省光子技术宣布，该公司计划于香港科技园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
公司实现了低成本α-氧化镓材料的突破，2018年实现了α-氧化镓外延材料的量产。据称2022年量产600V 10A SBD、2023年将年产10万颗器件供给丰田新能源车。
我国来看，中电科46所于2014......
中试能力1000片/年，广州又一氮化镓项目要开建了(2021-10-15)
平台及测试分析平台。
根据此前资料，广州第三代半导体创新中心建设项目于2020年底签约落地广州黄埔，将聚焦大尺寸氮化镓材料外延生长、氮化镓微波毫米波器件与集成电路、氮化镓......
Shin-Etsu Chemical进一步推进QST®基板业务，促进在GaN功率器件中的应用(2023-09-06)
司将推动这些产品的开发和上市。
由于QST®基板的设计具有与GaN相同的热膨胀系数(CTE)，因此可以抑制GaN外延层的翘曲和裂纹，从而实现大直径、高质量的厚GaN外延生长。利用这些特性，该产......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。
今年4月，媒体报道厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展。
在β......
西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线通线(2023-03-30)
目建成后，将具备4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化镓外延材料生长到器件研制的全套工艺流程能力，有助于芜湖市解决半导体产业在知识产权培育和转化、特殊工艺与特色产品定制、中试......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片;近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一......
GaN衬底研发获新突破！(2022-12-01)
阻率。
近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中，然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配，导致......
从消费到汽车/工业等领域，氮化镓进一步撬动市场！(2023-03-15)
项目正式开工建设，该项目占地125亩，总投资15亿元，其中一期投资3亿元；去年5月，项目一期正式建成，预计增加10条氮化镓外延生产线，实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。
博康......
从消费到汽车/工业等领域，氮化镓进一步撬动市场(2023-03-15)
，百思特达氮化镓项目正式开工建设，该项目占地125亩，总投资15亿元，其中一期投资3亿元；去年5月，项目一期正式建成，预计增加10条氮化镓外延生产线，实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓......
氮化镓外延厂瑞典企业SweGaN宣布已开始出货(2024-08-15)
氮化镓外延厂瑞典企业SweGaN宣布已开始出货;8月13日，瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进......
首条8英寸GaN中试线启动，香港三代半产业“跑步”前进(2024-07-31)
首条8英寸GaN中试线启动，香港三代半产业“跑步”前进;为共同推动香港微电子产业发展，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司于7月30日举行了香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓外延......
最高30亿元，Q1化合物半导体领域融资事件汇总(2022-04-11)
产业第一梯队的国产半导体企业代表，是硅基氮化镓领域全球龙头，生产基地主要位于珠海和苏州两地。
目前，英诺赛科通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓......
总投资60亿元的先进化合物半导体项目落户江苏宜兴(2022-03-16)
光伏电池、锗基砷化镓和高比能量储能电池等，拥有从砷化镓薄膜外延生长到薄膜电池组件覆盖生产全过程的全部关键技术的知识产权。
消息显示，截至目前，德融科技已在宜兴建设总投资20亿元的柔性薄膜砷化镓......
SiC和GaN的供应链考量(2024-07-24)
在应对这些挑战方面取得了重大进展。在批量生产、外延生长和器件制造方面取得的进步稳步降低了成本，并提高了氮化镓和碳化硅器件的质量。此外，随着规模经济的实现，GaN/SiC与Si的价格差距有望缩小，未来......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破;近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
体报道西安邮电大学在超宽禁带半导体研究上取得重要进展，该校电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。
2月，中国电科46所宣布成功制备出我国首颗6......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。
2月，中国电科46所宣布成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺......
60亿元德融科技先进化合物半导体材料及元器件项目落户宜兴(2022-03-15)
宜兴德融科技有限公司成立于2015年，是一家研发和生产航空航天飞行器电源系统核心器件的高科技企业，主要产品包括柔性薄膜砷化镓光伏电池、锗基砷化镓和高比能量储能电池等，拥有从砷化镓薄膜外延生长......
相关企业
照明等 , 华磊光电之Green LEDs ，已符合各种应用之需求。此外华磊光电将Green LEDs相关产品与应用端接轨，与应用厂商协力开发更多的 LED 应用产品。 3.华磊光电积极以产学合作模式开发高质量氮化镓外延
能光滑表面缺陷分析仪；
5、微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件；
6、半导体材料，氮化镓外延片、裸片，二维半导体材料等；
的无尘标准车间3000多平方米，配备先进的全自动生产、检测设备。主要从事LED光电领域的外延生长、芯片备制、LED封装及应用产品核心技术的研发、技术服务及产品生产、销售。
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;中电上海蓝光科技有限公司;;上海蓝光科技有限公司是彩虹集团公司控股的二级子公司。成立于2000年4月，是国内首家从事氮化镓基LED外延片、芯片研发和产业化生产的企业，是国家“863”计划
度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过
片生产及芯片封装，装配外延片生产线（MOCVD）20条，芯片生产线12条，芯片封装生产线14条，共投资7亿元；第三期是在第一期和第二期的基础上，根据企业发展的需要，生产半导体照明材料，装配砷化镓、氮化镓
有多年的研究和产业化经验，目前在LED相关技术领域拥有二十多项核心专利，可以独立进行LED器件结构设计、外延生长、芯片工艺、器件封装、LED灯具的开发，未来将打造出一条“图形衬底－外延－芯片－封装－灯具组装”的完
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN