晶旭半导体氧化镓外延生产基地预即将投产

发布时间:2024-12-11  

福建晶旭半导体二期项目总投资16.8亿元,建设136亩工业厂区。建成后不仅能提高高频滤波器芯片产能,还将建成全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线,形成核心装备自主研发,外延芯片自主设计制造,器件封测一体化的全产业链布局。建成后不仅填补了国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白,同时,对上杭县新材料产业发展具有重要推动作用。

据睿悦投资消息,截至日前,福建晶旭半导体有限公司年产能75万片氧化镓外延生产基地,主体结构已全部封顶,预计明年可以达到初步生产使用状态。

公开资料显示,晶旭半导体是一家拥有5G通信中高频体声波滤波芯片(BAW)全链条核心技术、以IDM模式运行的高新技术企业。核心技术是基于单晶氧化镓为压电材料的体声波滤波器芯片,拥有独立自主知识产权,已取得多个全球首创,国内唯一的颠覆性技术创新。在材料、设计、制造、装备等方面,取得多项原创性突破,获授权国内外发明专利100余件,关键性能比国外同类产品提升超过20%,已通过多家知名品牌客户的验证,有效解决我国在5G射频滤波芯片领域卡脖子问题。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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